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2018年(27)

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分类: 嵌入式

2018-08-24 16:15:54

本章参考资料:《STM32F76xxx参考手册2》、《STM32F7xx规格书》、库帮助文档《STM32F779xx_User_Manual.chm》。

关于SDRAM存储器,请参考前面的“常用存储器介绍”章节,实验中SDRAM芯片的具体参数,请参考其规格书《W9825G6KH》来了解。

26.1  SDRAM控制原理

STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAMFLASH作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存和程序空间不足时,就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。

STM32F767系列芯片扩展内存时可以选择SRAMSDRAM,由于SDRAM的“容量/价格”比较高,即使用SDRAM要比SRAM要划算得多。我们以SDRAM为例讲解如何为STM32扩展内存。

STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的,只是PC上一般以内存条的形式扩展,内存条实质是由多个内存颗粒(SDRAM芯片)组成的通用标准模块,而STM32直接与SDRAM芯片连接。见 26-2,这是一种型号为W9825G6KHSDRAM芯片内部结构框图,以它为模型进行学习。

 

26-1 SDRAM芯片外观

 

26-2 一种SDRAM芯片的内部结构框图

1.1.1  SDRAM信号线

262虚线框外引出的是SDRAM芯片的控制引脚,其说明见 26-1。

26-1 SDRAM控制引脚说明

信号线

类型

说明

CLK

I

同步时钟信号,所有输入信号都在CLK为上升沿的时候被采集

CKE

I

时钟使能信号,禁止时钟信号时SDRAM会启动自刷新操作

CS#

I

片选信号,低电平有效

CAS#

I

列地址选通,为低电平时地址线表示的是列地址

RAS#

I

行地址选通,为低电平时地址线表示的是行地址

WE#

I

写入使能,低电平有效

DQM[0:1]

I

数据输入/输出掩码信号,表示DQ信号线的有效部分

BA[0:1]

I

Bank地址输入,选择要控制的Bank

A[0:12]

I

地址输入

DQ[0:15]

I/O

数据输入输出信号

除了时钟、地址和数据线,控制SDRAM还需要很多信号配合,它们具体作用在描述时序图时进行讲解。

26.1.2  控制逻辑

SDRAM内部的“控制逻辑”指挥着整个系统的运行,外部可通过CSWECASRAS以及地址线来向控制逻辑输入命令,命令经过“命令器译码器”译码,并将控制参数保存到“模式寄存器中”,控制逻辑依此运行。

26.1.3  地址控制

SDRAM包含有“A”以及“BA”两类地址线,A类地址线是行(Row)与列(Column)共用的地址总线,BA地址线是独立的用于指定SDRAM内部存储阵列号(Bank)。在命令模式下,A类地址线还用于某些命令输入参数。

26.1.4  SDRAM的存储阵列

要了解SDRAM的储存单元寻址以及“A”、“BA”线的具体运用,需要先熟悉它内部存储阵列的结构,见 26-3。

 

26-3 SDRAM存储阵列模型

SDRAM内部包含的存储阵列,可以把它理解成一张表格,数据就填在这张表格上。和表格查找一样,指定一个行地址和列地址,就可以精确地找到目标单元格,这是SDRAM芯片寻址的基本原理。这样的每个单元格被称为存储单元,而这样的表则被称为存储阵列(Bank),目前设计的SDRAM芯片基本上内部都包含有4个这样的Bank,寻址时指定Bank号以及行地址,然后再指定列地址即可寻找到目标存储单元。SDRAM内部具有多个Bank时的结构见 26-4。

 

26-4 SDRAM内有多个Bank时的结构图

SDRAM芯片向外部提供有独立的BA类地址线用于Bank寻址,而行与列则共用A类地址线。

262标号?中表示的就是它内部的存储阵列结构,通讯时当RAS线为低电平,则“行地址选通器”被选通,地址线A[12:0]表示的地址会被输入到“行地址译码及锁存器”中,作为存储阵列中选定的行地址,同时地址线BA[1:0]表示的Bank也被锁存,选中了要操作的Bank号;接着控制CAS线为低电平,“列地址选通器”被选通,地址线A[11:0]表示的地址会被锁存到“列地址译码器”中作为列地址,完成寻址过程。

26.1.5  数据输入输出

若是写SDRAM内容,寻址完成后,DQ[15:0]线表示的数据经过 262标号…中的输入数据寄存器,然后传输到存储器阵列中,数据被保存;数据输出过程相反。

本型号的SDRAM存储阵列的“数据宽度”是16(即数据线的数量),在与SDRAM进行数据通讯时,16位的数据是同步传输的,但实际应用中我们可能会以8位、16位的宽度存取数据,也就是说16位的数据线并不是所有时候都同时使用的,而且在传输低宽度数据的时候,我们不希望其它数据线表示的数据被录入。如传输8位数据的时候,我们只需要DQ[7:0]表示的数据,而DQ[15:8]数据线表示的数据必须忽略,否则会修改非目标存储空间的内容。所以数据输入输出时,还会使用DQM[1:0]线来配合,每根DQM线对应8位数据,如“DQM0(LDQM)”为低电平,“DQM1(HDQM)”为高电平时,数据线DQ[7:0]表示的数据有效,而DQ[15:8]表示的数据无效。

26.1.6  SDRAM的命令

控制SDRAM需要用到一系列的命令,见 26-2。各种信号线状态组合产生不同的控制命令。

26-2 SDRAM命令表

 

表中的H表示高电平,L表示低电平,X表示任意电平,High-Z表示高阻态。

1. 命令禁止

只要CS引脚为高电平,即表示“命令禁止”(COMMAND INHBIT),它用于禁止SDRAM执行新的命令,但它不能停止当前正在执行的命令。

2. 空操作

“空操作”(NO OPERATION),“命令禁止”的反操作,用于选中SDRAM,以便接下来发送命令。

3. 行有效

进行存储单元寻址时,需要先选中要访问的Bank和行,使它处于激活状态。该操作通过“行有效”(ACTIVE)命令实现,见 26-5,发送行有效命令时,RAS线为低电平,同时通过BA线以及A线发送Bank地址和行地址。

 

26-5 行有效命令时序图

4. 列读写

行地址通过“行有效”命令确定后,就要对列地址进行寻址了。“读命令”(READ)和“写命令”(WRITE)的时序很相似,见 266,通过共用的地址线A发送列地址,同时使用WE引脚表示读/写方向,WE为低电平时表示写,高电平时表示读。数据读写时,使用DQM线表示有效的DQ数据线。

 

26-6 读取命令时序

本型号的SDRAM芯片表示列地址时仅使用A[8:0]线,而A10线用于控制是否“自动预充电”,该线为高电平时使能,低电平时关闭。

5. 预充电

 SDRAM 的寻址具有独占性,所以在进行完读写操作后,如果要对同一个Bank 的另一行进行寻址,就要将原来有效(ACTIVE)的行关闭,重新发送行/列地址。Bank 关闭当前工作行,准备打开新行的操作就是预充电(Precharge)。

预充电可以通过独立的命令控制,也可以在每次发送读写命令的同时使用A10”线控制自动进行预充电。实际上,预充电是一种对工作行中所有存储阵列进行数据重写,并对行地址进行复位,以准备新行的工作。

