DDR2初始化源码分析

Tiny210 U-BOOT(十一)-DDR2初始化源码分析

提问者： wxdwxd     发布时间：2014-07-17     浏览：86     回复：0     悬赏：0.0希赛币

Tiny210 U-BOOT(十一)----DDR2初始化源码分析

　　1.u-boot关于DDR的源码分析在mem_setup.S中，一点一点来，先看第一段

　　/* DMC0 Drive Strength (Setting 2X) */ ldr r0, =ELFIN_GPIO_BASE ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_0DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_1DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_2DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_3DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_4DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_5DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_6DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_7DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x00002AAA str r1, [r0, #MP1_8DRV_SR_OFFSET]

首先在初始化DDR之前，引入一个关于DRAM Drive Strength的概念----DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好。
所以，这里我们需要配置这个Drive Striegth，DDR2内存的所有线都需要配置，这里我们从地址线开始看，我们的内存是挂载在Memory Port1(以下简称MP1)上，所以，先在S5PV210的芯片手册搜索Xm1ADDR。

在P63页，找到MP1的各个pin脚的描述，继续向下搜索。

在P107页，Pin脚复用的描述表里找到他的GPIO口定义

Xm1ADDR[0]~[7]的GPIO的MP1_0[0]~7是复用的，OK，搜索MP1_0。

在P122页最终找到MP1_0DRV，在这个寄存器的描述中，显示这个寄存器就是用来配置我们的内存的Drive Strength的寄存器，搜索MP1_0DRV。

　　

　　找到MP1_0DRV的寄存器的配置表，这里给出的初始值是AAAA，我总共是0-7，8根线，每根线我配的值都是10，也就是2x，符合我们上面介绍DRAM Driver Strength的描述，OK，到这里我们的MP1_0寄存器----Xm1ADDR[0]~[7]的Driver Strength配置完毕。剩下的就按照上面的方法，再把剩下的线全部配好，初始均按芯片手册的参考值配为2x，也就是10。现在再回过头来看上面的初始化代码，清楚多了，整个这么一长串代码，其实只做了一件事，就是给MP1上接的内存的每一根线都配置Driver Strength的值为2x，这里有一个地方，需要注意一下，最后一个MP1_8他的参考配置为0x2AAA。照样的，再配置DM1，把Memory Port2也配置完毕，这里我们没有用到MP2，不配置，应该也没有关系。继续看下一段代码：

　　/* DMC0 initialization at single Type*/ ldr r0, =APB_DMC_0_BASE ldr r1, =0x00101000 @PhyControl0 DLL parameter setting, manual 0x00101000 str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0] ldr r1, =0x00000086 @PhyControl1 DLL parameter setting, LPDDR/LPDDR2 Case str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL1] ldr r1, =0x00101002 @PhyControl0 DLL on str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0] ldr r1, =0x00101003 @PhyControl0 DLL start str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0]

　　根据芯片手册给出的参考步骤，第2步如下：

　　2.依照时钟频率正确配置PhyControl0.ctrl_start_point和PhyControl0.ctrl_inc bit-fields的值。配置的PhyControl0.ctrl_dll_on值为'1'以打开PHY DLL。

　　那开始配置PhyControl0的相关位，P614页找到DRAM的寄存器配置表，找到有关PhyControl0的寄存器为PHYCONTROL0

　　OK，我们需要正确配置PhyControl0寄存器的ctrl_start_point和ctrl_inc这两个位的值，OK，查看寄存器的描述

　　

　　ctrl_start_point和ctrl_inc这两位芯片手册上给的参考值为0x10，先配这两位，则为：

　　ctrl_start_point: 0x10 ---- 10000(二进制)

　　ctrl_inc： 0x10 ---- 10000(二进制)

　　其余的位全部配成0，最终为10000 00010000 00000000 ---- 0x00101000，代码如下：

　　ldr r0, =APB_DMC_0_BASE ldr r1, =0x00101000 @PhyControl0 DLL parameter setting, manual 0x00101000 str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0]

第2步配置完成，接着往下看第3步--3.DQS Cleaning：依照时钟频率和内存的tAC参数正确设置PhyControl1.ctrl_shiftc and PhyControl1.ctrl_offsetc bit-fields位的值。

　　查看PhyControl1的ctrl_shiftc和ctrl_offsetc这两位的描述

我们的内存是DDR2-800，所以ctrl_shiftc配置为0x6 ---- 110，ctrl_offsetc的配置暂时参考三星的裸板参数配置为0，ctrl_ref配置为1000，整理代码如下：

　　ldr r1, =0x00000086 @PhyControl1 DLL parameter setting, LPDDR/LPDDR2 Case str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL1]

按照第2步的要求，打开PLL，将PhyControl0.ctrl_dll_on配置为1

　　ldr r1, =0x00101002 @PhyControl0 DLL on str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0]

继续第4步--4.配置PhyControl0.ctrl_start位的值为'1'

　　ldr r1, =0x00101003 @PhyControl0 DLL start str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0]

后面的步骤，全部是按照三星的芯片手册上的那28步来一步一步的在操作寄存器，没有一步有漏掉，所以，对比着芯片手册上的那28步一行一行的查看代码就OK了。有一点，在配置完16-25步后，到第26步时--配置第26步--26.如果有两组DDR芯片，重复14-25步配置chip1的内存，刚刚配置的是chip0，也就是第一组内存芯片。这里就把第16-25步重新再做一次，初始化chip1就OK了。代码太多，这里就不详细重复了，我这里参考的是三星的裸板的DDR源码。至此，DDR的源码也分析完成，下面，应该可以开始将这些移植进一个新的u-boot中去了。