贴片场效应管基本参数

贴片场效应管基本参数

贴片场效应管详细信息

品牌： FAIRCHILD/仙童 

型号： 1N60 

种类： 绝缘栅(MOSFET) 

沟道类型： N沟道 

导电方式： 增强型 

用途： MOS-FBM/全桥组件 

封装外形： SMD(SO)/表面封装 

材料： N-FET硅N沟道 

场效应管的参数    

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： 

1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 

2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 

3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 

4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 

5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 

6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 

7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM

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