AIGW40N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

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AIGW40N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

型号：AIGW40N65H5

品牌：ASEMI

封装：TO-247

{BANNED}最佳大漏源电流：40A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：0.24Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

特性：车规级MOS管

恢复时间：25ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管

工作结温：-40℃~175℃

AIGW40N65H5车规级场效应管

AIGW40N65H5的电性参数：{BANNED}最佳大漏源电流40A；漏源击穿电压650V

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。