NANDFLASH调试详解

一．简介

本文介绍了如何调试nand flash

二． 背景

   2.1.nandflash 结构分类

2.1.1 小 页

    1block = 32page
1page = 512bytes(datafield) + 16bytes(Spare Field)

需要注意的是，对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行 flash的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。同时必须提醒的是，512bytes理论上被分为1st half 和2sd half，每个half各占256个字节。

528个字节按顺序由上而下以列为单位进行排列（1列代表一个Byte。第0行为第0 Byte ，第1行为第1 Byte，以此类推，每个行又由8个位组成，每个位表示1个Byte里面的1bit。

528Bytes按功能分为两大部分，分别是Data Field和Spare Field，其中Spare Field占528Bytes里的16Bytes,这16Bytes是用于在读写操作的时候存放校验码用的，一般不用做普通数据的存储区，除去这 16Bytes,剩下的512Bytes便是我们用于存放数据用的Data Field，所以一个Page上虽然有528个Bytes，但我们只按512Bytes进行容量的计算。

读命令有两个，分别是 Read1,Read2其中Read1用于读取Data Field的数据，而Read2则是用于读取Spare Field的数据。对于Nand Flash来说，读操作的最小操作单位为Page，也就是说当我们给定了读取的起始位置后，读操作将从该位置开始，连续读取到本Page的最后一个 Byte为止（可以包括Spare Field）

2.1.2 大页

参考小页的说明

2.2   NANDFLASH校验

由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。
　　如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出 错。
　　在NAND Flash处理中，一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正， 对2比特以上的错误不保证能检测。

ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这三字节共24比特分成两部 分：6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置1

当往NAND Flash的page中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到PAGE的OOB（out-of- band）数据区中。
当从NAND Flash中读取数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为新ECC校验和。
校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了 ECC无法检测的错误）；若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠正；若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示 OOB区出错；其他情况均表示出现了无法纠正的错误

2.3   NANDFLASH 坏块管理

在进行数据存储的时候，我们需要保证数据的完整性，而NAND Flash存储器芯片由于工艺上问题，不可避免就会出现有的Block中就是某个位或某些位是块的，就是用块擦除命令也是无法擦除的。如果数据存储到这个 坏块中，就无法保证该数据存储的完整性。对于坏块的管理首先我们要定义一个坏块管理表：unsigned char BAD_BLOCK_TABLE [128]，此数组可以存储1024个Block状态，即每一个字节存储8个Block状态。我们要存储一批数据到NAND Flash中去某个Block时，先执行Block擦除操作，然后分析该Block的1st Page和2st Page中的每个位是否全是FFH，如果全是FFH，则在BadBlockTable数组当前Block对应的字节位给置0，否则置1。如果是1表示当前 的块是不能存储数据的，这时需要更换下一个Block来存储这些数据，这样我们重复上面的动作分析再进行分析是否可以存储数据，该块能存储就存储到该块中 去。（详见具体NANDFLASH 手册）

2.4 DMA 传送方式

NAND 控制器包含一个宽度为32 b，深度为4 的缓冲FIFO，用于解决高速总线与低速设备

之间数据传输速度的匹配问题。为提高总线的传输效率，以及控制器设计的便利性，NAND

FLASH 在总线上的数据传输采用DMA 的方式来完成。譬如在读取FLASH 一页数据时，数

据持续写入控制器FIFO，FIFO 满时发出DMA 传输的请求，同时暂停FLASH 的数据读取，

控制信号nRE 拉高，直至DMA 响应请求即FIFO 不满时，FLASH 的数据传输重新开始。

当选择应用的FLASH 位宽为8，页大小为(512+16)B 时，控制器需要发出(32+1)次4 拍字宽

度的DMA 传输请求来完成数据和校验信息的读取。

控制模块的上作主要是将总线接口转换的控制信号，按照NAND FLASH 的接口协议．将片

选、地址、命令、读写使能按照所配置的时序要求，发送到NAND FLASH 中，并且控制数

据的传输个数，以及DMA 请求、数据传输完成中断、数据错误中断等系统信号。

2.5 NANDFLASH 启动

     NANDFLASH 跟NOR FLASH有一个本质的区别就是NANDFLASH不能执行代码，

而在SDRAM中执行程序，所以在系统的启动过程中有步代码从NANDFLASH中搬迁到 SDRAM中的过程。随后会在7120的实例中阐明。

二 调试T3G 7210 NANDFLASH

2.1       系 统启动

2.1.1            系统启动流程图

     第 一步：

        

    说 明：硬件的BOOTLOADER执行，执行的目的是把NANDFLASH第一个BLOCK中 第一个 16kbytes 内容加载到SCRAM中去执行 相关模块psboot

第二步：

说明：NAND Bootloader 加载到SCRAM中后执行，执行的目的 根据分区表把相应分区的内容加载到SCRAM中执行 相关模块psboot

第三步：

说明：执行Splashscreen 就是开机动画，由于我们是模块没有屏幕这个模块并没有什么用，

可以把代码屏蔽掉。

第四步：

说明：执行完 开机动画后，加载CODE区，开始执行代码。