分类： 云计算
2022-06-24 10:39:02
编辑：ll
100N10-ASEMI中低压MOS管100N10
型号：100N10
品牌：ASEMI
封装：TO-220AB
最大漏源电流：100A
漏源击穿电压：100V
RDS（ON）Max：0.24Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管
工作结温：-55℃~150℃
100N10场效应管
100N10的电性参数：最大漏源电流100A；漏源击穿电压100V
