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分类: 大数据

2023-06-03 11:08:28

编辑:ll

IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOSIMBF170R1K0M1

型号:IMBF170R1K0M1

品牌:英飞凌

封装:TO-263

{BANNED}最佳大漏源电流:31A

漏源击穿电压:600V

RDSONMax99mΩ

引脚数量:3

特点

革命性的半导体材料-碳化硅

针对飞回拓扑进行了优化

12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容

非常低的开关损耗

基准栅极阈值电压,VGSth=4.5V

用于EMI优化的完全可控dV/dt

沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55~150

备受欢迎的IMBF170R1K0M1 MOS

  ASEMI代理英飞凌品牌IMBF170R1K0M1是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了IMBF170R1K0M1的{BANNED}最佳大漏源电流31A,漏源击穿电压600V.

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