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2010年(12)

我的朋友

分类: LINUX

2010-05-25 10:52:04

引用 【简介】如何编写linux下nand flash驱动-1

默认分类 2010-05-16 17:03:00 阅读5 评论0 字号:

 

引用

green-waste【简介】如何编写linux下nand flash驱动-1

【简介】如何编写linuxnand flash驱动-1

version: 1.0

date:20090721

Authorcrifan

Mail:green-waste(At)163.com

【编写驱动之前要了解的知识】

1.       硬件特性:

Flash的硬件实现机制】

Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAMDDR SDRAM,还是现在的DDR2DDR3等,都是断电后,数据就没了。

 

Flash的内部存储是MOSFET,里面有个悬浮门(Floating Gate),是真正存储数据的单元。

Flash之前,紫外线可擦除(uv-erasable)EPROM,就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。

【简介】如何编写linux下nand flash驱动-1 - green-waste - 活着,生存,状态,不虚度。。。

1.典型的Flash内存单元的物理结构

数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少,取决于图中的外部门(external gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示,以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。

 

SLCMLC的实现机制】

Nand Flash按照内部存储数据单元的电压的不同层次,也就是单个内存单元中,是存储1位数据,还是多位数据,可以分为SLCMLC

1.       SLCSingle Level Cell:

单个存储单元,只存储一位数据,表示成10.

就是上面介绍的,对于数据的表示,单个存储单元中内部所存储电荷的电压,和某个特定的阈值电压Vth,相比,如果大于此Vth值,就是表示1,反之,小于Vth,就表示0.

对于nand Flash的数据的写入1,就是控制External Gate去充电,使得存储的电荷够多,超过阈值Vth,就表示1了。而对于写入0,就是将其放电,电荷减少到小于Vth,就表示0了。

关于为何Nand Flash不能从0变成1,我的理解是,物理上来说,是可以实现每一位的,从0变成1的,但是实际上,对于实际的物理实现,出于效率的考虑,如果对于,每一个存储单元都能单独控制,即,0变成1就是,对每一个存储单元单独去充电,所需要的硬件实现就很复杂和昂贵,同时,所进行对块擦除的操作,也就无法实现之前的,一闪而过的速度了,也就失去了Flash的众多特性了。

 

2.       MLCMulti Level Cell

SLC相对应,就是单个存储单元,可以存储多个位,比如2位,4位等。其实现机制,说起来比较简单,就是,通过控制内部电荷的多少,分成多个阈值,通过控制里面的电荷多少,而达到我们所需要的存储成不同的数据。比如,假设输入电压是Vin4V(实际没有这样的电压,此处只是为了举例方便),那么,可以设计出22次方=4个阈值, 1/4 Vin1V2/4Vin2V3/4Vin3VVin4V,分别表示2位数据00011011,对于写入数据,就是充电,通过控制内部的电荷的多少,对应表示不同的数据。

对于读取,则是通过对应的内部的电流(与Vth成反比),然后通过一系列解码电路完成读取,解析出所存储的数据。这些具体的物理实现,都是有足够精确的设备和技术,才能实现精确的数据写入和读出的。

单个存储单元可以存储2位数据的,称作22次方=4 Level Cell,而不是2 Level Cell,这点,之前差点搞晕了。。。,同理,对于新出的单个存储单元可以存储4位数据的,称作 24次方=16 Level Cell

 

【关于如何识别SLC还是MLC

Nand Flash设计中,有个命令叫做Read ID,读取ID,意思是读取芯片的ID,就像大家的身份证一样,这里读取的ID中,是读取好几个字节,一般最少是4个,新的芯片,支持5个甚至更多,从这些字节中,可以解析出很多相关的信息,比如此Nand Flash内部是几个芯片(chip)所组成的,每个chip包含了几片(Plane),每一片中的页大小,块大小,等等。在这些信息中,其中有一个,就是识别此flashSLC还是MLC。下面这个就是最常见的Nand Flashdatasheet中所规定的,第3个字节,3rd byte,所表示的信息,其中就有SLC/MLC的识别信息:


 



 

Description

I/O7

I/O6

I/O5 I/O4

I/O3 I/O2

I/O1 I/O0

Internal

Chip Number

1

2

4

8

 

