ASE50N30-ASEMI智能家居专用ASE50N30

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ASE50N30-ASEMI智能家居专用ASE50N30

型号：ASE50N30

品牌：ASEMI

封装：TO-247

批号：{BANNED}最佳新

{BANNED}最佳大漏源电流：50A

漏源击穿电压：300V

RDS（ON）Max：68mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

一、硬核参数：重新定义高功率MOS管标准?
作为N沟道增强型MOSFET，50N30专为极端工况下的稳定运行而设计，核心性能全面升级：

?超高电流能力?：连续漏极电流（ID）?50A?，脉冲电流可达?200A?，轻松应对电机启动、电源浪涌等瞬时过载；

?耐压与可靠性?：漏源电压（VDS）30V，结合先进雪崩耐量设计，保障工业级设备在电压波动下的安全运行；

?能效革命性突破?：导通电阻（RDS(on)）低至?<6mΩ?（@VGS=10V），较同类产品降低20%以上，显著减少热损耗，提升系统整体效率。

?二、五大核心技术，解锁极致性能?

?沟槽工艺升级：更低阻抗，更高电流?
采用第四代沟槽栅极技术，优化载流子迁移路径，在同等封装尺寸下实现50A电流承载，为高密度电源设计提供可能。

?智能热管理：封装与散热的双重革新?
TO-247 Plus或D2PAK封装搭配铜夹键合技术，热阻（RθJA）降低至?0.5℃/W?，支持无散热片下的长时间满载运行，适用于空间受限的便携设备。

?超快动态响应：MHz级开关频率?
栅极电荷（Qg）仅?80nC?，反向恢复时间（trr）＜?100ns?，完美适配高频LLC谐振拓扑、无线充电等前沿应用，减少开关损耗高达30%。

?工业级鲁棒性：无惧极端环境挑战?
通过AEC-Q101车规认证及100% UIS（雪崩能量）测试，工作温度范围覆盖?-55℃~175℃?，适用于户外能源设备、车载电子等恶劣环境。

?环保与寿命保障：符合绿色能源趋势?
支持无铅焊接与RoHS标准，MTBF（平均无故障时间）超?10万小时?，契合碳中和背景下的可持续设计需求。

?三、全场景覆盖：从工业到消费电子的性能引擎?

?工业自动化?：伺服驱动器、PLC控制模块的功率开关核心；

?新能源系统?：光伏MPPT控制器、储能PCS逆变器的关键组件；

?电动交通?：电动两轮车、AGV小车电机控制的理想选择；

?智能家居?：超薄TV电源、高端家电变频电路的“隐形心脏”；

?数据中心?：48V服务器电源、GPU供电模组的高效解决方案；

?快充革命?：100W+氮化镓快充的同步整流MOS管升级之选。

?四、设计实战指南：释放50N30的极限潜力?

?驱动优化?：推荐栅极驱动电压?10-15V?，搭配低阻抗驱动电路以降低开关振铃；

?热设计策略?：多并联应用时采用对称布局+均流设计，避免局部过热；

?EMI抑制?：在漏极串联RC吸收电路，平衡高频应用下的电磁干扰；

?成本与性能平衡?：利用其低RDS(on)特性，可减少并联器件数量，降低BOM成本。