RAM与Nand/Nor flash之间的区别

    本文主要从两方面对比，讲解RAM与Nand/Nor flash之间的区别，一方面是RAM与flash的区别；另一方面是NAND flash与NOR flash的区别。
一、RAM和flash的区别
    RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵， 所以只在要求苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲Cache。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说，DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
    Flash（闪存）也分两类，即NAND Flash和NOR Flash，Flash闪存是非易失存储器，可以称为块的存储器单元进行擦写和再编程。任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在写入操作之间必须先执行擦除。Flash的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1。所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF。
    而我们平时接触最多的就是RAM即内存，这里主要也是讲内存与Flash的区别：易失性，即断电后RAM里面的数据就没了，而Flash里面的数据依然存在。

二、NAND Flash与NOR Flash的区别
（1）NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不再把代码读到系统RAM中。NOR在开发板中应用非常的广泛，通过JTAG/JLINK把boot烧写到NOR中，通电后自动运行。这也是NAND和NOR的最主要的区别。
（2）NOR带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每个字节；NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息；NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地基于NAND的存储器取代硬盘和其他设备。
（3）NAND的写入速度比NOR快很多，所以NAND适用于存储数据，如U盘（NAND）存储数比较快。
（4）NOR的读速度比NAND稍快一些。
（5）NAND的4ms擦除速度、编程速度远比NOR的5s快。
（6）NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
（7）在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。
（8）NAND器件中的坏块是随机分布的，对介质进行初始化扫描发现坏块，并将坏块标记为不可用。在烧写内核到NAND的时候，经常有发现坏块的提示。
（9）由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中偶然会产生1位或几位数据错误，即位反转，NAND Flash发送位反转的几率要远大于NOR Flash。位反转无法避免，因此，使用NAND Flash的同时，应采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。
（10）NAND Flash与NOR Flash相比容量大。
（11）NOR价格高。