 

 

 

0    0

0    1

1    0

1    1

Cell Type

2 Level Cell

4 Level Cell

8 Level Cell

16 Level Cell

 

 

 

0     0

0     1

1     0

1     1

 

Number of

Simultaneously

Programmed Pages

1

2

4

8

 

 

0     0

0     1

1     0

1     1

 

 

Interleave Program

Between multiple chips

Not Support

Support

 

0

1

 

 

 

Cache Program

Not Support

Support

0

1

 

 

 

 

1.Nand Flash 3ID的含义

 

Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构】

Nand flash的内部组织结构,此处还是用图来解释,比较容易理解:

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2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构

上图是K9K8G08U0Adatasheet中的描述。

简单解释就是:

1.一个nand flash由很多个块(Block)组成,块的大小一般是128KB256KB512KB,此处是128KB

2.每个块里面又包含了很多页(page)。每个页的大小,对于现在常见的nand flash多数是2KB,更新的nand flash4KB,这类的,页大小大于2KBnand flash,被称作big block,对应的发读写命令地址,一共5个周期(cycle),而老的nand flash,页大小是256B512B,这类的nand flash被称作small block,。地址周期只有4个。

而块,也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。

3.每一个页,对应还有一块区域,叫做空闲区域(spare area/冗余区域(redundant area),而Linux系统中,一般叫做OOBOut Of Band),这个区域,是最初基于Nand Flash的硬件特性:数据在读写时候相对容易错误,所以为了保证数据的正确性,必须要有对应的检测和纠错机制,此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECCError Code Correction, 或者 Error Checking and Correcting),所以设计了多余的区域,用于放置数据的校验值。

页是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。

 

Nand Flash数据存储单元的整体架构】

简单说就是,常见的nand flash,内部只有一个chip,每个chip只有一个plane

而有些复杂的,容量更大的nand flash,内部有多个chip,每个chip有多个plane。这类的nand flash,往往也有更加高级的功能,比如下面要介绍的Multi Plane ProgramInterleave Page Program等。

比如,型号为K9K8G08U0A这个芯片(chip),内部有两个K9F4G08U0A,每个K9F4G08U0A包含了2Plane,每个Plane1Gb,所以K9F4G08U0A的大小是1Gb×22Gb256MB,因此,K9K8G08U0A内部有2K9F4G08U0A,即4Plane,总大小是4×256MB1GB

而型号是K9WAG08U1Anand flash,内部包含了2K9K8G08U0A,所以,总容量是K9K8G08U0A的两倍=1GB×22GB,类似地K9NBG08U5A,内部包含了4K9K8G08U0A,总大小就是4×1GB4GB

 

Flash名称的由来】

Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB。。,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory。中文有的翻译为 (快速)闪存。

 

Flash相对于普通设备的特殊性】

1.       上面提到过的,Flash最小操作单位,有些特殊。

一般设备,比如硬盘/内存,读取和写入都是以bit位为单位,读取一个bit的值,将某个值写入对应的地址的位,都是可以按位操作的。

但是Flash由于物理特性,使得内部存储的数据,只能从1变成0,这点,可以从前面的内部实现机制了解到,只是方便统一充电,不方便单独的存储单元去放电,所以才说,只能从1变成0,也就是释放电荷。

所以,总结一下Flash的特殊性如下:

 

 

普通设备(硬盘/内存等)

Flash

读取/写入的叫法

读取/写入

读取/编程(Program)

读取/写入的最小单位

Bit/

Page/

擦除(Erase)操作的最小单位

Bit/

Block/

擦除操作的含义

将数据删除/全部写入0

将整个块都擦除成全是1,也就是里面的数据都是0xFF

对于写操作

直接写即可

在写数据之前,要先擦除,然后再写

2.Flash和普通设备相比所具有的特殊性

注:

之所以将写操作叫做编程,是因为,flash 和之前的EPROMEEPROM继承发展而来,而之前的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),往里面写入数据,就叫做编程Program,之所以这么称呼,是因为其对数据的写入,是需要用电去擦除/写入的,就叫做编程。

对于目前常见的页大小是2K/4KNand Flash,其块的大小有128KB/256KB/512KB等。而对于Nor Flash,常见的块大小有64K/32K等。

