nand flash 基本特性

NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。

NandFlash特性

• 存储位：只能将1写成0，不能将0改成1
• 写入单位为山区，一个山区通常为512字节过着2048字节
• 擦出单位为块，一个块一般为64山区或更高
• 要改写：读出一块到RAM->改写RAM的内容->擦出该块->将RAM内容写入该块；
• 必须进行坏块管理和写平衡管理

坏块管理：一定不能对坏块进行擦除操作，擦除操作失败的块一定要标记为坏块（在附加扇区有信息标识为坏块）

写平衡管理： NandFlash可擦写次数为1W或者10W次，对块的平均擦写，可大大增加NandFlash使用寿命