独立的预充电命令时序见 26-7。该命令配合使用A10线控制,若A10为高电平时,所有Bank都预充电;A10为低电平时,使用BA线选择要预充电的Bank

 

26-7 PRECHARGE命令时序

6. 刷新

SDRAM要不断进行刷新(Refresh)才能保留住数据,因此它是 DRAM 最重要的操作。刷新操作与预充电中重写的操作本质是一样的。

但因为预充电是对一个或所有Bank 中的工作行操作,并且不定期,而刷新则是有固定的周期,依次对所有行进行操作,以保证那些久久没被访问的存储单元数据正确。

刷新操作分为两种:“自动刷新”(Auto Refresh)与“自我刷新”(Self Refresh),发送命令后CKE时钟为有效时(低电平),使用自动刷新操作,否则使用自我刷新操作。不论是何种刷新方式,都不需要外部提供行地址信息,因为这是一个内部的自动操作。

对于“自动刷新”, SDRAM 内部有一个行地址生成器(也称刷新计数器)用来自动地依次生成行地址,每收到一次命令刷新一行。在刷新过程中,所有Bank都停止工作,而每次刷新所占用的时间为N个时钟周期(SDRAM型号而定,通常为N=9),刷新结束之后才可进入正常的工作状态,也就是说在这N个时钟期间内,所有工作指令只能等待而无法执行。一次次地按行刷新,刷新完所有行后,将再次对第一行重新进行刷新操作,这个对同一行刷新操作的时间间隔,称为SDRAM的刷新周期,通常为64ms。显然刷新会对SDRAM的性能造成影响,但这是它的DRAM的特性决定的,也是DRAM相对于SRAM取得成本优势的同时所付出的代价。

 “自我刷新”则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存,也就是说即使外部控制器不工作了,SDRAM都能自己确保数据正常。在发出“自我刷新”命令后,将 CKE 置于无效状态(低电平),就进入自我刷新模式,此时不再依靠外部时钟工作,而是根据SDRAM内部的时钟进行刷新操作。在自我刷新期间除了 CKE 之外的所有外部信号都是无效的,只有重新使 CKE 有效才能退出自我刷新模式并进入正常操作状态。

7. 加载模式寄存器

前面提到SDRAM的控制逻辑是根据它的模式寄存器来管理整个系统的,而这个寄存器的参数就是通过“加载模式寄存器”命令(LOAD MODE REGISTER)来配置的。发送该命令时,使用地址线表示要存入模式寄存器的参数“OP-Code”,各个地址线表示的参数见 26-8。

 

26-8 模式寄存器解析图

模式寄存器的各个参数介绍如下:

Burst Length

Burst Length译为突发长度,下面简称BL。突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度。

上文讲到的读/写操作,都是一次对一个存储单元进行寻址,如果要连续读/写就还要对当前存储单元的下一个单元进行寻址,也就是要不断的发送列地址与读/写命令(行地址不变,所以不用再对行寻址)。虽然由于读/写延迟相同可以让数据的传输在 I/O 端是连续的,但它占用了大量的内存控制资源,在数据进行连续传输时无法输入新的命令,效率很低。

为此,人们开发了突发传输技术,只要指定起始列地址与突发长度,内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。这样,除了第一笔数据的传输需要若干个周期外,其后每个数据只需一个周期的即可获得。其实我们在EERPOMFLASH读写章节讲解的按页写入就是突发写入,而它们的读取过程都是突发性质的。

非突发连续读取模式:不采用突发传输而是依次单独寻址,此时可等效于 BL=1。虽然也可以让数据连续地传输,但每次都要发送列地址与命令信息,控制资源占用极大。突发连续读取模式:只要指定起始列地址与突发长度,寻址与数据的读取自动进行,而只要控制好两段突发读取命令的间隔周期(BL 相同)即可做到连续的突发传输。 而BL 的数值,也是不能随便设或在数据进行传输前临时决定。在初始化SDRAM调用LOAD MODE REGISTER命令时就被固定。BL可用的选项是 1248,常见的设定是 4 8。若传输时实际需要数据长度小于设定的BL值,则调用“突发停止”(BURST TERMINATE)命令结束传输。

BT

模式寄存器中的BT位用于设置突发模式,突发模式分为顺序(Sequential)与间隔(Interleaved)两种。在顺序方式中,操作按地址的顺序连续执行,如果是间隔模式,则操作地址是跳跃的。跳跃访问的方式比较乱,不太符合思维习惯,我们一般用顺序模式。顺序访问模式时按照 “0-1-2-3-4-5-6-7”的地址序列访问。

CASLatency

模式寄存器中的CASLatency是指列地址选通延迟,简称CL。在发出读命令(命令同时包含列地址)后,需要等待几个时钟周期数据线DQ才会输出有效数据,这之间的时钟周期就是指CLCL一般可以设置为23个时钟周期,见 26-9。

 

26-9 CL=2CL=3的说明图

CL只是针对读命令时的数据延时,在写命令是不需要这个延时的,发出写命令时可同时发送要写入的数据。

Op Mode

OP ModeOperating ModeSDRAM的工作模式。当它被配置为“00”的时候表示工作在正常模式,其它值是测试模式或被保留的设定。实际使用时必须配置成正常模式。

WB

WB用于配置写操作的突发特性,可选择使用BL设置的突发长度或非突发模式。

Reserved

模式寄存器的最后三位的被保留,没有设置参数。

1.1.7  SDRAM的初始化流程

最后我们来了解SDRAM的初始化流程。SDRAM并不是上电后立即就可以开始读写数据的,它需要按步骤进行初始化,对存储矩阵进行预充电、刷新并设置模式寄存器,见 26-10。

 

26-10 SDRAM初始化流程

该流程说明如下:

(1) SDRAM上电,并提供稳定的时钟,至少100us

(2) 发送“空操作”(NOP)命令;

(3) 发送“预充电”(PRECHARGE)命令,控制所有Bank进行预充电,并等待tRP时间, tRP表示预充电与其它命令之间的延迟;

(4) 发送至少2个“自动刷新”(AUTO REFRESH)命令,每个命令后需等待tRFC时间,tRFC表示自动刷新时间;

(5) 发送“加载模式寄存器”(LOAD MODE REGISTER)命令,配置SDRAM的工作参数,并等待tMRD时间,tMRD表示加载模式寄存器命令与行有行或刷新命令之间的延迟;

(6) 初始化流程完毕,可以开始读写数据。

其中tRPtRFCtMRD等时间参数跟具体的SDRAM有关,可查阅其数据手册获知,STM32 FMC访问时配置需要这些参数。

26.1.8  SDRAM的读写流程

初始化步骤完成,开始读写数据,其时序流程见 26-11及 26-12。

 

26-11 CL=2时,带AUTO PRECHARGE的读时序

 

26-12 AUTO PRECHARGE 命令的写时序

读时序和写时序的命令过程很类似,下面我们统一解说:

(1) 发送“行有效”(ACTIVE)命令,发送命令的同时包含行地址和Bank地址,然后等待tRCD时间,tRCD表示行有效命令与读/写命令之间的延迟;

