三星公司的Nand Flash型号为K9F1G08U0B是128MB大小的储存器,其读写与64MB的K9F1208有一定的区别,在此记录一下,有关Nand Flash原理的分析请看我的另一篇文章。K9F1G08U0B的 1 Block = 64 Page=(128K +4 K) 1 page = (2K + 64)byte。下面是它的组织结构图。
其中在命令上也有区别,主要是读数据的命令上有变化,必须在第一个周期发送完命令0x00H,再发送完地址序列后,再发送一个0x30命令。由于页的大小是2KB的,所以在传送地址序列是,列地址的大小也不一样了,页内地址的话、row地址应该是A11~A26. 第五个周期(也就是第三个row地址周期)只有在NAND Flash大小超过128M的时候才有意义。K9F1G08U0B会自己忽略,也就是说可以去掉!下面的数据手册上的地址周期的描述。
int NF_Write_Page(U32 addr,U8 *buf,U32 size) { /* 函数传送的参数 addr 应该是一个不大于0x07FFFFFF,的值,因为Nand Flash 是128MB的地址范围就是 0-0x07FFFFFF 64MB 0---0x03FFFFFF*/ U32 i,page_num; U32 bak; NF_nFCE_L(); NF_CLEAR_RB(); NF_CMD(0x80); page_num = addr >> 11;//相当于addr / 2408 页大小是2KB NF_ADDR(addr & 0xff); NF_ADDR((addr>>8) & 0x7);//表示从一页中的某个字节开始写的, NF_ADDR(page_num & 0xff); NF_ADDR((page_num >> 8) & 0xff); NF_ADDR((page_num >> 16)& 0xff); //NF_ADDR((addr >> 11) & 0xff); 这里和上面的三行是等价的,也是求page和block地址,只是表示的方法不一样 //NF_ADDR((addr >> 19) & 0xff);
//NF_ADDR((addr >> 27) & 0xff); for(i = 0;i < size;i++) { NF_WRDATA(buf[i]); } NF_CMD(0x10); NF_WAITRB(); NF_CMD(0x70); bak = NF_RDDATA8(); NF_nFCE_H(); if(bak & 0x01) { return 0; Uart_Printf("Write Faile!\r\n"); } else { Uart_Printf("Write successful!\r\n"); return 1; } }
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int Nand_Read_Page(U32 addr,U8 * buf,U32 size) { U8 *ptr16 = (U8 *)buf; U32 i,page_num,bak; NF_nFCE_L(); NF_CLEAR_RB(); NF_CMD(0x00); page_num = addr >> 11 ; NF_ADDR (addr & 0xff); NF_ADDR ((addr >>8)& 0x7 ); NF_ADDR(page_num & 0xff); NF_ADDR ((page_num >>8) & 0xff); NF_ADDR ((page_num >>16) & 0xff); //NF_ADDR((addr >> 11) & 0xff); //NF_ADDR((addr >> 19) & 0xff); //NF_ADDR((addr >> 27) & 0xff);
NF_CMD(0x30);//发送完地址序列后还要发送 命令0x30 NF_DETECT_RB(); for(i=0;i< size;i++) { buf[i] = NF_RDDATA8(); } NF_CMD(0x70); bak = NF_RDDATA8(); NF_nFCE_H(); if(bak & 0x01) { Uart_Printf("Read faile!\r\n"); return 0; } else { Uart_Printf("Read successful\r\n"); return 1; } }
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