③在写数据之前,要先擦除,内部就都变成0xFF了,然后才能写入数据,也就是将对应位由1变成0

 

Nand Flash引脚(Pin)的说明】

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3.Nand Flash引脚功能说明

上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚(Pin)所对应的功能,简单翻译如下:

1.       I/O0 ~ I/O7:用于输入地址/数据/命令,输出数据

2.       CLECommand Latch Enable,命令锁存使能,在输入命令之前,要先在模式寄存器中,设置CLE使能

3.       ALEAddress Latch Enable,地址锁存使能,在输入地址之前,要先在模式寄存器中,设置ALE使能

4.       CE#Chip Enable,芯片使能,在操作Nand Flash之前,要先选中此芯片,才能操作

5.       RE#Read Enable,读使能,在读取数据之前,要先使CE#有效。

6.       WE#Write Enable,写使能, 在写取数据之前,要先使WE#有效。

7.       WP#Write Protect,写保护

8.       R/B#:Ready/Busy Output,就绪/,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成.

9.       VccPower,电源

10.   VssGround,接地

11.   N.CNon-Connection,未定义,未连接。

[小常识]

在数据手册中,你常会看到,对于一个引脚定义,有些字母上面带一横杠的,那是说明此引脚/信号是低电平有效,比如你上面看到的RE头上有个横线,就是说明,此RE是低电平有效,此外,为了书写方便,在字母后面加“#”,也是表示低电平有效,比如我上面写的CE#;如果字母头上啥都没有,就是默认的高电平有效,比如上面的CLE,就是高电平有效。

 

【为何需要ALECLE

突然想明白了,Nand Flash, 为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂的原因了:

比如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE) 地址锁存使能(Address Latch EnableALE),那是因为,Nand Flash8I/O,而且是复用的,也就是,可以传数据,也可以传地址,也可以传命令,为了区分你当前传入的到底是啥,所以,先要用发一个CLE(或ALE)命令,告诉nand Flash的控制器一声,我下面要传的是命令(或地址),这样,里面才能根据传入的内容,进行对应的动作。否则,nand flash内部,怎么知道你传入的是数据,还是地址,还是命令啊,也就无法实现正确的操作了.

 

Nand Flash只有8I/O引脚的好处】

1.       减少外围引脚:相对于并口(Parellel)Nor Flash4852个引脚来说,的确是大大减小了引脚数目,这样封装后的芯片体积,就小很多。现在芯片在向体积更小,功能更强,功耗更低发展,减小芯片体积,就是很大的优势。同时,减少芯片接口,也意味着使用此芯片的相关的外围电路会更简化,避免了繁琐的硬件连线。

2.       提高系统的可扩展性,因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚,在芯片内部换了芯片的大小等的改动,对于用全部的地址addr的引脚,那么就会引起这些引脚数目的增加,比如容量扩大一倍,地址空间/寻址空间扩大一倍,所以,地址线数目/addr引脚数目,就要多加一个,而对于统一用8I/O的引脚的Nand Flash,由于对外提供的都是统一的8个引脚,内部的芯片大小的变化或者其他的变化,对于外部使用者(比如编写nand flash驱动的人)来说,不需要关心,只是保证新的芯片,还是遵循同样的接口,同样的时序,同样的命令,就可以了。这样就提高了系统的扩展性。

 

Nand flash的一些典型(typical)特性】

1.页擦除时间是200us,有些慢的有800us

2.块擦除时间是1.5ms.

3.页数据读取到数据寄存器的时间一般是20us

4.串行访问(Serial access)读取一个数据的时间是25ns,而一些旧的nand flash30ns,甚至是50ns

5.输入输出端口是地址和数据以及命令一起multiplex复用的。

以前老的Nand Flash,编程/擦除时间比较短,比如K9G8G08U0M,才5K次,而后来很多6.nand flash的编程/擦除的寿命,最多允许的次数,以前的nand flash多数是10K次,也就是1万次,而现在很多新的nand flash,技术提高了,比如,MicronMT29F1GxxABBNumonyx NAND04G-B2D/NAND08G-BxC,都可以达到100K,也就是10万次的编程/擦除。和之前常见的Nor Flash达到同样的使用寿命了。