(2) 发送“读/写”(READ/WRITE)命令,在发送命令的同时发送列地址,完成寻址的地址输入。对于读命令,根据模式寄存器的CL定义,延迟CL个时钟周期后,SDRAM的数据线DQ才输出有效数据,而写命令是没有CL延迟的,主机在发送写命令的同时就可以把要写入的数据用DQ输入到SDRAM中,这是读命令与写命令的时序最主要的区别。图中的读/写命令都通过地址线A10控制自动预充电,而SDRAM接收到带预充电要求的读/写命令后,并不会立即预充电,而是等待tWR时间才开始,tWR表示写命令与预充电之间的延迟;

(3) 执行“预充电”(auto precharge)命令后,需要等待tRP时间,tRP表示预充电与其它命令之间的延迟;

(4) 图中的标号?处的tRAS,表示自刷新周期,即在前一个“行有效”与 “预充电”命令之间的时间;

(5) 发送第二次“行有效”(ACTIVE)命令准备读写下一个数据,在图中的标号处的tRC,表示两个行有效命令或两个刷新命令之间的延迟。

其中tRCDtWRtRPtRAS以及tRC等时间参数跟具体的SDRAM有关,可查阅其数据手册获知,STM32 FMC访问时配置需要这些参数。

26.2  FMC简介

STM32F767使用FMC外设来管理扩展的存储器,FMCFlexible Memory Controller的缩写,译为可变存储控制器。它可以用于驱动包括SRAMSDRAMNOR FLASH以及NAND FLSAH类型的存储器。在其它系列的STM32控制器中,只有FSMC控制器(Flexible Static Memory Controller),译为可变静态存储控制器,所以它们不能驱动SDRAM这样的动态存储器,因为驱动SDRAM时需要定时刷新,STM32F767FMC外设才支持该功能,且只支持普通的SDRAM,不支持DDR类型的SDRAM。我们只讲述FMCSDRAM控制功能。

26.3  FMC框图剖析

STM32FMC外设内部结构见 26-13。

 

26-13 FMC控制器框图

1. 通讯引脚

在框图的右侧是FMC外设相关的控制引脚,由于控制不同类型存储器的时候会有一些不同的引脚,看起来有非常多,其中地址线FMC_A和数据线FMC_D是所有控制器都共用的。这些FMC引脚具体对应的GPIO端口及引脚号可在《STM32F7xx规格书》中搜索查找到,不在此列出。针对SDRAM控制器,我们是整理出以下的FMCSDRAM引脚对照 26-3。

26-3 FMC中的SDRAM控制信号线

FMC引脚名称

对应SDRAM引脚名

说明

FMC_NBL[3:0]

DQM[3:0]

数据掩码信号

FMC_A[12:0]

A[12:0]

/列地址线

FMC_A[15:14]

BA[1:0]

Bank地址线

FMC_D[31:0]

DQ[31:0]

数据线

FMC_SDCLK

CLK

同步时钟信号

FMC_SDNWE

WE#

写入使能

FMC_SDCKE[1:0]

CKE

SDCKE0SDRAM 存储区域 1 时钟使能

SDCKE1SDRAM 存储区域 2 时钟使能

FMC_SDNE[1:0]

--

SDNE0SDRAM 存储区域 1 芯片使能

SDNE1SDRAM 存储区域 2 芯片使能

FMC_NRAS

RAS#

行地址选通信号

FMC_NCAS

CAS#

列地址选通信号

其中比较特殊的是FMC_A[15:14]引脚用作Bank的寻址线;而FMC_SDCKE线和FMC_SDNE都各有2条,FMC_SDCKE用于控制SDRAM的时钟使能,FMC_SDNE用于控制SDRAM芯片的片选使能。它们用于控制STM32使用不同的存储区域驱动SDRAM,使用编号为0的信号线组会使用STM32的存储器区域1,使用编号为1的信号线组会使用存储器区域2。使用不同存储区域时,STM32访问SDRAM的地址不一样,具体将在“FMC的地址映射”小节讲解。

2. 存储器控制器

上面不同类型的引脚是连接到FMC内部对应的存储控制器中的。NOR/PSRAM/SRAM设备使用相同的控制器,NAND/PC卡设备使用相同的控制器,而SDRAM存储器使用独立的控制器。不同的控制器有专用的寄存器用于配置其工作模式。

控制SDRAM的有FMC_SDCR1/FMC_SDCR2控制寄存器、FMC_SDTR1/FMC_SDTR2时序寄存器、FMC_SDCMR命令模式寄存器以及FMC_SDRTR刷新定时器寄存器。其中控制寄存器及时序寄存器各有2个,分别对应于SDRAM存储区域1和存储区域2的配置。

FMC_SDCR控制寄存器可配置SDCLK的同步时钟频率、突发读使能、写保护、CAS延迟、行列地址位数以及数据总线宽度等。

FMC_SDTR时序寄存器用于配置SDRAM访问时的各种时间延迟,如TRP行预充电延迟、TMRD加载模式寄存器激活延迟等。

FMC_SDCMR命令模式寄存器用于存储要发送到SDRAM模式寄存器的配置,以及要向SDRAM芯片发送的命令。

FMC_SDRTR用于配置SDRAM的自动刷新周期。

3. 时钟控制逻辑

FMC外设挂载在AHB3总线上,时钟信号来自于HCLK(默认216MHz),控制器的时钟输出就是由它分频得到。如SDRAM控制器的FMC_SDCLK引脚输出的时钟,是用于与SDRAM芯片进行同步通讯,它的时钟频率可通过FMC_SDCR1寄存器的SDCLK位配置,可以配置为HCLK1/21/3,也就是说,与SDRAM通讯的同步时钟最高频率为108MHz

26.4  FMC的地址映射

FMC连接好外部的存储器并初始化后,就可以直接通过访问地址来读写数据,这种地址访问与I2C EEPROMSPI FLASH的不一样,后两种方式都需要控制I2CSPI总线给存储器发送地址,然后获取数据;在程序里,这个地址和数据都需要分开使用不同的变量存储,并且访问时还需要使用代码控制发送读写命令。而使用FMC外接存储器时,其存储单元是映射到STM32的内部寻址空间的;在程序里,定义一个指向这些地址的指针,然后就可以通过指针直接修改该存储单元的内容,FMC外设会自动完成数据访问过程,读写命令之类的操作不需要程序控制。FMC的地址映射见 26-14。

 

26-14 FMC的地址映射

图中左侧的是Cortex-M7内核的存储空间分配,右侧是STM32 FMC外设的地址映射。可以看到FMCNOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH以及PC卡的地址都在External RAM地址空间内,而SDRAM的地址是分配到External device区域的。正是因为存在这样的地址映射,使得访问FMC控制的存储器时,就跟访问STM32的片上外设寄存器一样(片上外设的地址映射即图中左侧的“Peripheral”区域)

1. SDRAM的存储区域

FMCSDRAM的存储区域分成了Bank1Bank2两块,这里的BankSDRAM芯片内部的Bank是不一样的概念,只是FMC的地址区域划分而已。每个Bank有不一样的起始地址,且有独立的FMC_SDCR控制寄存器和FMC_SDTR时序寄存器,还有独立的FMC_SDCKE时钟使能信号线和FMC_SDCLK信号线。FMC_SDCKE0FMC_SDCLK0对应的存储区域1的地址范围是0xC000 0000-0xCFFF FFFF,而FMC_SDCKE1FMC_SDCLK1对应的存储区域2的地址范围是0xD000 0000- 0xDFFF FFFF。当程序里控制内核访问这些地址的存储空间时,FMC外设会即会产生对应的时序,对它外接的SDRAM芯片进行读写。

