分类: 大数据
2025-03-12 14:37:38
编辑:LL
型号:ASE18N20
品牌:ASEMI
封装:TO-252
{BANNED}最佳大漏源电流:18A
漏源击穿电压:200V
批号:{BANNED}最佳新
RDS(ON)Max:190mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
封装尺寸:如图
特性:MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
?高耐压与大电流承载能力?
ASE18N20的命名直接体现了其核心参数:?200V的漏源击穿电压(VDS)?和?18A的连续漏极电流(ID)?。这意味着它能够轻松应对工业设备、电动车电机控制器等高功率场景中的电压波动与电流冲击,确保系统稳定运行。
?超低导通电阻(RDS(on))?
导通电阻低至?20mΩ(典型值)?,显著降低了导通损耗。在频繁开关的应用中(如开关电源),这一特性可减少发热、提升能效,帮助设备实现更长的使用寿命。
?快速开关与抗雪崩能力?
优化的栅极电荷(Qg)设计让ASE18N20具备?纳秒级开关速度?,同时支持?雪崩能量耐受?,在突发高压或电流浪涌时仍能保持稳定,为系统安全保驾护航。
?二、ASE18N20 MOS管的“用武之地”?
?“高效能与高可靠性”?的组合,使ASE18N20 MOS管成为多领域应用的理想选择:
?新能源汽车与电动工具?
在电动车电机驱动、电池管理系统(BMS)中,ASE18N20能够高效控制大电流输出,同时耐受高温与震动环境,保障动力系统的稳定性。
?工业自动化设备?
伺服驱动器、变频器等高精度设备需要快速响应与低损耗的功率开关,ASE18N20的快速开关特性可显著提升设备能效比。
?消费电子与快充技术?
适配于手机快充、笔记本电脑电源模块等场景,其低导通电阻可减少能量浪费,助力实现“小体积、高功率”的充电方案。
?可再生能源系统?
在太阳能逆变器、风力发电控制器中,ASE18N20的高耐压特性可应对复杂电网环境,提升能源转换效率。
?选择ASE18N20 MOS管,不仅是选择了一颗高性能的电子开关,更是选择了对可靠性与可持续未来的承诺。? 让每一瓦电力都被高效利用,让每一次技术突破都有坚实支撑——这正是ASE18N20 MOS管赋予现代电力电子的核心价值。
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