NAND flash small block 与 large block 的区别

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NAND flash small block 与 large block 的区别 (2009-3-25 17:36)

根据结构不同，NAND有两类：大页的NAND和小页的NAND。每种NAND的一页中都有数据段和附加段，大页的NAND中数据段=2048B、附加段=64B；小页的NAND中数据段=512B、附加段=16B。

小页的NAND是：One page = 512B + 16B, One block = 32page
大页的NAND是：One page = 2048B + 64B, One block = 64page or 128page

一块中的所有页可以不按顺序烧写。

对于烧写(Program)大页的NAND有这样的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次。

对于烧写(Program)小页的NAND有相似的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过两次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过三次。

需要注意的是，对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。同时必须提醒的是，512bytes理论上被分为1st half 和2sd half，每个half各占256个字节。