DDR,DDR2的时序要求一般比较高,所以对于时钟、地址控制线、数据、DQS等的等长要求较高。以下简单说一下DDR,DDR2的等长布线要求:
DDR 时钟(差分):一般要求差分阻抗100欧。 线宽、间距需要根据叠层结构计算出来,与其他走线的间距要满足3w规则;必需精确匹配差分对走线误差,允许在+30mil 以内。
DDR 地址、片选及其他控制线:单端阻抗50欧。应走成菊花链状拓扑,可比ddr clk 线长1000~2500mil,绝对不能短。
DDR 数据线,ddrdqs,ddrdm 线:单端阻抗50欧。最好在同一层布线。数据线与时钟线的线长差控制在50mil 内。其中要特别注意DQS的走线,要满足3W规则。
其中PCB走线阻抗都要根据实际的叠层结构计算。
转自:
http://hi.baidu.com/mass_ping/blog/item/b080d46163e1584eeaf8f8e7.html
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