7.48引脚的TSOP1封装  52引脚的ULGA封装

 

Nand Flash中的特殊硬件结构】

由于nand flash相对其他常见设备来说,比较特殊,所以,特殊的设备,也有特殊的设计,所以,有些特殊的硬件特性,就有比较解释一下:

1.       页寄存器(Page Register):由于Nand Flash读取和编程操作来说,一般最小单位是页,所以,nand flash在硬件设计时候,就考虑到这一特性,对于每一片,都有一个对应的区域,专门用于存放,将要写入到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的,一页的数据,这个数据缓存区,本质上就是一个buffer,但是只是名字叫法不同,datasheet里面叫做Page Register,此处翻译为 页寄存器,实际理解为页缓存,更为恰当些。而正是因为有些人不了解此内部结构,才容易产生之前遇到的某人的误解,以为内存里面的数据,通过Nand FlashFIFO,写入到Nand Flash里面去,就以为立刻实现了实际数据写入到物理存储单元中了。而实际上,只是写到了这个页缓存中,只有等你发了对应的编程第二阶段的确认命令0x10之后,实际的编程动作才开始,才开始把页缓存中的数据,一点点写到物理存储单元中去。

所以,简单总结一下就是,对于数据的流向,实际是经过了如下步骤:

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4 Nand Flash读写时的数据流向

 

Nand Flash中的坏块(Bad Block)

Nand Flash中,一个块中含有1个或多个位是坏的,就成为其为坏块。

坏块的稳定性是无法保证的,也就是说,不能保证你写入的数据是对的,或者写入对了,读出来也不一定对的。而正常的块,肯定是写入读出都是正常的。

坏块有两种:

1)一种是出厂的时候,也就是,你买到的新的,还没用过的Nand Flash,就可以包含了坏块。此类出厂时就有的坏块,被称作factory (masked)bad blockinitial bad/invalid block,在出厂之前,就会做对应的标记,标为坏块。

具体标记的地方是,对于现在常见的页大小为2KNand Flash,是块中第一个页的oob起始位置(关于什么是页和oob,下面会有详细解释)的第1个字节(旧的小页面,pagesize512B甚至256Bnand flash,坏块标记是第6个字节),如果不是0xFF,就说明是坏块。相对应的是,所有正常的块,好的块,里面所有数据都是0xFF的。

2)第二类叫做在使用过程中产生的,由于使用过程时间长了,在擦块除的时候,出错了,说明此块坏了,也要在程序运行过程中,发现,并且标记成坏块的。具体标记的位置,和上面一样。这类块叫做worn-out bad block

 

对于坏块的管理,在Linux系统中,叫做坏块管理(BBMBad Block Managment),对应的会有一个表去记录好块,坏块的信息,以及坏块是出厂就有的,还是后来使用产生的,这个表叫做坏块表(BBTBad Block Table)。在Linux 内核MTD架构下的Nand Flash驱动,和UbootNand Flash驱动中,在加载完驱动之后,如果你没有加入参数主动要求跳过坏块扫描的话,那么都会去主动扫描坏块,建立必要的BBT的,以备后面坏块管理所使用。

 

而关于好块和坏块,Nand Flash在出厂的时候,会做出保证:

1.关于好的,可以使用的块的数目达到一定的数目,比如三星的K9G8G08U0M,整个flash一共有4096个块,出厂的时候,保证好的块至少大于3996个,也就是意思是,你新买到这个型号的nand flash,最坏的可能, 30963996100个坏块。不过,事实上,现在出厂时的坏块,比较少,绝大多数,都是使用时间长了,在使用过程中出现的。

2.保证第一个块是好的,并且一般相对来说比较耐用。做此保证的主要原因是,很多Nand Flash坏块管理方法中,就是将第一个块,用来存储上面提到的BBT,否则,都是出错几率一样的块,那么也就不太好管理了,连放BBT的地方,都不好找了,^_^

 

一般来说,不同型号的Nand Flash的数据手册中,也会提到,自己的这个nand flash,最多允许多少个坏块。就比如上面提到的,三星的K9G8G08U0M,最多有100个坏块。

