一个sdram里面含有多个逻辑bank(logic bank)----L-Bank,一个逻辑bank的数据单元由行（row）列（column）来定位,一个逻辑bank的视图如下
存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量
在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。M是该芯片中存储单元的总数 ，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的 位宽（Width），单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节（Byte） 。比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit（8MB）。
byte为字节，一个字节8个位
word为字，一个字两个字节
比如 2097,152-WORDS*4bank*16bit
说明有一个bank有2097,152个存储单元，每个存储单元16位，一共有4个bank
目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这就要求刷新所有行不能大于64ms，如果有8192行的话，sdram的刷新周期为64ms/8192=7.8125us
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