2. External RAM External device的区别

比较遗憾的是FMCSDRAM分配的区域不在External RAM区,这个区域可以直接执行代码,而SDRAM所在的External device区却不支持这个功能。这里说的可直接执行代码的特性就是在“常用存储器”章节介绍的XIP(eXecute In Place)特性,即存储器上若存储了代码,CPU可直接访问代码执行,无需缓存到其它设备上再运行;而且XIP特性还对存储器的种类有要求,SRAM/SDRAMNOR Flash都支持这种特性,而NAND FLASHPC卡是不支持XIP的。结合存储器的特性和STM32 FMC存储器种类的地址分配,就发现它的地址规划不合理了,NAND FLASHPC卡这些不支持XIP的存储器却占据了External RAM的空间,而支持XIPSDRAM存储器的空间却被分配到了Extern device区。为了解决这个问题,通过配置“SYSCFG_MEMRMP”寄存器的“SWP_FMC”寄存器位可用于交换SDRAMNAND/PC卡的地址映射,使得存储在SDRAM中的代码能被执行,只是由于SDRAM的最高同步时钟是108MHz,代码的执行速度会受影响。

本章主要讲解当STM32的片内SRAM不够用时使用SDRAM扩展内存,但假如程序太大,它的程序空间FLASH不够用怎么办呢?首先是裁剪代码,目前STM32F767系列芯片内部FLASH空间最高可达2MB,实际应用中只要我们把代码中的图片、字模等占据大空间的内容放到外部存储器中,纯粹的代码很难达到2MB。如果还不够用,非要扩展程序空间的话,一种方法是使用FMC扩展NOR FLASH,把程序存储到NOR上,程序代码能够直接在NOR FLASH上执行。另一种方法是把程序存储在其它外部存储器,如SD卡,需要时把存储在SD卡上的代码加载到SRAMSDRAM上,再在RAM上执行代码。

如果SDRAM不是用于存储可执行代码,只是用来保存数据的话,在External RAMExteranl device区域都没有区别,不需要与NAND的映射地址交换。

26.5  SDRAM时序结构体

控制FMC使用SDRAM存储器时主要是配置时序寄存器以及控制寄存器,利用ST32中的HAL库的SDRAM时序结构体以及初始化结构体可以很方便地写入参数。

SDRAM时序结构体的成员见代码清单 24-1

代码清单 26-1 SDRAM时序结构体FMC_SDRAM_TimingTypeDef

1 /* @brief  控制SDRAM的时序参数,这些参数的单位都是周期

 2  *         各个参数的值可设置为1-16个周期。           */

 3 typedef struct

 4 {

 5     uint32_t LoadToActiveDelay;    /*TMRD:加载模式寄存器命令后的延迟*/

 6     uint32_t ExitSelfRefreshDelay; /*TXSR:自刷新命令后的延迟 */

 7     uint32_t SelfRefreshTime;       /*TRAS:自刷新时间*/

 8     uint32_t RowCycleDelay;         /*TRC:行循环延迟*/

 9     uint32_t WriteRecoveryTime;    /*TWR:恢复延迟 */

10     uint32_t RPDelay;                /*TRP:行预充电延迟*/

11     uint32_t RCDDelay;               /*TRCD:行到列延迟*/

12 } FMC_SDRAM_TimingTypeDef;

这个结构体成员定义的都是SDRAM发送各种命令后必须的延迟,它的配置对应到FMC_SDTR中的寄存器位。所有成员参数值的单位是周期,参数值大小都可设置成“1-16”。关于这些延时时间的定义可以看“SDRAM初始化流程”和“SDRAM读写流程”小节的时序图了解。具体参数值根据SDRAM芯片的手册说明来配置。各成员介绍如下:

(1) LoadToActiveDelay

本成员设置TMRD延迟(Load Mode Register to Active),即发送加载模式寄存器命令后要等待的时间,过了这段时间才可以发送行有效或刷新命令。

(2) ExitSelfRefreshDelay

本成员设置退出TXSR延迟(Exit Self-refresh delay),即退出自我刷新命令后要等待的时间,过了这段时间才可以发送行有效命令。

(3)  SelfRefreshTime

本成员设置自我刷新时间TRAS,即发送行有效命令后要等待的时间,过了这段时间才执行预充电命令。

(4)  RowCycleDelay

本成员设置TRC延迟(Row cycle delay),即两个行有效命令之间的延迟,以及两个相邻刷新命令之间的延迟

(5)  WriteRecoveryTime

本成员设置TWR延迟(Recovery delay),即写命令和预充电命令之间的延迟,等待这段时间后才开始执行预充电命令。

(6)  RPDelay

本成员设置TRP延迟(Row precharge delay),即预充电命令与其它命令之间的延迟。

(7)  FMC_RCDDelay

本成员设置TRCD延迟(Row to column delay),即行有效命令到列读写命令之间的延迟。

26.6  SDRAM初始化结构体

FMCSDRAM初始化结构体见代码清单 26-2。

代码清单 26-2 SDRAM初始化结构体FMC_SDRAMInitTypeDef

1 /* @brief  FMC SDRAM 初始化结构体类型定义 */

 2 typedef struct

 3 {

 4     uint32_t Bank;                   /*选择FMCSDRAM存储区域*/

 5     uint32_t ColumnBitsNumber;     /*定义SDRAM的列地址 */

 6     uint32_t RowBitsNumber;         /*定义SDRAM的行地址 */

 7     uint32_t MemoryDataWidth;    /*定义SDRAM的数据宽度 */

 8     uint32_t InternalBankNumber;   /*定义SDRAM内部的Bank数目 */

 9     uint32_t CASLatency;             /*定义CASLatency的时钟个数*/

10     uint32_t WriteProtection;       /*定义是否使能写保护模式 */

11     uint32_t SDClockPeriod;         /*配置同步时钟SDCLK的参数*/

12     uint32_t ReadBurst;              /*是否使能突发读模式*/

13     uint32_t ReadPipeDelay;          /*定义在CAS个延迟后再等待多

14                                        少个HCLK时钟才读取数据 */

15 } FMC_SDRAM_InitTypeDef;

这个结构体成员的配置都对应到FMC_SDCR中的寄存器位。各个成员意义在前面的小节已有具体讲解,其可选参数介绍如下,括号中的是STM32 HAL库定义的宏:

(1) Bank

本成员用于选择FMC映射的SDRAM存储区域,可选择存储区域12 (FMC_SDRAM_BANK1/FMC_SDRAM_BANK2)

(2) ColumnBitsNumber

本成员用于设置要控制的SDRAM的列地址宽度,可选择8-11(FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_8/9/10/11b)

(3)  RowBitsNumber

本成员用于设置要控制的SDRAM的行地址宽度,可选择设置成11-13(FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_11/12/13b)