 

对于坏块的标记,本质上,也只是对应的flash上的某些字节的数据是非0xFF而已,所以,只要是数据,就是可以读取和写入的。也就意味着,可以写入其他值,也就把这个坏块标记信息破坏了。对于出厂时的坏块,一般是不建议将标记好的信息擦除掉的。

uboot中有个命令是“nand scrub”就可以将块中所有的内容都擦除了,包括坏块标记,不论是出厂时的,还是后来使用过程中出现而新标记的。一般来说,不建议用这个。不过,我倒是经常用,其实也没啥大碍,呵呵。

最好用“nand erase”只擦除好的块,对于已经标记坏块的块,不擦除。

 

 

nand Flash中页的访问顺序】

在一个块内,对每一个页进行编程的话,必须是顺序的,而不能是随机的。比如,一个块中有128个页,那么你只能先对page0编程,再对page1编程,。。。。,而不能随机的,比如先对page3,再page1page2.page0page4.。。。

 

【片选无关(CE don’t-care)技术

很多Nand flash支持一个叫做CE don’t-care的技术,字面意思就是,不关心是否片选,

那有人会问了,如果不片选,那还能对其操作吗?答案就是,这个技术,主要用在当时是不需要选中芯片却还可以继续操作的这些情况:在某些应用,比如录音,音频播放等应用,中,外部使用的微秒(us)级的时钟周期,此处假设是比较少的2us,在进行读取一页或者对页编程时,是对Nand Flash操作,这样的串行(Serial Access)访问的周期都是20/30/50ns,都是纳秒(ns)级的,此处假设是50ns,当你已经发了对应的读或写的命令之后,接下来只是需要Nand Flash内部去自己操作,将数据读取除了或写入进去到内部的数据寄存器中而已,此处,如果可以把片选取消,CE#是低电平有效,取消片选就是拉高电平,这样会在下一个外部命令发送过来之前,即微秒量级的时间里面,即2us50ns2us,这段时间的取消片选,可以降低很少的系统功耗,但是多次的操作,就可以在很大程度上降低整体的功耗了。

总结起来简单解释就是:由于某些外部应用的频率比较低,而Nand Flash内部操作速度比较快,所以具体读写操作的大部分时间里面,都是在等待外部命令的输入,同时却选中芯片,产生了多余的功耗,此“不关心片选”技术,就是在Nand Flash的内部的相对快速的操作(读或写)完成之后,就取消片选,以节省系统功耗。待下次外部命令/数据/地址输入来的时候,再选中芯片,即可正常继续操作了。这样,整体上,就可以大大降低系统功耗了。

:Nand Flash的片选与否,功耗差别会有很大。如果数据没有记错的话,我之前遇到我们系统里面的nand flash的片选,大概有5mA的电流输出呢,要知道,整个系统优化之后的待机功耗,也才10mA左右的。

 

【带EDC的拷回操作以及Sector的定义(Copy-Back Operation with EDC & Sector Definition for EDC)】

Copy-Back功能,简单的说就是,将一个页的数据,拷贝到另一个页。

如果没有Copy-Back功能,那么正常的做法就是,先要将那个页的数据拷贝出来放到内存的数据buffer中,读出来之后,再用写命令将这页的数据,写到新的页里面。

Copy-Back功能的好处在于,不需要用到外部的存储空间,不需要读出来放到外部的buffer里面,而是可以直接读取数据到内部的页寄存器(page register)然后写到新的页里面去。而且,为了保证数据的正确,要硬件支持EDCError Detection Code)的,否则,在数据的拷贝过程中,可能会出现错误,并且拷贝次数多了,可能会累积更多错误。

而对于错误检测来说,硬件一般支持的是512字节数据,对应有16字节用来存放校验产生的ECC数值,而这512字节一般叫做一个扇区。对于2K64字节大小的页来说,按照512字节分,分别叫做ABCD区,而后面的64字节的oob区域,按照16字节一个区,分别叫做EFGH区,对应存放ABCD数据区的ECC的值。

Copy-Back编程的主要作用在于,去掉了数据串行读取出来,再串行写入进去的时间,所以,而这部分操作,是比较耗时的,所以此技术可以提高编程效率,提高系统整体性能。

