分类： 大数据
2025-03-13 14:12:26
编辑：ll
ASE50N20-ASEMI无线充电专用ASE50N20
型号：ASE50N20
品牌：ASEMI
封装：TO-263
批号：{BANNED}最佳新
{BANNED}最佳大漏源电流：50A
漏源击穿电压：200V
RDS（ON）Max：51mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
ASE50N20 MOS场效应管采用?N沟道设计?，具备?200V漏源击穿电压?和?50A连续漏极电流?，可满足高功率场景下的稳定运行需求?。其导通电阻（RDS(ON)）低至?46mΩ@10V?，显著
低导通损耗，提升系统能效?。器件支持?TO-263?和?TO-3P?封装形式，适配主流工业电路设
产品优势与设计亮点
?高效能转换?：低导通电阻与快速开关特性（上升时间30ns，下降时间25ns）优化高频电路性能，减少能量损耗?。
?高可靠性?：支持?1200mJ雪崩耐量?和?-55~150℃宽温工作范围?，适应严苛工业环境?。
?兼容性强?：可代换同类MOS管（如CS50N20、KNH9120A），简化供应链管理?。
典型应用场景
?工业电力系统?：用于大功率逆变器、电机驱动和储能电源，支持高电流稳定输出?。
?新能源设备?：适配太阳能光伏逆变器、新能源汽车充电模块，助力绿色能源转换?。
?消费电子?：应用于无线充电器、拉杆音箱等产品，提升能效与响应速度?
凭借?低损耗、高耐压、强兼容性?等优势，ASE50N20 MOS场效应管持续为工业自动化、新能源及消费电子领域提供高效、稳定的功率管理支持?。