(4) MemoryDataWidth

本成员用于设置要控制的SDRAM的数据宽度,可选择设置成81632(FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_8/16/32b)

(5)  InternalBankNumber

本成员用于设置要控制的SDRAM的内部Bank数目,可选择设置成24Bank数目(FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_2/4),请注意区分这个结构体成员与Bank的区别。

(6)  CASLatency

本成员用于设置CASLatencyCL的时钟数目,可选择设置为123个时钟周期(FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_1/2/3)

(7)  WriteProtection

本成员用于设置是否使能写保护模式,如果使能了写保护则不能向SDRAM写入数据,正常使用都是禁止写保护的。

(8)  ClockPeriod

本成员用于设置FMC与外部SDRAM通讯时的同步时钟参数,可以设置成STM32HCLK时钟频率的1/21/3或禁止输出时钟(FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2/3FMC_SDRAM_CLOCK_DISABLE)

(9)  ReadBurst

本成员用于设置是否使能突发读取模式,禁止时等效于BL=1,使能时BL的值等于模式寄存器中的配置。

(10)  ReadPipeDelay

本成员用于配置在CASLatency个时钟周期后,再等待多少个HCLK时钟周期才进行数据采样,在确保正确的前提下,这个值设置为越短越好,可选择设置的参数值为012HCLK时钟周期(FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0/1/2)

配置完SDRAM初始化结构体后,调用FMC_SDRAMInit函数把这些配置写入到FMCSDRAM控制寄存器及时序寄存器,实现FMC的初始化。

26.7  SDRAM命令结构体

控制SDRAM时需要各种命令,通过向FMC的命令模式寄存器FMC_SDCMR写入控制参数,即可控制FMC对外发送命令,为了方便使用,STM32 HAL库也把它封装成了结构体,见代码清单 26-3。

代码清单 26-3 SDRAM命令结构体

1 typedef struct

 2 {

 3     uint32_t CommandMode;            /*要发送的命令 */

 4     uint32_t CommandTarget;          /*目标存储器区域 */

 5     uint32_t AutoRefreshNumber;      /*若发送的是自动刷新命令,

 6                                         此处为发送的刷新次数,其它命令时无效 */

 7     uint32_t ModeRegisterDefinition; /*若发送的是加载模式寄存器命令,

 8                                          此处为要写入SDRAM模式寄存器的参数 */

9 } FMC_SDRAM_CommandTypeDef;

命令结构体中的各个成员介绍如下:

(1) CommandMode

本成员用于配置将要发送的命令,它可以被赋值为 26-4中的宏,这些宏代表了不同命令;

26-4 FMC可输出的SDRAM控制命令

命令说明

FMC_SDRAM_CMD_NORMAL_MODE

正常模式命令

FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE

使能CLK命令

FMC_SDRAM_CMD_PALL

对所有Bank预充电命令

FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE

自动刷新命令

FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE

加载模式寄存器命令

FMC_SDRAM_CMD_SELFREFRESH_MODE

自我刷新命令

FMC_SDRAM_CMD_POWERDOWN_MODE

掉电命令

(2) CommandTarget

本成员用于选择要控制的FMC存储区域,可选择存储区域1212(FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1/2FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1_2);

(3)  AutoRefreshNumber

有时需要连续发送多个 “自动刷新”(Auto Refresh)命令时,配置本成员即可控制它发送多少次,可输入参数值为1-16,若发送的是其它命令,本参数值无效。如CommandMode成员被配置为宏FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE,而AutoRefreshNumber被设置为2时,FMC就会控制发送2次自动刷新命令。

(4) ModeRegisterDefinition

当向SDRAM发送加载模式寄存器命令时,这个结构体成员的值将通过地址线发送到SDRAM的模式寄存器中,这个成员值长度为13位,各个位一一对应SDRAM的模式寄存器。

配置完这些结构体成员,调用库函数HAL_SDRAM_SendCommand即可把这些参数写入到FMC_SDCMR寄存器中,然后FMC外设就会发送相应的命令了。

26.8  FMC—扩展外部SDRAM实验

本小节以型号为“W9825G6KH”的SDRAM芯片为STM32扩展内存。它的行地址宽度为13位,列地址宽度为9位,内部含有4Bank,数据线宽度为16位,容量大小为32MB

学习本小节内容时,请打开配套的FMC—读写SDRAM”工程配合阅读。本实验仅讲解基本的SDRAM驱动,不涉及内存管理的内容,在本书的《MDK编译过程及文件类型全解》章节将会讲解使用更简单的方法从SDRAM中分配变量,以及使用C语言标准库的malloc函数来分配SDRAM的空间。

26.8.1  硬件设计

 

26-15 SDRAM硬件连接图

SDRAMSTM32相连的引脚非常多,主要是地址线和数据线,这些具有特定FMC功能的GPIO引脚可查询《STM32F7xx规格书》中的说明来了解。

关于该SDRAM芯片的更多信息,请参考其规格书《W9825G6KH》了解。若您使用的实验板FLASH的型号或控制引脚不一样,可在我们工程的基础上修改,程序的控制原理相同。

26.8.2  软件设计

为了使工程更加有条理,我们把SDRAM初始化相关的代码独立分开存储,方便以后移植。在“工程模板”之上新建“bsp_sdram.c”及“bsp_sdram.h”文件,这些文件也可根据您的喜好命名,它们不属于STM32 HAL库的内容,是由我们自己根据应用需要编写的。

1. 编程要点

(1) 初始化通讯使用的目标引脚及端口时钟;

(2) 使能FMC外设的时钟;

(3) 配置FMC SDRAM的时序、工作模式;

(4) 根据SDRAM的初始化流程编写初始化函数;

(5) 建立机制访问外部SDRAM存储器;

(6) 编写测试程序,对读写数据进行校验。

2. 代码分析 FMC硬件相关宏定义

我们把FMC SDRAM硬件相关的配置都以宏的形式定义到 “bsp_sdram.h”文件中,见代码清单 24-4。

代码清单 26-4  SDRAM硬件配置相关的宏(省略了大部分数据线)

1 /*地址信号线*/

 2 #define FMC_A0_GPIO_PORT         GPIOF

 3 #define FMC_A0_GPIO_CLK()        __GPIOF_CLK_ENABLE()

 4 #define FMC_A0_GPIO_PIN          GPIO_PIN_0

 5 /*省略一些引脚*/

 6 #define FMC_A12_GPIO_PORT        GPIOG

 7 #define FMC_A12_GPIO_CLK()       __GPIOG_CLK_ENABLE()

 8 #define FMC_A12_GPIO_PIN         GPIO_PIN_2

 9

10 /*数据信号线*/

11 #define FMC_D0_GPIO_PORT         GPIOD

12 #define FMC_D0_GPIO_CLK()        __GPIOD_CLK_ENABLE()

13 #define FMC_D0_GPIO_PIN          GPIO_PIN_14

14

15 /*省略一些引脚*/

16 #define FMC_D15_GPIO_PORT        GPIOD

17 #define FMC_D15_GPIO_CLK()       __GPIOD_CLK_ENABLE()

18 #define FMC_D15_GPIO_PIN         GPIO_PIN_10

19

20 /*控制信号线*/

21 #define FMC_CS_GPIO_PORT         GPIOH

22 #define FMC_CS_GPIO_CLK()        __GPIOH_CLK_ENABLE()

