uboot段/变量/链接相关

（1）如果在启动时，U-boot打印出：“Warning - bad CRC, using default environment”，说明U-boot没有在存放 ENV的固态存储器中找到有效的 ENV，只好使用编译时定义的默认ENV。如果 U-boot存放 ENV的固态存储器的驱动是没问题的，那只要运行 saveenv就可以把当前系统的所有ENV写入固态存储器，下次启动就不会有这个警告了。ENV可以放在多种固体存储器中，对于 mini2440来说 Nor Flash、Nand Flash或EEPROM都可以，这依赖 include/configs下的配置文件是如何定义的。例如：

Nor Flash：

#define CONFIG_ENV_IS_IN_FLASH     1

#define CONFIG_ENV_OFFSET          0X40000

#define CONFIG_ENV_SIZE             0x20000  /* Total Size of Environment Sector */

Nand Flash：

#define CONFIG_ENV_IS_IN_NAND      1

#define CONFIG_ENV_OFFSET          0X40000

#define CONFIG_ENV_SIZE             0x20000  /* Total Size of Environment Sector */

EEPROM：

#define CONFIG_ENV_IS_IN_EEPROM   1    /* use EEPROM for environment vars */

#define CONFIG_ENV_OFFSET          0x000    /* environment starts at offset 0 */

#define CONFIG_ENV_SIZE             0x400    /* 1KB  */

CONFIG_ENV_OFFSET  ：是在整个存储器中的偏移地址；

CONFIG_ENV_SIZE   ：是指用来保存 ENV的分区大小。

注意 CONFIG_ENV_OFFSET和 CONFIG_ENV_SIZE 的设置，请不要覆盖了其他分区

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下面说说我移植uboot_nand，drivers/mtd/nand时遇到的问题：

[MY2440] # saveenv

Saving Environment to NAND...

Erasing Nand...

Warning: Erase size 0x00010000 smaller than one erase block 0x00020000

         Erasing 0x00020000 instead

NAND 256MiB 3,3V 8-bit: MTD Erase failure: -22

Writing to Nand... FAILED!

解决方法：

修改include/configs/my2440.h

Nand Flash：

#define CONFIG_ENV_IS_IN_NAND      1

#define CONFIG_ENV_OFFSET          0X40000

#define CONFIG_ENV_SIZE             0x20000  /* Total Size of Environment Sector */

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（2） Uboot.bin文件是可执行的二进制代码文件。我们重点是讲描.bin文件的组成。我们把可执行文件分为两种情况：分别为存放态和运行态。

1. 存放态  

存放态是指可执行文件通过fromelf产生后,在存储介质(flash或磁盘)上的分布. 此时可执行文件一

般由两部分组成：分别是代码段和数据段。代码段又分为可执行代码段(.text)和只读数据段(.rodata),

数据段又分为初始化数据段(.data)和未初始化数据段(.bss)。可执行文件的存放态如下：

   +----------------+-----------

   |   .bss      |

   +---------------+-- 数据段

   |   .data     |

   +---------------+-----------

   |   .rodata  |

   |__________| 代码段

   |   .text   |

   +-------------+-----------

2. 运行态

    可执行文件通过装载过程, 搬入到RAM中运行, 这时候可执行文件就变成运行态。在对可执行代码各段有另一个名称：

   |    ...      |

   +-------------+-----------

   |   .bss      | ZI 段

   +-------------+-- 数据段

   |   .data     | RW 段

   +-------------+-----------

   |   .rodata   |

   |_____________| 代码段(RO 段)

   |   .text     |

   +-------------+-----------

   |    ...      |

         装载前

当可执行文件装载后, 在RAM中的分布如下：

   |    ...      |

   +-------------+-- ZI段结束地址

   |    ZI 段     |

   +-------------+-- ZI段起始地址

   |    保留区2   |

   +-------------+-- RW段结束地址

   |    RW 段     |

   +-------------+-- RW段起始地址

   |   保留区1    |

   +-------------+-- RO段结束地址

   |    RO 段     |

   +-------------+-- RO段起始地址

   |    ...      |

         装载后

    所以装载过程必须完成把执行文件的各个段从存储介质上搬到RAM指定的位置。而这个装载过程由谁来完成呢？由我们的启动程序来完成.

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（3）nandflash芯片内部存储布局及存储操作特点

    一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为：

1设备(Device) = 4096 块(Blocks)

1块(Block) = 32页/行(Pages/rows)   ;页与行是相同的意思,叫法不一样

1页(Page) = 528字节(Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB块大小(16Bytes)

    在每一页中，最后16个字节（又称OOB）用于Nand Flash命令执行完后设置状态用，剩余512个字节又分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位通过Nand Flash内置的指针指向各自的首地址。

存储操作特点：

1. 擦除操作的最小单位是块。

2. Nand Flash芯片每一位(bit)只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1).

3. OOB部分的第六字节(即517字节)标志是否是坏块，如果不是坏块该值为FF，否则为坏块。

4. 除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码

寻址方式

Samsung K9F1208U0B Nand Flash 片内寻址采用26位地址形式。从第0位开始分四次通过I/O0－I/O7进行

传送，并进行片内寻址。具体含义如下：

   0－7位：字节在上半部、下半部及OOB内的偏移地址

   8位：值为0代表对一页内前256个字节进行寻址

         值为1代表对一页内后256个字节进行寻址

   9－13位：对页进行寻址

   14－25位：对块进行寻址

   当传送地址时,从位0开始

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以K9F2G08U0B为例：

32`31 30 29 28 27 26 25 24  `23 22 21 20 19 18 17 16  `15 14 13 12 11 10 9 8  `7 6 5 4 3 2 1 0

28`27 26 25 24 23 22 21 20  `19 18 17 16 15 14 13 12  ` -  -  -  - 11 10 9 8  `7 6 5 4 3 2 1 0 

 

!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!！@@@@@@@@@@@@@@@@@      ##########################

28～18 哪一块              17～12 哪一页            11～0 页内

1device=2048块=131072页

1block =64页

1页    =2K+64B

1000页=64×15+40页=960+40页

1989页=64×31+ 5页=1984+5页

以page（页）为单位进行读写，前两行为业内地址，所以为零

       NF_ADDR(0x00);                                   //列地址A0~A7

       NF_ADDR(0x00);                                  //列地址A8~A11

       NF_ADDR((page_number) & 0xff);                 //行地址A12~A19

       NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);           //行地址A20~A27

       NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);         //行地址A28

以block（块）为单位进行擦除

 //写入3个地址周期，从A18开始写起

       NF_ADDR((block_number << 6) & 0xff);         //行地址A18~A19

       NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff);         //行地址A20~A27

       NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff);        //行地址A28

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norflash操作相关：

norflash直接可以读，不需初始化，无需相关命令

对norflash的写，擦除操作，需要相应的命令，并且要看反转位(polling)状态，以确保是否操作完或正确

对norflash的写擦除，是按扇区（一般4KB）或块为单位，且写之前必须整个扇区或块先擦除，才能写入