SLC与MLC的介绍与比较

   SSD的主要构造就是闪存，影响SSD速度的相当原因，也在于闪存的种类，闪存分为SLC和MLC两种，以下我们来看看这两种闪存的详细介绍。

   SLC全称是单层式储存(Single Level Cell)，是指一个Block(块，Flash的基本存储单元，也可称为Cell)只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。

   SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏块的几率较小，因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好。不过这种一个块只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，所以SLC的闪存容量相对来说都比较小，只能在工艺制程方面努力进步，才能满足用户在容量方面不断的要求。

   MLC的全称是多层式储存(Multi Leveled Cell)，同上面说的SLC不同，MLC充分利用块的技术，它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息(00、01、11、10)，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍，这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NAND Flash而言，是非常好的消息。不过MLC相比SLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外，也存在一些先天的弊端，比如说电压区间更小，Flash就需要更多的CRC校验空间，这会大概占据块中10%的空间，因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。而因为MLC Flash电压变化更频繁，所以基于MLC技术的Flash在寿命方面相较SLC要差一些，官方给出的可擦写次数仅为1万次，也就是说一张512MB的USB闪存盘，你写入512MB的数据1万次(理论值)，它就报废了，这也是当前MLC技术最致命的缺点。此外MLC技术还有一个缺点，就是它的读写速度不如SLC，一个块存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑。