新微型沟槽技术—FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 IGBT7模块

FS3L200R10W3S7FB11 IGBT7模块基于最新的微型沟槽技术。可降低损耗，提高可控性。

参数：FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）：950 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：70 A
功率 - 最大值：20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.55V @ 15V，25A
电流 - 集电极截止（最大值）：31 ?A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：6.48 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-EASY3B
该芯片专门优化用于工业驱动应用。该模块具有更低静态损耗、更高功率密度和更灵活的开关能力。通过提高该电源模块允许的最高工作温度（高达175°C），可大幅提高功率密度。
特点
LowVCEsat
Trenchstop IGBT7
过载运行温度高达175°C
高功率密度
紧凑型设计
压配触点技术
——应用
辅助逆变器
空调
电机驱动器
伺服驱动器
不间断电源  (UPS)  系统
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