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分类: 大数据

2025-03-24 10:12:50

编辑:LL

ASE18N45-ASEMI智能家电专用ASE18N45

型号:ASE18N45

品牌:ASEMI

封装:TO-220F

{BANNED}最佳大漏源电流:18A

漏源击穿电压:450V

批号:{BANNED}最佳新

RDSONMax0.35Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS 

封装尺寸:如图

特性:MOS管、N沟道MOS

工作结温-55℃~150

?18N45 MOS管:高功率电子设备的核心动力引擎?

在电力电子领域,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)一直是高效能源转换的核心元件。无论是工业电源、新能源逆变器,还是消费电子设备,MOS管的性能直接决定了系统的效率、稳定性和寿命。而?18N45 MOS管?凭借其卓越的耐压能力、超低导通电阻和快速开关特性,正在成为工程师应对高功率挑战的首选解决方案。?

在工业自动化、电动汽车充电桩、太阳能逆变器等场景中,设备往往需要承受数百伏的高压和数十安培的大电流。传统MOS管在高负荷下容易因导通损耗大、温升过高导致性能下降甚至失效,而?18N45 MOS管?通过三大核心优势破解了这一难题:

?450V高耐压,从容应对复杂工况?
18N45的漏源击穿电压(VDS)高达450V,可在电网波动、负载突变等场景中提供稳定的高压耐受能力,尤其适用于380V工业电源和三相电系统,大幅降低击穿风险。

?18A大电流承载,导通损耗降低40%?
其连续漏极电流(ID)可达18A,脉冲电流能力更强,搭配仅0.18Ω的超低导通电阻(RDS(on)),显著减少功率损耗。实测数据显示,在10A工作电流下,18N45的导通损耗比同类产品降低40%,有效缓解散热压力。

?纳秒级开关速度,赋能高频高效系统?
快速切换特性(开关时间仅数十纳秒)使其适用于高频开关电源、PWM电机驱动等场景,助力LLC谐振拓扑、同步整流等先进电路设计,轻松实现90%以上的能效转化。?

?工业电源与UPS系统?
在服务器电源、通信基站等场景中,18N45可替代传统IGBT,以更小的体积和更低的驱动功耗实现千瓦级功率输出,同时减少散热模块的投入成本。

?新能源与储能设备?
作为光伏逆变器DC-AC转换的核心开关器件,其高耐压特性可兼容多组光伏板串联的高压输入;在储能BMS中,则能精准控制电池充放电回路。

?智能家电与电机驱动?
从变频空调压缩机驱动到吸尘器无刷电机控制,18N45的高频性能可降低电机噪音,配合智能算法实现精准调速与节能运行。

?LED照明与快充设备?
100W以上大功率LED驱动电源和氮化镓快充方案中,其低损耗特性可减少发热,延长光源和元器件寿命,助力产品小型化设计


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