23 #define FMC_CS_GPIO_PIN          GPIO_PIN_6

24

25 #define FMC_BA0_GPIO_PORT        GPIOG

26 #define FMC_BA0_GPIO_CLK()       __GPIOG_CLK_ENABLE()

27 #define FMC_BA0_GPIO_PIN         GPIO_PIN_4

28

29 #define FMC_BA1_GPIO_PORT        GPIOG

30 #define FMC_BA1_GPIO_CLK()       __GPIOG_CLK_ENABLE()

31 #define FMC_BA1_GPIO_PIN         GPIO_PIN_5

32

33 #define FMC_WE_GPIO_PORT         GPIOC

34 #define FMC_WE_GPIO_CLK()        __GPIOC_CLK_ENABLE()

35 #define FMC_WE_GPIO_PIN          GPIO_PIN_0

36

37 #define FMC_RAS_GPIO_PORT        GPIOF

38 #define FMC_RAS_GPIO_CLK()       __GPIOF_CLK_ENABLE()

39 #define FMC_RAS_GPIO_PIN         GPIO_PIN_11

40

41 #define FMC_CAS_GPIO_PORT        GPIOG

42 #define FMC_CAS_GPIO_CLK()       __GPIOG_CLK_ENABLE()

43 #define FMC_CAS_GPIO_PIN         GPIO_PIN_15

44

45 #define FMC_CLK_GPIO_PORT        GPIOG

46 #define FMC_CLK_GPIO_CLK()       __GPIOG_CLK_ENABLE()

47 #define FMC_CLK_GPIO_PIN         GPIO_PIN_8

48

49 #define FMC_CKE_GPIO_PORT        GPIOH

50 #define FMC_CKE_GPIO_CLK()       __GPIOH_CLK_ENABLE()

51 #define FMC_CKE_GPIO_PIN         GPIO_PIN_7

52

53 /*UDQM LDQM*/

54 #define FMC_UDQM_GPIO_PORT        GPIOE

55 #define FMC_UDQM_GPIO_CLK()       __GPIOE_CLK_ENABLE()

56 #define FMC_UDQM_GPIO_PIN         GPIO_PIN_1

57

58 #define FMC_LDQM_GPIO_PORT        GPIOE

59 #define FMC_LDQM_GPIO_CLK()       __GPIOE_CLK_ENABLE()

60 #define FMC_LDQM_GPIO_PIN         GPIO_PIN_0 

以上代码根据硬件的连接,把与SDRAM通讯使用的引脚号、引脚源以及复用功能映射都以宏封装起来。其中FMC_CKEFMC_CLK引脚对应的是FMC的存储区域2,所以后面我们对SDRAM的寻址空间也是要指向存储区域2的。

初始化FMCGPIO 

利用上面的宏,编写FMCGPIO引脚初始化函数,见代码清单 245。

代码清单 265 FMCGPIO初始化函数(省略了大部分数据线)

      1 /**

 2   * @brief  初始化控制SDRAMIO

 3   * @param  

 4   * @retval

 5   */

 6 static void SDRAM_GPIO_Config(void)

 7 {

 8     GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;

 9

10     /*此处省略大量地址线、数据线以及控制信号线,

11     它们的时钟配置都相同,具体请查看工程中的代码*/

12     /* 使能SDRAM相关的GPIO时钟 */

13     /*地址信号线*/

14     FMC_A0_GPIO_CLK();FMC_A1_GPIO_CLK(); FMC_A2_GPIO_CLK();    

15    /*数据信号线*/  /*控制信号线*/

16     FMC_UDQM_GPIO_CLK();FMC_LDQM_GPIO_CLK();

17

18     /*--所有GPIO的配置都相同,此处省略大量引脚初始化,具体请查看工程中的代码*/

19     /* 通用 GPIO 配置 */

20     GPIO_InitStructure.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;//配置为复用功能

21     GPIO_InitStructure.Pull = GPIO_PULLUP; 

22     GPIO_InitStructure.Speed = GPIO_SPEED_HIGH; 

23     GPIO_InitStructure.Alternate = GPIO_AF12_FMC; 

24

25     /*A行列地址信号线 针对引脚配置*/

26     GPIO_InitStructure.Pin = FMC_A0_GPIO_PIN;

27     HAL_GPIO_Init(FMC_A0_GPIO_PORT, &GPIO_InitStructure);

28     

29     /*...*/

30     /*DQ数据信号线 针对引脚配置*/

31     GPIO_InitStructure.Pin = FMC_D0_GPIO_PIN;

32     HAL_GPIO_Init(FMC_D0_GPIO_PORT, &GPIO_InitStructure);

33     

34     /*...*/

35     /*控制信号线*/

36     GPIO_InitStructure.Pin = FMC_CS_GPIO_PIN;

37     HAL_GPIO_Init(FMC_CS_GPIO_PORT, &GPIO_InitStructure);

38     

39     /*...*/

40 }

与所有使用到GPIO的外设一样,都要先把使用到的GPIO引脚模式初始化,以上代码把FMC SDRAM的所有信号线全都初始化为FMC复用功能,所有引脚配置都是一样的。

配置FMC的模式

接下来需要配置FMC SDRAM的工作模式,这个函数的主体是根据硬件连接的SDRAM特性,对时序结构体以及初始化结构体进行赋值。见错误!未找到引用源。

代码清单 26-6 配置FMC的模式

1 void SDRAM_Init(void)

 2 {

 3

 4     FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming;

 5     /* 配置FMC接口相关的 GPIO*/

 6     SDRAM_GPIO_Config();

 7

 8     /* 使能 FMC 时钟 */

 9     __FMC_CLK_ENABLE();

10

11     /*执行SDRAM1的内存初始化序列 */

12     hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;

13     /* hsdram1结构体初始化*/

14     hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK2;

15     hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;//SDRAM列数

16     hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;//SDRAM行数

17     hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;//总线数据宽度为16

18     hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;//4个扇区

19     hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;//列地址选通信延时

20     hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;//禁止写保护

21     hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;//SDRAM时钟fpclk=108M

22     hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;     //使能突发传输模式

23     hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1; //读通道延时

24     /* SDRAM时序 */

25     SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2;//加载模式寄存器命令与行有效或刷新命令之间的延迟

26     SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 8;//退出自我刷新到行有效命令之间的延迟

27     SdramTiming.SelfRefreshTime = 5;//行有效与预充电命令之间的延迟

28     SdramTiming.RowCycleDelay = 7;//两个刷新命令或两个行有效命令之间的延迟

29     SdramTiming.WriteRecoveryTime = 2;//写入命令到预充电命令之间的延迟

30     SdramTiming.RPDelay = 2;//预充电与行有效命令之间的延迟

31     SdramTiming.RCDDelay = 2;//行有效与列读写命令之间的延迟

32

33     HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming);

34     /* FMC SDRAM 设备时序初始化 */

35     SDRAM_InitSequence();

36

37 } 

这个函数的执行流程如下:

(1) 初始化GPIO引脚以及FMC时钟

函数开头调用了前面定义的SDRAM_GPIO_Config函数对FMC用到的GPIO进行初始化,并且使用库函数__FMC_CLK_ENABLE使能FMC外设的时钟。

