分类： 信息化
2013-11-09 18:38:02
高频率和节能是家具使用中首要的成绩。三相无刷电流机因其频率高和分寸小的劣势而被宽泛使用正在家具设施中以及很多其余使用中。于是，因为采纳了电子换向器接替机器换向安装，三相无刷电流机被以为牢靠性更高。
规范的三相功率级(power stage)被用于驱动一度三相无刷电流机。二极管，三极管功率级发生一度磁场，为了使发电机很好地任务，某个磁场必需维持与旋子电场之间的立场濒临90°。六步序列掌握发生6个转子电场向量，该署向量必需正在一度指名的旋子地位下改观。霍尔效应传感器扫描旋子的地位。为了向旋子需要6个步进直流电，功率级应用6个能够按没有同的一定序列切换的功率MOSFET。上面注释一度罕用的切换形式，可需要6个步进直流电。
MOSFET Q1、Q3和Q5高频(HF)切换，Q2、Q4和Q6广播段(LF)切换。当一度广播段MOSFET在于开形态，并且一度高频MOSFET 在于切换形态时，就会发生一度功率级。
方法1) 功率级同声给二个相位供电，而对于其三个相位未供电。假定供电相位为L1、L2，L3未供电。正在这种状况下，MOSFET Q1和Q2在于导通形态，直流电走过Q1、L1、L2和Q4。
方法2）MOSFET Q1关断。由于电感没有能骤然中缀直流电，它会发生额定电压，直到体二极管D2被间接偏偏置，并答应续流直流电流过。续流直流电的门路为D2、L1、L2和Q4。
方法3）Q1翻开，体二极管D2骤然反偏偏置。Q1上总的直流电为供电直流电(方法)与二极管D2上的复原直流电之和。
显现出内中的体-漏二极管。正在方法2，直流电流入到体-漏二极管D2(1)，该二极管被正向偏偏置，多数载流子注入到二极管的区和P区。
当MOSFET Q1导通时，二极管D2被反向偏偏置， N区的多数载流子进入P+体区，反之亦然。这种快捷转移招致少量的直流电走过二极管，从N-epi到P+区，即从漏极到源极。电感L1关于走过Q2和Q1的尖峰直流电体现出高阻抗。Q1体现出额定的直流电尖峰，增多了正在导通时期的电门消耗。4a形容了MOSFET的导经过程。
为好转正在该署特别使用中体二极管的功能，研制人员开收回存正在快捷体二极管复原特点MOSFET。当二极管导通后被反向偏偏置，反向复原峰值直流电Irrm较小。
咱们比照测试了规范的MOSFET和快复原MOSFET。ST推出的STD5NK52ZD(SuperFREDmesh系列)放正在Q2(LF)中，如4b所示。正在Q1 MOSFET(HF)的导通任务时期，电门消耗升高了65%。采纳STD5NK52ZD时频率和热功能失掉很大晋升(正在没有采纳散热器的自正在活动气氛条件下，壳温从60°C升高到50°C)。正在这种拓扑中，MOSFET外部的体二极管用作续流二极管，采纳存正在快捷体二极管复原特点MOSFET更为适合。
SuperFREDmesh技能补偿了现部分FDmesh技能，存正在升高导回电阻，齐纳栅掩护以及无比高的dv/dt功能，并采纳了快捷体-漏复原二极管。N沟道520V、1.22欧姆、4.4A STD5NK52ZD可需要多种封装，囊括TO-220、DPAK、I2PAK和IPAK封装。该机件为工事师设想电门使用需要了更大的灵敏性。其余劣势囊括无比高的dv/dt，通过100%山崩测试，存正在无比低的本征库容、优良的可反复打造性，以及改进的ESD功能。于是，与其余可选模块处理计划相比，运用分立处理计划还能正在PCB上灵敏定位机件，从而完成时间的优化，并失掉无效的热治理，因此这是一种存正在利润效益的处理计划。
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