norflash驱动写法

 

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//***    linux-2.6内核中等待的使用例子 : norflash擦除时等待
static int erase_one_block(struct map_info *map, struct flchip *chip,
             unsigned long addr, unsigned long size)
{
    schedule_timeout(HZ);

    while (flash_is_busy(map, chip->start))
    {
        unsigned long timeout = jiffies + HZ;

        /* OK Still waiting */
        if (time_after(jiffies, timeout))
        {
            // 在规定时间没有等到的出错处理
            chip->state = FL_READY;
            spin_unlock_bh(chip->mutex);
            printk(KERN_WARNING "%s: waiting for erase to complete "
                "timed out.\n", map->name);

            return -EIO;
        }
    }

}


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(1)对norflash的认识：
1.norflash有生产ID(用于区分某个厂商的flash)和设备ID(用于区分一个厂商的某种型号的flash)之分
2.norflash的block分为两类：parameter block 和main block
一般parameter block的总的size为一个main block的size
3.
块：是norflash擦除的单位(有32KB和128KB两种)
分区：属于同一个分区的共享同一个状态寄存器

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//***    norflash操作原理：假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的intel L18F256 32MB norflash(块大小为128KB)
/*
intel E28F128J3A150 16MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为 ：
bf561        <=>    E28F128J3A150

A[23:1]     =>     A[23:1]        //bf561给norflash的地址信号
D[15:0]        =>    D[15:0]        //bf561给norflash的数据信号
/AMS0        =>    /CE        //bf561给norflash的片选信号
/AOE        =>    /OE        //bf561给norflash的读信号
/AWE        =>    /WE        //bf561给norflash的写信号

            /BYTE        //上拉为高
            VPEN        //上拉为高
            /RP        //上拉为高

*/

1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤：
    1)执行相应的命令序列：=>向norflash的基地址发送命
    *(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;
    *(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;
    *(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;
    2)开始读取生产ID:
      (u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);
      3)开始读取设备ID:
      (u16)devID=*(0x0C000000+0x2);


2.以块为单位擦除norflash的步骤：(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)
    1)禁止flash的写保护：     //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
    2)Block unlock
    *((short*)0x0C100000) = 0x0060;             //块对齐地址
    *((short*)0x0C100000) = 0x00D0;             //块对齐地址
    while(!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080));    //块对齐地址
    *((short*)0x0C100000) = 0x00FF;             //设置norflash为read array模式
    3)执行擦除命令序列：=>向要操作的块地址发送命令
    *((short*)0x0C100000) = 0x0020;             //块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD0
    *((short*)0x0C100000) = 0x00D0;             //块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD1
    while (!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080));    //块对齐地址，等待直到擦除结束
    5)设置norflash为read array模式
    *((short*)0x0C100000) = 0x00FF;             //让norflash重新进入read array模式
    6)使能flash的写保护： //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)


3.以块为单位写norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
/*
发送写命令(0xE8)->发送数据->发送确认写命令(0xD0)->确认状态寄存器命令(0x70)->清掉状态寄存器命令(0x50)
块对齐         字对齐 块对齐         字对齐             字对齐
*/
    1)禁止flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
    2)发送写命令：            //块对齐地址
    *((short*)0x0C100000)=0x00E8;    //块对齐地址，program setup command
    while(!(*0x0C100000 & 0x0080)); //块对齐地址
    3)开始发送要写到flash的数据 =>(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =>每次2个字节，因为数据总线宽度为16位
    (short *)ulData = 0x10010000        =>SDRAM的地址
    (long *)psAddress = 0x0C000000        =>Norflash的地址
    for(i=0; i<15; i++)
     {
         *psAddress = ulData[i];
        psAddress++;
     }
    4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上：
    *((short*)0x0C100000)=0x00D0;    //块对齐地址
    5)读状态寄存器，确保步骤4)已经完成
    *0x0C100000 = 0x0070;          //Check Status Register ,这里是字对齐的地址
    while(!(*0x0C100000 & BIT7));    //字对齐地址
    6)// Check program status.
    if ( *0x0C100000 & 0x0010 )    //字对齐地址
    {
        *0x0C100000 = 0x0050;    //字对齐地址, Clear Status
        *((short*)0x0C100000) = 0x00FF;    //块对齐地址 Put chip back into read array mode.
        return 1;
    }
    7)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)









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//***    norflash操作原理：假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的st stm29w640d 8MB norflash(块大小为64KB，16位宽度)
//=> 注意ST和intel norflash是有区别的 :
// ST的norflash A0可用， 故对16bit的接法为A1接A0,后面引脚类推
//intel的norflash A0不可用，故对16bit的接法为A1接A1,后面引脚类推
//
/*
1).st stm29w640d 8MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为 ：
bf561        <=>    stm29w640d

/ABE3        =>    A0        //注意ABE[3]在这里被当成A1来使用:
A[22:2]     =>     A[21:1]        //bf561给norflash的地址信号
D[15:0]        =>    D[15:0]        //bf561给norflash的数据信号
/AMS0        =>    /CE        //bf561给norflash的片选信号
/AOE        =>    /OE        //bf561给norflash的读信号
/AWE        =>    /WE        //bf561给norflash的写信号

            RDY        //上拉为高
            /BYTE        //上拉为高
            WP_/VPP        //上拉为高
            /RP        //上拉为高
2).注意ABE[3]在这里被当成A1来使用:
The ABE[3] pin of bf561 has two different functions. When the AMC is configured
to do 16-bit data packing via the Asynchronous Memory Global Control
Register,the ABE[3] pin of bf561 functions as the least significant bit of the address bus (ABE[3] = A1).
*/
1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤：
    1)执行相应的命令序列：=>向norflash的基地址发送命
    *(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;
    *(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;
    *(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;

    2)开始读取生产ID:
      (u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);

      3)开始读取设备ID:
      (u16)devID=*(0x0C000000+0x2);

2.以块为单位擦除norflash的步骤：(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)
    1)禁止flash的写保护：    //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
    2)Block unlock          //无
    3)执行擦除命令序列：=>向要操作的块地址发送命令
    *((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
    *((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
    *((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x0080;
    *((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
    *((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
    *((short*)0x0C100000) = 0x0030;             //块对齐地址
    while (!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080));    //块对齐地址，等待直到擦除结束

    5)设置norflash为read array模式
    *((short*)0x0C100000) = 0x00FF;            //让norflash重新进入read array模式
    6)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)

3.以块为单位写norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
/*
*/
    1)禁止flash的写保护：        //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
    2)发送写命令：            //块对齐地址
    *((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
    *((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
    *((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00A0;

    3)开始发送要写到flash的数据 =>(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =>每次2个字节，因为数据总线宽度为16位
    *(volatile U16 *)0x0C100000 = j;

    4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上：

    5)读状态寄存器，确保步骤4)已经完成
    while(!(*0x0C100000 & 0x80));    //字对齐地址

    6)// Check program status.

    7)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)

4.读norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
    1)方法一:
    *((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
    *((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;

    (short)data = *((short *)0x0C100000+);

    2)方法二:直接读
    (short)data = *((short *)0x0C100000+);