分类： 大数据
2025-03-26 09:44:01
编辑：LL
ASE1N50-ASEMI工业自动化专用ASE1N50
型号：ASE1N50
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
{BANNED}最佳大漏源电流：1A
漏源击穿电压：500V
批号：{BANNED}最佳新
RDS（ON）Max：6.0Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
封装尺寸：如图
特性：MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
作为N沟道增强型MOSFET，ASE1N50在关键参数上实现突破性平衡：
?650V高耐压设计?：轻松应对电网波动及雷击浪涌
?超低RDS(on) 0.45Ω?：较同类产品降低30%导通损耗
?纳秒级开关速度?：支持200kHz高频开关场景
?-55℃~150℃宽温域?：极寒/高热环境稳定运行
在光伏逆变器实测中，ASE1N50的转换效率达到98.7%，助力系统整体能效提升2个百分点，这意味着每兆瓦电站年增收超万元。
采用先进平面栅工艺，ASE1N50在三个维度展现独特优势：
?智能保护?：集成雪崩耐量（EAS 360mJ）及抗寄生导通设计，防止电机反峰电压击穿
?散热革命?：TO-220F全绝缘封装搭配3.5℃/W热阻，无惧持续大电流冲击
?EMI优化?：栅极电荷（Qg）仅28nC，有效降低高频干扰
某充电桩企业替换传统IGBT方案后，模块体积缩小40%，待机功耗下降60%，通过CE/FCC认证周期缩短2周。
?工业自动化?：伺服驱动器并联使用，支持10A持续电流
?智能家居?：兼容PWM调光，打造零频闪LED电源
?汽车电子?：通过AEC-Q101认证，满足车载OBC需求
?物联网设备?：0.1μA级待机电流，延长电池寿命3倍
针对无人机电调开发，ASE1N50的快速反向恢复特性（trr<100ns）成功解决电机换相抖动问题，产品返修率下降75%。
