nandflash在嵌入式设备中广泛的应用，学些nandflash的重要性不言而喻，这里分析一段实例代码，不管是编码规范还是程序的结构都是很有价值的。下边是K9F1208U0M的实例代码。
首先看nand.h文件：
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#ifndef __NAND_Flash__
#define __NAND_Flash__
extern void InitNandCfg(void); //初始化K9F1208UOM NAND flash 配置
extern unsigned int ReadChipId(void); //读取NAND Flash的ID号
extern unsigned short ReadStatus(void); //读取NAND Flash的状态
extern unsigned int EraseBlock(unsigned int addr); //NAND Flash块擦除
extern void ReadPage(unsigned int addr, unsigned char *buf); //K9F1208U0M nand flash 的页数据读
extern void WritePage(unsigned int addr, unsigned char *buf); //K9F1208U0M nand flash 的页数据写
extern void MarkBadBlk(unsigned int addr); //屏蔽 K9F1208U0M nand flash 的坏块
extern int CheckBadBlk(unsigned int addr); //检查 K9F1208U0M nand flash 的坏块
extern void InitNandFlash(void); //K9F1208U0M nand flash 的初始化
#endif
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需要详细看的是nandflash.c文件：
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// 常量定义区
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#define EnNandFlash() (rNFCONF |= 0x8000) //bit15=1 enable NAND flash controller
#define DsNandFlash() (rNFCONF &= ~0x8000) //bit15=1 disable NAND flash controller
#define InitEcc() (rNFCONF |= 0x1000) //bit12=1 initialize ECC
#define NoEcc() (rNFCONF &= ~0x1000) //bit12=0 initialize ECC
#define NFChipEn() (rNFCONF &= ~0x800) //bit11=0 NAND flash nFCE = L (active)
#define NFChipDs() (rNFCONF |= 0x800) //bit11=1 NAND flash nFCE = H (inactive)
#define WrNFCmd(cmd) (rNFCMD = (cmd)) //write commond to nand flash
#define WrNFAddr(addr) (rNFADDR = (addr)) //write address to nand flash
#define WrNFDat(dat) (rNFDATA = (dat)) //write data to nand flash
#define RdNFDat() (rNFDATA) //read data from nand flash
#define RdNFStat() (rNFSTAT) //read status from nand flash
#define NFIsBusy() (!(rNFSTAT&1)) //whether nand flash is busy?
#define NFIsReady() (rNFSTAT&1) //whether nand flash is ready?
#define READCMD0 0 //Read0 model command == Page addr 0~127
#define READCMD1 1 //Read1 model command == Page addr 128~511
#define READCMD2 0x50 //Read2 model command == Page addr 512~527
#define ERASECMD0 0x60 //Block erase command 0
#define ERASECMD1 0xd0 //Block erase command 1
#define PROGCMD0 0x80 //page write command 0
#define PROGCMD1 0x10 //page write command 1
#define QUERYCMD 0x70 //query command
#define RdIDCMD 0x90 //read id command
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// 函数定义区
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#include "NAND_Flash.h"
#include "2410addr.h"
static unsigned short NandAddr;
//等待NAND FLASH不忙
void wait_idle(void)
{
int i;
while(!(rNFSTAT & 0x1))
for(i=0; i<10; i++);
}
/* 在第一次实用NAND Flash前，复位一下NAND Flash */
void reset_nand()
{
int i=0;
rNFCONF &= ~0x800;
for(; i<10; i++);
rNFCMD = 0xff; //reset command
wait_idle();
}
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// 语法格式： void InitNandCfg(void)
// 功能描述: 初始化 K9F1208U0M nand flash 配置
// 入口参数: 无
// 出口参数: 无
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void InitNandCfg(void)
{
//enable nand flash control, initilize ecc, chip disable,
//基本所有的falsh都可以公用的。
rNFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(7<<8)|(7<<4)|(7);
}
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// 语法格式： unsigned int ReadChipId(void)
// 功能描述: 读Nand Flash的ID号
// 入口参数: 无
// 出口参数: Nand Flash ID
//====================================================
unsigned int ReadChipId(void)
{
unsigned int id;
NFChipEn();
WrNFCmd(RdIDCMD);
WrNFAddr(0);
wait_idle();
id = RdNFDat()<<8;
id |= RdNFDat();
NFChipDs();
return id;
}
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// 语法格式： unsigned short ReadStatus(void)
// 功能描述: 读Nand Flash的状态
// 入口参数: 无
// 出口参数: Nand Flash 状态
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unsigned short ReadStatus(void)
{
unsigned short stat;
NFChipEn();
WrNFCmd(QUERYCMD);
stat = RdNFDat();
NFChipDs();
return stat;
}
//====================================================
// 语法格式： unsigned int EraseBlock(unsigned int addr)
// 功能描述: Nand Flash块擦除
// 入口参数: 块地址
// 出口参数: 擦除状态 0 为成功 非0 失败
//====================================================
unsigned int EraseBlock(unsigned int addr)
{
unsigned char stat;
addr &= ~0x1f;
