**********************按键实验*********************************/
// 公司名称 ：飞凌嵌入式技术有限公司
// 描 述 ：nandflash
// 版 权 ：飞凌嵌入式技术有限公司
// 网 址 ：
/***************************************************************/
本文转自 飞凌嵌入式ARM技术讨论区 感谢作者的无私奉献！
/*
本实验接口说明
*/
#include "include.h"
/*-----------------------函数声明----------------------------*/
void InitNandFlash(int info);
void cpy_bpage(void);
void add_bpage(unsigned int seq);
extern void Uart_Printf(char *fmt,...);
extern void Uart_Init(int baud);
extern void Uart_Select(int ch);
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： InitNandCfg
功能描述： 配置flash
传 参： 无
返 回 值： 无
-------------------------------------------------------------*/
static void InitNandCfg(void)
{
rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);
rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
//
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： WaitNFBusy
功能描述：
传 参： 无
返 回 值： static U32 stat&1
-------------------------------------------------------------*/
static U32 WaitNFBusy(void) // 等待nand flash 的操作结束
{
U8 stat; //因为nansh flash数据通道只有8bit
WrNFCmd(QUERYCMD); //QUERYCMD=0X70,将0x70写入NFCMD
//查看nand flash芯片的资料中的Command Sets
//0x70表示读nand flash的状态
do
{
stat = RdNFDat(); //上面命令是读nandflash的状态，因此RdNFDat获得的是nandflash的状态。
}
while (!(stat&0x40)); //[6] busy:0 ready:1
WrNFCmd(READCMD0); //READCMD0=0
return stat&1; //注意0为操作成功.见datasheet34页表。
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： ReadChipId
功能描述： 读flash ID
传 参： 无
返 回 值： static U32 id
-------------------------------------------------------------*/
// 读ID过程的时序图在K9F1G08U0A的datasheet中，第28和35页//
static U32 ReadChipId(void)
{
U32 id,k;
NFChipEn(); //选中nandflash
WrNFCmd(RdIDCMD);//读ID命令
WrNFAddr(0); //写入00h（根据datasheet）
while(NFIsBusy()); //等待前一步完成
id = RdNFDat()<<8; //define中规定：RdNFDat8(); for 8 bit nand flash,use byt access
for(k=0;k<500;k++); //
id |= RdNFDat(); //从运行结果ID:ecda来看，可能是这边程序有点问题（ID指什么不明确）
NFChipDs();
return id;
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： ReadStatus
功能描述： 读FLASH状态
传 参： 无
返 回 值： static U16 stat
-------------------------------------------------------------*/
static U16 ReadStatus(void)
{
U16 stat;
NFChipEn();
WrNFCmd(QUERYCMD);
stat = RdNFDat();
NFChipDs();
return stat;
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： EraseBlock
功能描述： 擦除 FLASH
传 参： U32 addr
返 回 值： U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
// 地址输入（两个周期） datasheet第27页 //
U32 EraseBlock(U32 addr)
{
U8 stat;
addr &= ~0x3f; //addr=0000 0001 1000 0000
NFChipEn();
WrNFCmd(ERASECMD0); //ERASECMD0=0X60
WrNFAddr(addr); //cycle1:8bit address=1000 0000
WrNFAddr(addr>>8); //cycle2:8bit address=0000 0001
WrNFCmd(ERASECMD1); //ERASE confirm cmd
stat = WaitNFBusy(); //等待擦除完成
NFChipDs();
return ~stat;
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： ReadPage
功能描述：
传 参： U32 addr, U8 *buf
返 回 值： 无
-------------------------------------------------------------*/
// 读取block6中的page25 参考datasheet30页 //
void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)
{
U16 i;
NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD0); //READCMD0=0
WrNFAddr(0); //
WrNFAddr(0); //因为读的是一个page，所以col addr=0
WrNFAddr(addr); //
WrNFAddr(addr>>8); //block6，page25的地址
WrNFCmd(READCMD1); //READCMD1=0X30
InitEcc(); //初始化ECC
WaitNFBusy(); //
for(i=0; i<2048; i++)
buf = RdNFDat(); //将2k的内容读出
NFChipDs();
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： WritePage
功能描述：
传 参： U32 addr, U8 *buf
返 回 值： U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
/*【Nand Flash中的特殊硬件结构】
1.页寄存器（Page Register）：由于Nand Flash读取和编程操作
来说，一般最小单位是页，所以，nand flash在硬件设计时候，就考虑到
这一特性，对于每一片，都有一个对应的区域，专门用于存放，将要写入
到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的，一页的数据，这
个数据缓存区，本质上就是一个buffer，但是只是名字叫法不同，datasheet
里面叫做data Register，实际理解为页缓存,大小应该是等于1个page
恰当些。而正是因为有些人不了解此内部结构，才容易产生之前遇到的某人
的误解，以为内存里面的数据，通过Nand Flash的FIFO，写入到Nand Flash
里面去，就以为立刻实现了实际数据写入到物理存储单元中了。而实际上，
只是写到了这个页缓存中，只有等你发了对应的编程第二阶段的确认命令0x10
之后，实际的编程动作才开始，才开始把页缓存中的数据，一点点写到物理存
储单元中去。*/
// 参考datasheet的第23页 //
U32 WritePage(U32 addr, U8 *buf)
{
U32 i, mecc;
U8 stat, tmp[7];
NFChipEn(); //
WrNFCmd(PROGCMD0); //page program 命令
WrNFAddr(0); //
WrNFAddr(0); //
WrNFAddr(addr); //
WrNFAddr(addr>>8); //要写入的page地址
InitEcc(); //reset mecc and secc
MEccUnlock(); //unlock main data area ecc generation
for(i=0; i<512; i++) //具体要写入页的数据写入main data area
WrNFDat(buf); //将数据输入NAND FLASH的data register中
//或者可以理解为写入page的缓冲区
//只有在发送确认命令0x10之后，该内容才被写入物理存储单元。
MEccLock(); //unlock it
mecc = RdNFMEcc(); //mecc赋值等于MAIN DATA AREA ECC0 STATUS ERGISTER的内容
tmp[0] = mecc&0xff; //[7:0]
tmp[1] = (mecc>>8)&0xff;//[15:8]
tmp[2] = (mecc>>16)&0xff;//[23:16]
tmp[3] = (mecc>>24)&0xff;//[31:24]
tmp[5] = 0xff; //mark good block
//WrNFDat(0xff); //2048，坏块标志//此时主数据区已经lock了。如果不等于0xff就说明是坏块
//sumsung规定在block第一和第二个page的spare area的第一个字节，如果不等于0xff就说明是坏块。
SEccUnlock(); //校验码写入spare data area
WrNFDat(0xff); //改到这里来运行也一样，应该是没做坏块的判断吧？
WrNFDat(tmp[0]);//ECC校验码
WrNFDat(tmp[1]);
WrNFDat(tmp[2]);
WrNFDat(tmp[3]);//同上，也在页缓冲区
SEccLock();
WrNFCmd(PROGCMD1); //确认命令，将以上数据写入物理存储器
stat = WaitNFBusy();
NFChipDs();
return ~stat;
}
/*------------------------------------------------------------/
函数名称： nandMain
功能描述： 入口函数
传 参： 无
返 回 值： 无
-------------------------------------------------------------*/
void nandMain(void)
{
U16 ID,i;
U8 buf[512];
U32 NFBlockNO=6;
U32 NFPagesNO = 25; //block6,page25
U32 status;
U32 BlockPages;
BlockPages =(NFBlockNO<<6)+NFPagesNO; //BlockPages=000110011001
//左移6位是因为1Block=64Page
//因此block6的起始地址位：6*64=6<<6
Uart_Init(115200);
Uart_Printf("\nthe main is running\n");
InitNandCfg(); //初始化函数
ID=ReadChipId(); //ID=ECf1 ;;ID=ecda
Uart_Printf("\nnand flash`s ID is:%x\n",ID);
if(EraseBlock(BlockPages)&0x1==TRUE)
{
Uart_Printf("\nblock %d is erased\n",NFBlockNO);
ReadPage(BlockPages,buf); //读page中的内容
Uart_Printf("\n/***********************擦除之后flash中的数据****************/\n");
for(i=0; i<512; i++)
Uart_Printf("%4x", buf);
Uart_Printf("\n/***********************应写入数据****************/\n");
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