IGBT的特点和用途_IGBT英文全称

IGBT是一种功率晶体，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。 实现一个较高的击穿电压BVDSS 一个源漏通道，而 通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性， 在高电平时，功率导通损耗 要比IGBT 技术高出 。

较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件 ，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。

IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT 了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有 部分)。如等效电路图 (图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区 创建了一个J1结。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。 翻译做绝缘栅双极晶体管。