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分类: 嵌入式

2011-08-31 10:56:11

半导体二极管

整流管:整流管因为其正向工作电流较大,工艺上多采用面结型结构,结电容大, 因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ .

例:2CZ31 反向工作电压: 50-800V 正向电流:>1A

正向压降:<0.8V 反向电流:<5 UA 瞬时电流:>20A 最高温度:>150C

例:2CZ56 反向工作电压: 100-2000V 正向电流:3A

正向压降:<0.8V 反向电流:<20 UA 瞬时电流:>65A 最高温度:>140C

注:桥式整流器以此此类推。

彩电用高频高压硅整流堆:

例:2DGL20 反向工作电压:>20KV正向电流:>5MA

正向压降:<40V 反向电流:<2 UA 反向恢复时间:<1.2us

检波二极管:

一般检波二极管采用锗材料点接触型结构,要求正向压降小,检波效率高,结电容小,频率特性好,其外形一般采用玻璃封装EA结构。

例:2AP9 反向工作电压:> 10V 正向电流:>8MA

反向峰值击穿电压:>20V 最大整流电流:>5MA

截止频率:〉100MHZ 零偏压电容:《1PF

检波效率:》65% 反向电流:《200 UA

例:2AP30C 反向工作电压: 10V 正向电流:〉2MA

反向峰值击穿电压:〉20V 最大整流电流:〉5MA

截止频率:〉400MHZ

零偏压电容:《0.6PF 反向电流:》50 UA

开关二极管:

二极管从截止到导通称为开通时间,从开通到截止称为反向恢复时间,两者之和称为开关时间。开通时间较短,一般可以忽略,反向恢复时间较长,他反应了二极管的特性好坏,trr定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。

2AK系列为点接触锗金键开关二极管,适于中速开关电路,2CK系列为平面硅二极管,适于高速开关电路。

例:2CK70E(IN4148) 反向工作电压:> 60V 反向击穿电压:>90V正向电流:>10MA 正向压降:<0.8V 零偏压电容:《4PF 反向恢复时间:〈3ns 额定功率:30mw

FR151-158常用于高频整流,升压,有些厂家叫做快速恢复二极管。 反向工作电压:100-1000V正向电流:>1.5A

正向压降:<0.65V反向恢复时间:〈0.7ns 反向电流:5ua

阻尼二极管:

主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用,要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流,且要求正向压降越小越好,因此他是一种特殊的高频高压整流二极管,也可看作是高反压开关二极管的一种。

2CN2最高反向工作电压:400-800V正向电流:>2A

正向压降:<1V反向恢复时间:〈2ns 浪涌电流:50A

最高结温:175C 反向电流:5 ua

FR100-107最高反向工作电压:25-1000V正向电流:>1A

正向压降:<1.3V反向恢复时间:〈0.85ns 浪涌电流:50A

最高结温:175C反向电流:5ua

稳压二极管:

稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿,但反向曲线比普通二极管低的多。其击穿点处,曲线弯折特别尖锐,反向电流剧增, 但电压几乎保持不便,只要在外电路中设置限流措施,使稳压管始终保持在允许功耗内,就不会损坏管子,稳压管的反向击穿是可逆的,而普通二极管的击穿是不可逆的。稳压二极管多采用硅材料制成。

由于稳压二极管的击穿机理上的区别,一般认为稳压管在5V以下属于齐纳击穿,7V以上属于雪崩击穿,5-6V两者兼而有之。小于5伏时,具有负温度系数,大于7伏时,具有正温度系数,在5-6伏时,温度系数则接近0

2CW76功率:<0.25W工作电流:<20ma 结温:<150C

漏电流:0.1u电压:11.5-12.5V 动态电阻18ohm(5ma)

压降:<1V温度系数:9*10-4/C

2DW60功率:<1W工作电流:<6ma 结温:<150C

漏电流:0.5u电压135-155V 动态电阻700ohm(3ma)

压降<1V温度系数:12*10-4/C

瞬变电压抑制二极管:

瞬变电压抑制二极管简称为TVP管(transient-voltage-suppressor)他是在稳压管的工艺基础上发展起来的,主要应用于对电压的快速过压保护,TVP管按照其峰值脉冲功率可以分为四类:500W1000W,1500W,5000W。每类按照其标称电压分为35种,最小击穿电压为8.2V,最大为200V.

TVP管在瞬间高能量冲击时,能以极高的速度从高阻改变为低阻,从而吸收一个极大的电流,将管子的电压钳位在一个预定的数值上,钳位时间仅仅10-12)秒。

例:TVP500-534,峰值功率:500W 击穿电压:8.2-200V 测试电流:1ma 最大钳位电压:12.5-287V最大峰值脉冲电流:40A 反向变位电压:6.63-162.0V 反向电流:200-5ua 温度系数: 0.065-0.108%/C

注:反向变位电压的含义为:TVP管在不击穿的条件下所能承受的最大反向电压,即当TVP管加上该电压后,反向漏电流不大于其允许值。

变容二极管:

变容二极管是利用PN结电容随外加反向偏压变化的特性制成。

在零偏压时,结电容最大, 临近击穿时,结电容最小。 两者之比则为其结电容变化比。从导通曲线可以看出,结电容变化呈现非线性。

变容二极管一般总是接在谐振回路使用,以取代传统的可变电容,因此必须要有足够的Q值,显然,随着频率的升高,Q降低,因此定义为Q=1时为截止频率。使用时必须低于截止频率。

常用变容二极管因其结构的独特性,参数离散性较大, 使用应逐个挑选。

例:2CC120 最高反向工作电压:30V反向电流:0.1ua

给定偏压下的结电容3v,18-20pf   10v,7-8.5pf

电容比>6 击穿电压35v 优值Q>120 串联电阻1.5ohm

电容温度系数<5*10(-4) 最高结温:125C

双基极二极管:

双基极二极管是具有两个基极和一个发射极的三端负阻半导体器件。他只有一个PN结, 所以又称为单结晶体管。双基极二极管主要应用于各种张驰震荡器, 定时电压读出电路,具有频率易调,温度特性好的优点。

分压比:当发射极开路时,基极B1,B2之间相当于一个电阻,其值为RB1,RB2之和,若加一个电压,则俩电阻间相当于一个分压器。

例:BT33A 分压比:0.3-0.55 基极间电阻:3-6kohm

E-B间反向电流:<1ua饱和压降:<5v 峰点电流:<2UA

谷点电流:<1.5UA 谷点电压: <3.5V调制电流:8-40ma

耗屏功率: 400mw 最高结温:150C

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