(2) 时序结构体赋值

接下来对时序结构体hsdram1和SdramTiming赋值。在前面我们了解到时序结构体各个成员值的单位是同步时钟SDCLK的周期数,而根据我们使用的SDRAM芯片,可查询得它对这些时序要求,见 265。

26-5 SDRAM的延时参数(摘自《W9825G6KH》规格书)

时间参数

说明

最小值

单位

trc

两个刷新命令或两个行有效命令之间的延迟

60

ns

tras

行有效与预充电命令之间的延迟

42

ns

trp

预充电与行有效命令之间的延迟

15

ns

trcd

行有效与列读写命令之间的延迟

15

ns

twr

写入命令到预充电命令之间的延迟

2

cycle

txsr 

退出自我刷新到行有效命令之间的延迟

72

ns

tmrd

加载模式寄存器命令与行有效或刷新命令之间的延迟

2

cycle

部分时间参数以ns为单位,因此我们需要进行单位转换,而以SDCLK时钟周期数(cycle)为单位的时间参数,直接赋值到时序结构体成员里即可。

由于我们配置FMC输出的SDCLK时钟频率为HCLK1/2(在后面的程序里配置的),即FSDCLK=108MHz,可得1SDCLK时钟周期长度为TSDCLK=1/FSDCLK =9.26ns,然后设置各个成员的时候,只要保证时间大于以上SDRAM延时参数表的要求即可。如trc要求大于60ns,而9.26ns x 7=64.82ns,所以FMC_RowCycleDelay(TRC)成员值被设置为7个时钟周期,依葫芦画瓢完成时序参数的设置。

(3) 配置FMC初始化结构体

函数接下来对FMC SDRAM的初始化结构体赋值。包括行列地址线宽度、数据线宽度、SDRAM内部Bank数量以及CL长度,这些都是根据外接的SDRAM的特性设置的,其中CL长度要与后面初始化流程中给SDRAM模式寄存器中的赋值一致。

q 设置存储区域

Bank成员设置FMCSDRAM存储区域映射选择为FMC_SDRAM_BANK2,这是由于我们的SDRAM硬件连接到FMC_CKE1FMC_CLK1,所以对应到存储区域2

q  行地址、列地址、数据线宽度及内部Bank数量

这些结构体成员都是根据SDRAM芯片的特性配置的,行地址宽度为9位,列地址宽度为13位,数据线宽度为16位,SDRAM内部有4Bank

q  CL长度

CL的长度这里被设置为2个同步时钟周期,它需要与后面SDRAM模式寄存器中的配置一样;

q  写保护

WriteProtection用于设置写保护,如果使能了这个功能是无法向SDRAM写入数据的,所以我们关闭这个功能;

q 同步时钟参数

SDClockPeriod成员被设置为FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2 ,所以同步时钟的频率就被设置为HCLK1/2了;

q  突发读模式及读延迟

为了加快读取速度,我们使能突发读功能,且读延迟周期为0

q 时序参数

最后向SdramTiming赋值为前面的时序结构体,包含了我们设定的SDRAM时间参数。

q 赋值完成后调用库函数HAL_SDRAM_Init把初始化结构体配置的各种参数写入到FMC_SDCR控制寄存器及FMC_SDTR时序寄存器中。函数的最后调用SDRAM_InitSequence函数实现执行SDRAM的上电初始化时序。

实现SDRAM的初始化时序

在上面配置完成STM32FMC外设参数后,在读写SDRAM前还需要执行前面介绍的SDRAM上电初始化时序,它就是由SDRAM_InitSequence函数实现的,见代码清单 46-8

代码清单 26-7 SDRAM上电初始化时序

1 static void SDRAM_InitSequence(void)

 2 {

 3     uint32_t tmpr = 0;

 4

 5     /* Step 1 ----------------------------------------------------*/

 6     /* 配置命令:开启提供给SDRAM的时钟 */

 7     Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;

 8     Command.CommandTarget = FMC_COMMAND_TARGET_BANK;

 9     Command.AutoRefreshNumber = 1;

10     Command.ModeRegisterDefinition = 0;

11     /* 发送配置命令 */

12     HAL_SDRAM_SendCommand(&sdramHandle, &Command, SDRAM_TIMEOUT);

13

14     /* Step 2: 延时100us */

15     SDRAM_delay(1);

16

17     /* Step 3 ----------------------------------------------------*/

18     /* 配置命令:对所有的bank预充电 */

19     Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;

20     Command.CommandTarget = FMC_COMMAND_TARGET_BANK;

21     Command.AutoRefreshNumber = 1;

22     Command.ModeRegisterDefinition = 0;

23     /* 发送配置命令 */

24     HAL_SDRAM_SendCommand(&sdramHandle, &Command, SDRAM_TIMEOUT);

25

26     /* Step 4 -----------------------------------------------------*/

27     /* 配置命令:自动刷新 */

28     Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;

29     Command.CommandTarget = FMC_COMMAND_TARGET_BANK;

30     Command.AutoRefreshNumber = 8;

31     Command.ModeRegisterDefinition = 0;

32     /* 发送配置命令 */

33     HAL_SDRAM_SendCommand(&sdramHandle, &Command, SDRAM_TIMEOUT);

34

35     /* Step 5 ------------------------------------------------------*/

36     /* 设置sdram寄存器配置 */

37     tmpr = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |

38            SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL   |

39            SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3           |

40            SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |

41            SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;

42

43     /* 配置命令:设置SDRAM寄存器 */

44     Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;

45     Command.CommandTarget = FMC_COMMAND_TARGET_BANK;

46     Command.AutoRefreshNumber = 1;

47     Command.ModeRegisterDefinition = tmpr;

48     /* 发送配置命令 */

49     HAL_SDRAM_SendCommand(&sdramHandle, &Command, SDRAM_TIMEOUT);

50

51     /* Step 6 -----------------------------------------------------*/

52

53     /* 设置刷新计数器 */

54     /* 刷新周期=64ms/8192=7.8125us */

55     /* COUNT=(7.8125 us x Freq) - 20 */

56     /* 设置自刷新速率 */

57     HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&sdramHandle, 824);

58 }

SDRAM的初始化流程实际上是发送一系列控制命令,利用命令结构体FMC_SDRAM_CommandTypeDef及库函数HAL_SDRAM_SendCommand配合即可发送各种命令。函数中按次序发送了使能CLK命令、预充电命令、2个自动刷新命令以及加载模式寄存器命令。

其中发送加载模式寄存器命令时使用了一些自定义的宏,使用这些宏组合起来然后赋值到命令结构体的FMC_ModeRegisterDefinition成员中,这些宏定义见代码清单 268。

代码清单 268 加载模式寄存器命令相关的宏

1 /**

 2   * @brief  FMC SDRAM 模式配置的寄存器相关定义

 3   */

 4 #define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1             ((uint16_t)0x0000)

 5 #define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_2             ((uint16_t)0x0001)

 6 #define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_4             ((uint16_t)0x0002)

 7 #define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_8             ((uint16_t)0x0004)

 8 #define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL      ((uint16_t)0x0000)

