ASE80N10-ASEMI中低压MOS管ASE80N10

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解锁电子潜能：探秘 ASE80N10 场效应管的卓越力量

在电子元件的浩瀚星空中，ASE80N10 场效应管宛如一颗闪耀的巨星，正以其超凡性能重塑着无数电路设计的格局，为科技产品注入澎湃动力，开启智能生活新篇章。

ASE80N10-ASEMI中低压MOS管ASE80N10

型号：ASE80N10

品牌：ASEMI

封装：TO-252

{BANNED}最佳大漏源电流：80A

漏源击穿电压：100V

批号：{BANNED}最佳新

RDS（ON）Max：9.5mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

封装尺寸：如图

特性：MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

强劲动力核心，效能一骑绝尘

ASE80N10 场效应管{BANNED}最佳为人称道的便是它强大的电流承载能力。高达 80A 的连续漏极电流，如同电子洪流的高速公路，确保在大功率应用场景下电流畅行无阻。无论是工业级电机驱动系统，掌控重型机械精准运转；还是高端汽车电子的动力传输单元，助力引擎高效释放能量，它都能稳如泰山，杜绝因电流过载引发的性能瓶颈，让设备时刻火力全开。

而 100V 的耐压值，则为电路构筑起坚固的防护壁垒。面对复杂多变的电压波动，在电动汽车充电桩复杂的电网环境、或是太阳能逆变系统应对日照强度突变带来的电压冲击时，ASE80N10 场效应管凭借出色耐压特性，捍卫电路安全，将不稳定因素拒之门外，保障设备稳定运行，降低维护成本，延长使用寿命。

节能先锋，绿色科技践行者

在这个倡导节能减排的时代，ASE80N10 场效应管凭借其低导通电阻脱颖而出。极小的导通电阻意味着电能在传输过程中损耗大幅降低，发热现象得到有效控制。以数据中心服务器电源为例，成千上万的芯片日夜运行，散热曾是巨大难题。采用 ASE80N10 场效应管后，电源转换效率显著提升，能耗降低，不仅削减运营成本，还为数据中心的可持续发展立下汗马功劳，让海量数据的处理更环保、更高效。

从智能家居的节能灯具到工业自动化的智能生产线，ASE80N10 场效应管以低功耗赋能各类设备，减少能源浪费，契合全球绿色发展浪潮，悄然改变着我们的用电方式，让每一度电都发挥极致价值。