ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管

编辑：ll

ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管

型号：LSIC1MO120E0080

品牌：LITTELFUSE/力特

封装：TO-247

{BANNED}最佳大漏源电流：25A

漏源击穿电压：1200V

RDS（ON）Max：0.135Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

特性：车规级MOS管

恢复时间：25ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管

工作结温：-40℃~150℃

LITTELFUSE/力特车规级场效应管

LITTELFUSE/力特的电性参数：{BANNED}最佳大漏源电流25A；漏源击穿电压1200V

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。