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2012年(1008)

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2012-08-01 11:29:56

原文地址:三极管的参数 作者:luozhiyong131

9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
详情如下:
90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构:NPN
集电极-发射极电压 30V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.03A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构:PNP
集电极-发射极电压 -30V
集电极-基电压 -40V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构:NPN
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构:NPN
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构:PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.45W
结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 结构:NPN
集电极-发射极电压 20V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.025A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 结构:NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.05A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-基极电压Vcbo:-40V
工作温度:-55℃ to +150℃
和8050(NPN)相对
主要用途:
开关应用
射频放大

三极管8050
8050是常用的NPN小功率三级管,下面是的8050引脚图参数资料。
8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
 

图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列
图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列

 
8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数:
耗散功率0.625W(贴片:0.3W)
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550 参数:
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300
8050SS 8550SS 参数:
耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400
引脚排列有EBC ECB两种
SS8050 SS8550 参数:
耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300
引脚排列多为EBC
UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数:
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档
C:120-200 D:160-300 E:280-400
NEC的8050
最大集电极电流(A):0.5 A;
直流电增益:10 to 60;
功耗:625 mW;
最大集电极-发射极电压(VCEO):25;
频率:150 MHz .
其它的8050
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
值得注意的是,在代换相应的8050或8550三极管时,除了型号匹配,放大倍数也是很重要的参数。

有区别。我把两个管子的主要参数列出来:
8050参数:BVCBO=40伏,BVCEO=25伏,I=1.5安,P=1瓦
8050S参数:BVCBO=25伏,BVCEO=20伏,I=0.7安,P=0.625瓦
管脚都是一样的排列:从左到右依次是EBC.
 
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