ASE150N10-ASEMI中低压MOS管ASE150N10

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强劲功率处理，驱动无限潜能

ASE150N10 {BANNED}最佳为亮眼之处在于它出色的电流承载能力。高达 150A 的连续漏极电流，如同一条奔腾不息的电子洪流，能够轻松应对各类大功率需求场景。想象一下，在电动汽车的动力控制系统里，它稳稳地调控着电机的电能输入，确保车辆在加速、爬坡时都能获得强劲且稳定的动力，丝毫不会因电流过载而 “气喘吁吁”；工业级的电焊机中，ASE150N10 负责精准控制大电流的通断，让焊点牢固可靠，每一次电流脉冲的输出都饱含力量，完美融合金属板材。这种强大的功率驱动能力，使得复杂的高耗能设备得以高效运转，为现代工业与科技应用注入源源不断的动力。

ASE150N10-ASEMI中低压MOS管ASE150N10

型号：ASE150N10

品牌：ASEMI

封装：TO-263

批号：{BANNED}最佳新

{BANNED}最佳大漏源电流：150A

漏源击穿电压：100V

RDS（ON）Max：3.7mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

应用领域

小家电

电机控制

高速吹风筒

豆浆机

电机设备

低导通电阻，节能增效典范

导通电阻是衡量场效应管性能优劣的关键指标之一，而 ASE150N10 在这方面表现卓越，拥有极低的导通电阻值。当电流流经它时，产生的能量损耗微乎其微，就像为电路开辟了一条几乎无阻碍的 “绿色通道”。在电源转换电路中，比如电脑的开关电源，低导通电阻意味着更少的电能转化为热能散失，电源转换效率大幅提升，不仅降低了设备运行时的能耗，减少电费支出，还能有效缓解散热压力，延长内部元件寿命。对于那些对功耗敏感、需长时间持续运行的设备，如 5G 基站中的射频功率放大器，ASE150N10 凭借这一特性成为不二之选，保障信号稳定传输的同时，将每一度电都用在 “刀刃” 上。

高速开关特性，快如闪电响应

当今电子世界追求速度至上，ASE150N10 场效应管凭借其纳秒级的开关速度脱颖而出。在高频数字电路领域，像是先进的通信基站调制解调器、高速数据处理中心的服务器主板，它能在瞬间完成导通与截止状态切换，精准跟随高频时钟信号节奏起舞。快速的开关动作确保信号传输的及时性与准确性，避免信号失真，让数据如闪电般穿梭于芯片之间，实现设备超流畅运行。对于音频功率放大器而言，高速开关则意味着能够细腻还原音乐中的每一个微妙音符，高音清脆、低音醇厚，为听众带来沉浸式的听觉盛宴，将电子设备的响应速度推向新高度。