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分类: 大数据

2023-03-06 11:12:42

编辑:ll

AO3400-ASEMI中低压N沟道MOSAO3400

型号:AO3400

品牌:ASEMI

封装:SOT-23

{BANNED}最佳大漏源电流:5.8A

漏源击穿电压:30V

RDSONMax0.033Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS管、N沟道MOS

工作结温-55℃~150

AO3400场效应管

AO3400的电性参数:{BANNED}最佳大漏源电流5.8A;漏源击穿电压30V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=30V,Id=5.8A

RDS(开):0.033m? ({BANNED}最佳大值)@VG=10V


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