现在以ARM7TDMI核的总线周期为例,介绍ARM处理器的总线信号和总线时序。
1、A[31:0] (address) : 32位地址总线,地址总线的相关控制信号是ABE, ALE和APE。
2、ABE(address bus enable):当它为低电平时禁止总线驱动,使地址总线进人高阻状态。
3、ALE(address latch enable):当该信号为低电平时,锁存地址总线以及其他信号。这个信号能使处理器向下兼容。对于新设计,如果需要重新定义地址线,则推荐使用APE,并将ALE接高电平。
4、APE ( address pipe line enable): APE为高电平时地址总线、LOCK、MAS[1:0]、nRW、nOPC和nTRANS信号工作在流水线方式;当APE为低电平时,这些信号工作在非流水线方式。
5、MCLK(memory clock input): MCLK是ARM7TDMI的主时钟信号,用于所有存储器访问和处理器操作。它由两个阶段构成,第1阶段是低电平,第2阶段是高电平。
6、nWAIT(not wait):当它为低电平时,处理器将其读写时间延长几个MCLK周期,这对访问低速存储器或外围设备有用。在内部,nWAIT与MCLK进行逻辑“与”,仅在MCLK为低时改变信号值。
7、ECLK(external clock output):在正常操作中,它只是可选用nWAIT延展的MCLK,从内核输出。当内核正在城娜试时,内核强制使用调试时钟(Debug Clock,DCLK)直至调试结束。DCLK由JTAG的时钟信号TCK内部产生。
8、nRESET( not reset):用于从已知的地址启动处理器。该信号为低电平将造成正在执行的指令非正常中止,这个信号保持为低电平的状态必须至少持续2个时钟周期,同时nWAIT保持为高。
9、nMREQ( not memory request):请求存储器访问信号,低电平有效。
10、SEQ(quential address):顺序地址信号,当下一个存储器周期的地址与上一次存储器访问的地址紧密相关时,SEQ为高。与低位地址线配合,它就能指示下一个周期可以使用快速存储器模式(例如DRAM页模式),或用于旁路地址转换系统。
11、nOP以not op-code fetch):它为低电平时表明处理器正在从存储器取指令。
12、D[31:0](data bus):用于处理器与外部存储器之间的数据传送。在读周期,输入数据必须在MCLK的下降沿有效。在写周期,在MCLK的下降沿之前输出数据保持有效。文章由供应商小编原创,转载请注明文章来源出处,谢谢合作!
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