NFChipEn(); //使能
WrNFCmd(ERASECMD0);
WrNFAddr(addr);//擦除只针对块操作
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr) //判断Flash的型号
WrNFAddr(addr>>16);
WrNFCmd(ERASECMD1); //发送擦除命令
wait_idle(); //等待，直到操作完成为止。
NFChipDs(); //失能
return stat&1;
}
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// 语法格式： void ReadPage(unsigned int addr, unsigned char *buf)
// 功能描述: 读取页的内容
// 入口参数: 1，页地址 2，读出的页内数据
// 出口参数: 无
//====================================================
/**** K9F1208U0M nand flash 的页数据读 ****/
void ReadPage(unsigned int addr,unsigned char *buf)//addr = page address
{
unsigned short i;
NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD0);
WrNFAddr(0);
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
InitEcc();
wait_idle();
for(i=0; i<512; i++)
buf[i] = RdNFDat();
NFChipDs();
}
//====================================================
// 语法格式：extern unsigned int WritePage(unsigned int addr, unsigned char *buf)
// 功能描述: 写页数据
// 入口参数: 1，页地址 2，写页内数据
// 出口参数: 无
//====================================================
/**** K9F1208U0M nand flash 的页数据写 ****/
void WritePage(unsigned int addr, unsigned char *buf)
{
unsigned short i;
unsigned char tmp[3];
NFChipEn();
WrNFCmd(PROGCMD0);
WrNFAddr(0); //低八位为0
WrNFAddr(addr); //页地址
WrNFAddr(addr>>8); //
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
InitEcc();
for(i=0; i<512; i++)
WrNFDat(buf[i]);
tmp[0] = rNFECC0;//产生的3位校验码
tmp[1] = rNFECC1;
tmp[2] = rNFECC2;
WrNFDat(tmp[0]);//将校验码重新写入页面
WrNFDat(tmp[1]);
WrNFDat(tmp[2]);
WrNFCmd(PROGCMD1);//正式开始写数据
wait_idle();
NFChipDs();
}
//====================================================
// 语法格式：extern void MarkBadBlk(unsigned int addr)
// 功能描述: 屏蔽 K9F1208U0M nand flash 的坏块
// 入口参数: 块地址
// 出口参数: 无
//====================================================
void MarkBadBlk(unsigned int addr)
{
addr &= ~0x1f;
NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD2); //point to area c
WrNFCmd(PROGCMD0);
WrNFAddr(4); //mark offset 4,5,6,7
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
WrNFDat(0); //mark with 0
WrNFDat(0);
WrNFDat(0); //mark with 0
WrNFDat(0);
WrNFCmd(PROGCMD1);
wait_idle();
WrNFCmd(READCMD0); //point to area a
NFChipDs();
}
//====================================================
// 语法格式：int CheckBadBlk(unsigned int addr)
// 功能描述: 检查 K9F1208U0M nand flash 的坏块
// 入口参数: 块地址
// 出口参数: 是否为坏块 0 坏块 1非坏块
//====================================================
int CheckBadBlk(unsigned int addr)
{
unsigned char dat;
addr &= ~0x1f;
NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD2); //point to area c
WrNFAddr(5); //mark offset 4,5,6,7
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
wait_idle();
dat = RdNFDat();
WrNFCmd(READCMD0); //point to area a
NFChipDs();
return (dat!=0xff);
}
//====================================================
// 语法格式：void InitNandFlash(void)
// 功能描述: K9F1208U0M nand flash 的初始化
// 入口参数: 无
// 出口参数: 无
//====================================================
static int support=0;
void InitNandFlash(void)
{
unsigned int i;
InitNandCfg(); //初始化配置
reset_nand();
i = ReadChipId(); //读取NAND Flash的ID号
if((i==0x9873)||(i==0xec75))
NandAddr = 0;
else if(i==0xec76)
{
support=1; //by chang
NandAddr = 1;
}
else
{
return;
}
}
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从上边的代码可以看出，尽管nandflash自身的操作时序非常的复杂，但在nandflash控制器的帮助下，nandflash的操作就变得非常的简单，这里只需要操作少量的寄存器就可以完成操作。首先分析代码，在驱动程序编程中，用的非常广泛的就是宏的定义，
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#define EnNandFlash() (rNFCONF |= 0x8000) //bit15=1 enable NAND flash controller
#define DsNandFlash() (rNFCONF &= ~0x8000) //bit15=1 disable NAND flash controller
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可以在上边看到，同样是一个操作，定义成宏之后，就可以很直观的通过宏名来识别具体要完成的操作，所以以后在写一些和硬件相关的操作与函数时，要多加使用宏定义。
通常norflash与nandflash的区别在网上是很容易查到的，这里不重复了，这里看一些nandflash 的ecc校验，nandflash存在两种导致数据出错的问题就是反转与坏块，坏块需要标记出来，以后不能在存入数据，而数据的反转是一种正常的现象，通常需要检测多次如果成功就认为是反转，不用标记为坏块了，通常情况下，在写数据之前需要进行坏块检测，首先关于ecc，ecc的实现在ARM中是通过硬件来完成，操作的时候只需要把经过ECC校验的结构重新写入到nandflash的相应区域就可以了。
nandflash是串行的数据传输，而norflash是三总线结构的存储器件，所以nandflash是不能随即读写的，通常的nandflash占用的I/O口有限，数据需要通过多次发送才能完成，我们需要了解nandflash的组织模式，nandflash通过层层细化，划分为不同的小单元进行操作。在进行擦除操作时，是以block为单位进行操作的，而编程与读取操作是以page为单位进行操作的。
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