1、RAM ---- Random-AccessMemory 随机存取存储器
RAM芯片的存储速度比ROM芯片的速度快,但比Cache的速度慢
静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的;动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。
由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态RAM需要设置刷新电路。
但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低,从而成本也低,适于作大容量存储器。
所以主内存通常采用动态RAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。
2、ROM ---- Read-Only Memory 只读存储器
PROM ---- Programmable ROM,PROM 可编程程序只读内存
双极性熔丝结构, 需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次。
PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0。
EPROM ---- Erasable Programmable Read Only Memory 可抹除可编程只读内存
可利用高电压将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空,并且可重复使用。
通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
EEPROM ---- Electrically Erasable Programmable Read Only Memory 电可抹除可编程只读内存
运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。
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