flash原理

1.正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，

1block = 32page

1page = 512bytes(datafield) + 16bytes(oob 即out   of   band 带外数据.)

对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。同时必须提醒的是，512bytes理论上被分为1st half 和2sd half，每个half各占256个字节。

（1）.Nand Flash的地址寄存器把一个完整的Nand Flash地址分解成Column Address与Page Address.进行寻址。

Column Address: 列地址。Column Address其实就是指定Page上的某个Byte，指定这个Byte其实也就是指定此页的读写起始地址。

Paage Address：页地址。由于页地址总是以512Bytes对齐的，所以它的低9位总是0。

Read1命令

当我们得到一个Nand Flash地址src_addr时可以这样分解出Column Address和Page Address

column_addr=src_addr%512;                 // column address

page_address=(src_addr>>9);                  // page address

能够指定的 Column Address范围为0~255（用于传递Column Address的数据线有8条（I/O0~I/O7，对应A0~A7），

（2）假定，指定读命令从第256个字节处 开始读取此页，把Column Address设置为256，但Column Address最大只能是255，这就造成数据溢出。。。所以必须Data Field分为两个半区，当要读取的起始地址（Column Address）在0~255内时用00h命令，当读取的起始地址是在256~511时，则使用01h命令.假设现在我要指定从第256个byte开 始读取此页，那么我将这样发送命令串

column_addr=256;

NF_CMD=0x01; ß                       从2nd half开始读取

NF_ADDR=column_addr&0xff;            1st Cycle

NF_ADDR=page_address&0xff;             2nd.Cycle

NF_ADDR=(page_address>>8)&0xff;         3rd.Cycle

NF_ADDR=(page_address>>16)&0xff;        4th.Cycle