ADS调试环境搭建

ADS调试环境搭建

1.必须用H-JTAG（必须用并口）来烧写U-BOOT到NOR FLASH 或NAND FLASH

NOR FLASH U-BOOT烧写法：

H-JTAG(通过并口进行设置)

为了确保并口地址正确：Settings->LPT Port Setting->通过查看设备管理设置正确的LP地址

H-FLASHER（烧写flash的软件）

Flash Selection(选择要烧写的flash 类型)->EON->EN29LV160AB(2M的NOR FLASH)

Configuration->Flash Width x Chip(每片位宽)->16-Bit x 1-Chip

                      ->Flash Start Address->0x0

                      ->RAM Start Address->0x30000000

Init Scripts(内存初始化代码)->Load->TX-2440A_NOR.hfc(解压 H-JTAG V0.9.2.rar可以得到) 

Programming->Type->Plain Binary Format

                      ->Dst Addr->0x0

                      ->Src File->要烧写的U_BOOT

NAND FLASH U-BOOT 烧写法：

H-JTAG(通过并口进行设置)

为了确保并口地址正确：Settings->LPT Port Setting->通过查看设备管理设置正确的LP地址

H-FLASHER（烧写flash的软件）

Flash Selection(选择要烧写的flash 类型)->NAND-FLASH->S3C2440+K9F2G08

Configuration->Flash Width x Chip(每片位宽)->16-Bit x 1-Chip

                      ->Flash Start Address->0x0

                      ->RAM Start Address->0x30000000

Init Scripts(内存初始化代码)->Load->TX-2440A_256M_NAND.hfc(解压 H-JTAG V0.9.2.rar可以得到)   

Programming->Type->Plain Binary Format

                      ->Dst Addr->0x0

                      ->Src File->要烧写的U_BOOT

 

 

2.必须新建ADS工程

Project->ARM Executable Image

在D:/yan_test/LED下创建LED 项目（为了导入已有文件，1.将要导入的文件先复制到yan_test/LED下        2.再用右键Add files  3.所有添加只保留Debug Real）

点开：DebugRel Setting

 

Target Setting->Post-linker->ELF(生成可执行文件)

Language Setting->将每种语言都改为ARM920T

Linker->ARM Linker->Ro-base(内存起始地址)：0x30000000

     ->Option->Image entry point->0x30000000

     ->Layout->object/symbol(初始代码目标文件)：2440init.o

             ->section:Init

     ->  ARM fromELF->out put format:填Plain binary

 

用AXD 通过H-JTAG 来调试程序（如果用的是J-LINK 请参考

http://blog.chinaunix.net/u3/105675/showart_2260143.html）

重要：因为我是通过NAND flash, 所以要先启动H-FLASHER将NAND flash Erase

在AXD中options->Configure Target->通过Add将在安装目录下的H-JTAG配置文件（H-JTAG.dll）添加进来

将2440init(NAND flash初始的脚本文件)放到C盘下然后：

在AXD中options->Configure Interface->Session File->Run Configuration Script添加2440init