 9 #define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_INTERLEAVED     ((uint16_t)0x0008)

10 #define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_2              ((uint16_t)0x0020)

11 #define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3              ((uint16_t)0x0030)

12 #define SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD    ((uint16_t)0x0000)

13 #define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_PROGRAMMED ((uint16_t)0x0000)

14 #define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE     ((uint16_t)0x0200)

这些宏是根据SDRAM的模式寄存器”的位定义的,例如突发长度、突发模式、CL长度、SDRAM工作模式以及突发写模式,其中的CL长度注意要与前面FMC SDRAN初始化结构体中定义的一致。

设置自动刷新周期

在上面SDRAM_InitSequence函数的最后,我们还调用了库函数FMC_SetRefreshCount设置FMC自动刷新周期,这个函数会向刷新定时寄存器FMC_SDRTR写入计数值,这个计数值每个SDCLK周期自动减1,减至0FMC会自动向SDRAM发出自动刷新命令,控制SDRAM刷新,SDRAM每次收到刷新命令后,刷新一行,对同一行进行刷新操作的时间间隔称为SDRAM的刷新周期。

根据STM32F76xxx参考手册的说明,COUNT值的计算公式如下:

刷新速率 = (COUNT + 1) x SDRAM 频率时钟

COUNT = SDRAM 刷新周期/行数) – 20

而查询我们的SDRAM芯片规格书,可知它的SDRAM刷新周期为64ms,行数为8192,可算出它的SDRAM刷新要求:

TRefresh = 64ms/8192=7.8125us

即每隔7.8125us需要收到一次自动刷新命令。

所以:

COUNTA = TRefresh/TSDCLK=7.8125x108=844

但是根据要求,如果SDRAM在接受读请求后出现内部刷新请求,则必须将刷新速率增加 20 SDRAM 时钟周期以获得重充足的裕量。

最后计算出:COUNT=COUNTA-20=824

以上就是函数FMC_SetRefreshCount参数值的计算过程。

使用指针的方式访问SDRAM存储器

完成初始化SDRAM后,我们就可以利用它存储数据了,由于SDRAM的存储空间是被映射到内核的寻址区域的,我们可以通过映射的地址直接访问SDRAM,访问这些地址时,FMC外设自动读写SDRAM,程序上无需额外操作。

通过地址访问内存,最直接的方式就是使用C语言的指针方式了,见代码清单 269。

代码清单 269 使用指针的方式访问SDRAM

1 /*SDRAM起始地址 存储空间2的起始地址*/

 2 #define SDRAM_BANK_ADDR     ((uint32_t)0xD0000000)

 3 /*SDRAM大小,32M字节*/

 4 #define W9825G6KH_SIZE 0x2000000

 5

 6 uint32_t temp;

 7

 8 /*SDRAM写入8位数据*/

 9 *( uint8_t*) (SDRAM_BANK_ADDR ) = (uint8_t)0xAA;

10 /*SDRAM读取数据*/

11 temp =  *( uint8_t*) (SDRAM_BANK_ADDR );

12

13 /*/16位数据*/

14 *( uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+10 ) = (uint16_t)0xBBBB;

15 temp =  *( uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+10 );

16

17 /*/32位数据*/

18 *( uint32_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+20 ) = (uint32_t)0xCCCCCCCC;

19 temp =  *( uint32_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+20 );

为方便使用,代码中首先定义了宏SDRAM_BANK_ADDR表示SDRAM的起始地址,该地址即FMC映射的存储区域2的首地址;宏W9825G6KH_SIZE表示SDRAM的大小,所以从地址(SDRAM_BANK_ADDR)(SDRAM_BANK_ADDR+ W9825G6KH_SIZE)都表示在SDRAM的存储空间,访问这些地址,直接就能访问SDRAM

配合这些宏,使用指针的强制转换以及取指针操作即可读写SDRAM的数据,使用上跟普通的变量无异。

直接指定变量存储到SDRAM空间

每次存取数据都使用指针来访问太麻烦了,为了简化操作,可以直接指定变量存储到SDRAM空间,见代码清单 2610。

代码清单 2610 直接指定变量地址的方式访问SDRAM

1 /*SDRAM起始地址 存储空间2的起始地址*/

 2 #define SDRAM_BANK_ADDR     ((uint32_t)0xD0000000)

 3 /*绝对定位方式访问SDRAM,这种方式必须定义成全局变量*/

 4 uint8_t testValue __attribute__((at(SDRAM_BANK_ADDR)));

 5 testValue = 0xDD;

这种方式使用关键字“__attribute__((at()))”来指定变量的地址,代码中指定testValue存储到SDRAM的起始地址,从而实现把变量存储到SDRAM上。要注意使用这种方法定义变量时,必须在函数外把它定义成全局变量,才可以存储到指定地址上。

更常见的是利用这种方法定义一个很大的数组,整个数组都指定到SDRAM地址上,然后就像使用malloc函数一样,用户自定义一些内存管理函数,动态地使用SDRAM的内存,我们在使用emWinGUI应用的时候就是这样做的。

在本书的《MDK编译过程及文件类型全解》章节将会讲解使用更简单的方法从SDRAM中分配变量,以及使用C语言标准库的malloc函数来分配SDRAM的空间,更有效地进行内存管理。

3. main函数

最后我们来编写main函数,进行SDRAM芯片读写校验,见错误!未找到引用源。

代码清单 2611 main函数

1 int main(void)

 2 {

 3     /* 系统时钟初始化成216 MHz */

 4     SystemClock_Config();

 5     /* LED 端口初始化 */

 6     LED_GPIO_Config();

 7

 8     /* 初始化串口 */

 9     DEBUG_USART_Config();

10

11     printf("\r\n秉火STM32F67 SDRAM 读写测试例程\r\n");

12

13     /*初始化SDRAM模块*/

14     SDRAM_Init();

15

16     /*蓝灯亮,表示正在读写SDRAM测试*/

17     LED_BLUE;

18

19     /*使能RNG时钟*/

20     __RNG_CLK_ENABLE();

21     /*初始化RNG模块产生随机数*/

22     hrng.Instance = RNG;

23     HAL_RNG_Init(&hrng);

24

25     printf("开始生成10000SDRAM测试随机数\r\n");

26     for (count=0; count<10000; count++)

27

28     {

29         RadomBuffer[count]=HAL_RNG_GetRandomNumber(&hrng);

30

31     }

32     printf("10000SDRAM测试随机数生成完毕\r\n");

33

34     SDRAM_Check();

35

36     while (1);

37

38

39 }

函数中初始化了系统时钟、LED、串口,初始化随机数发生模块,产生10000个随机数用于写入SDRAM,接着调用前面定义好的SDRAM_Init函数初始化FMCSDRAM,然后调用自定义的测试函数SDRAM_Test测试整个SDRAM填满随机数,进行读写校验是否正确,它就是使用指针的方式存取数据并校验而已,此处不展开。

注意对SDRAM存储空间的数据操作都要在SDRAM_Init初始化FMC之后,否则数据是无法正常存储的。

下载验证

USB线连接开发板“USB TO UART”接口跟电脑,在电脑端打开串口调试助手,把编译好的程序下载到开发板。在串口调试助手可看到SDRAM测试的调试信息。


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