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分类： 嵌入式
2010-09-09 16:22:18
chinaunix网友2010-09-09 17:04:20
我们都知道，内存在读写操作中，存在着各种延迟（Delay）和潜伏期（Latency），比如常见到的tCL-tRCD-tRP-tRAS这些，但是我们常讨论的这些时序参数，都是发生在对L-Bank（逻辑Bank）的操作中，也就是发生在上面的第2-4步之中。 实际上，还有一个延迟，是发生在第1步和第2步之间的，即在选择一个P-Bank芯片集之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，称之为“首命令延迟”，也就是我们今天要讨论的Command Rate。 Command Rate有时被称之为CMD，从前面的描述可以看出，CMD是发生在对内存芯片读写操作之前的，它和内存本身的关系不大，更取决于主板芯片组的设计。和其它时序的单位一样，CMD的单位为时钟周期。显然也是越短越好。但当随着现在内存向高频率高密度高容量发展，内存控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。 在K8出现之前，Command Rate选项一般都不会在BIOS中出现，只能通过一些修改版BIOS对它进行设置。但随着K8内存控制器在功能和兼容性上的完善，Command