 

【多片同时编程(Simultaneously Program Multi Plane)

对于有些新出的Nand Flash,支持同时对多个片进行编程,比如上面提到的三星的K9K8G08U0A,内部包含4(Plane),分别叫做Plane0Plane1Plane2Plane3.由于硬件上,对于每一个Plane,都有对应的大小是2048+64=2112字节的页寄存器(Page Register),使得同时支持多个Plane编程成为可能。 K9K8G08U0A支持同时对2Plane进行编程。不过要注意的是,只能对Plane0Plane1或者Plane2Plane3,同时编程,而不支持Plane0Plane2同时编程。

 

【交错页编程(Interleave Page Program)】

多片同时编程,是针对一个chip里面的多个Plane来说的,

而此处的交错页编程,是指对多个chip而言的。

可以先对一个chip,假设叫chip1,里面的一页进行编程,然后此时,chip1内部就开始将数据一点点写到页里面,就出于忙的状态了,而此时可以利用这个时间,对出于就绪状态的chip2,也进行页编程,发送对应的命令后,chip2内部也就开始慢慢的写数据到存储单元里面去了,也出于忙的状态了。此时,再去检查chip1,如果编程完成了,就可以开始下一页的编程了,然后发完命令后,就让其内部慢慢的编程吧,再去检查chip2,如果也是编程完了,也就可以进行接下来的其他页的编程了。如此,交互操作chip1chip2,就可以有效地利用时间,使得整体编程效率提高近2倍,大大提高nand flash的编程/擦写速度了。

 

【随机输出页内数据(Random Data Output In a Page)】

在介绍此特性之前,先要说说,与Random Data Output In a Page相对应的是,普通的,正常的,sequential data output in a page

正常情况下,我们读取数据,都是先发读命令,然后等待数据从存储单元到内部的页数据寄存器中后,我们通过不断地将RE#(Read Enale,低电平有效)置低,然后从我们开始传入的列的起始地址,一点点读出我们要的数据,直到页的末尾,当然有可能还没到页地址的末尾,就不再读了。所谓的顺序(sequential)读取也就是,根据你之前发送的列地址的起始地址开始,每读一个字节的数据出来,内部的数据指针就加1,移到下个字节的地址,然后你再读下一个字节数据,就可以读出来你要的数据了,直到读取全部的数据出来为止。

而此处的随机(random)读取,就是在你正常的顺序读取的过程中,先发一个随机读取的开始命令0x05命令,再传入你要将内部那个数据指针定位到具体什么地址,也就是2cycle的列地址,然后再发随机读取结束命令0xE0,然后,内部那个数据地址指针,就会移动到你所制定的位置了,你接下来再读取的数据,就是从那个制定地址开始的数据了。

nand flash数据手册里面也说了,这样的随机读取,你可以多次操作,没限制的。

请注意,上面你所传入的地址,都是列地址,也就是页内地址,也就是说,对于页大小为2Knand flash来说,所传入的地址,应该是小于2048+642112的。

不过,实际在nand flash的使用中,好像这种用法很少的。绝大多数,都是顺序读取数据。

 

【页编程】

Nand flash的写操作叫做编程Program,编程,一般情况下,是以页为单位的。

有的Nand Flash,比如K9K8G08U0A,支持部分页编程,但是有一些限制:在同一个页内的,连续的部分页的编程,不能超过4此。一般情况下,很少使用到部分页编程,都是以页为单位进行编程操作的。

 

一个操作,用两个命令去实现,看起来是多余,效率不高,但是实际上,有其特殊考虑,

至少对于块擦除来说,开始的命令0x60是擦除设置命令(erase setup comman),然后传入要擦除的块地址,然后再传入擦除确认命令(erase confirm command0xD0,以开始擦除的操作。

这种,分两步:开始设置,最后确认的命令方式,是为了避免由于外部由于无意的/未预料而产生的噪音,比如,由于某种噪音,而产生了0x60命令,此时,即使被nand flash误认为是擦除操作,但是没有之后的确认操作0xD0nand flash就不会去擦除数据,这样使得数据更安全,不会由于噪音而误操作。

 

下转: 【简介】如何编写linux下nand flash驱动-2

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