K9K8GU0A芯片资料及移植思路

1.FLASH 芯片资料

文件:	K9K8G08U0A.rar
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2. 一些网页 做参考资料 了解NAND FLASH基础知识

文件:	linux nand flash 驱动网页.rar
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驱动移植思路整理

1.首先按照 硬件原理图及CPLD 程序 修改了 /linux/driver/mtd/nand/pxa270x_nand.c 文件中的相关内容

2.内核启动过程中 可识别FLASH ID ，扫描NAND FLASH 后检验坏块时出错，它误将所有 块标记为坏块

 所以怀疑驱动有问题  向 /linux/driver/mtd/nand/nand_base.c nand_bbt.c中添加打印信息。

后发现2.6系统支持 2K大页面 的 nand flash 可正确识别 块大小 ，页大小

      

------this->chipsize is 1073741824     整块FLASH 大小1G
- this->chipsize = nand_flash_ids[i].chipsize << 20 1024M----
-------mtd->oobblock is 2048           页大小2K
-------mtd->oobsize is 64              oob 大小64 BYTE
-------mtd->erasesize is 131072        块大小 128 K  （擦NAND FLASH时 每次至少擦一块，

所以也叫   erasesize）
------- busw is 0                      位宽8-bit
-----------mtd->oobblock >521 ???    2048
----222-------mtd->oobblock >521 ???    2048
------if oobblock > 512 ,we use nand_command_lp   识别到是大页面的FLASH  用 nand_command_lp 函数 每次

写两个列Column（页）地址，三个 行ROW 地址
NAND device: Manufacturer ID: 0xec, Chip ID: 0xd3 (Samsung NAND FLASH 1GiB 3,3V
8-bit)    
FLASH ID 信息
Scanning device for bad blocks

扫描坏块

Bad eraseblock 1 at 0x00020000
Bad eraseblock 2 at 0x00040000
Bad eraseblock 3 at 0x00060000

 

3.查看 坏块辨识 程序 ，发现 程序 在oob 第一个字节 读出一个数 看是否为 0xff ，不是的话则标记为坏块。  因此 怀疑 读写流程，读写时序 有问题

4.  关于读写流程： 通过打印信息发现 读写流程 与芯片手册中（17，18页） 相符

   后在 驱动中添加一段 测试程序 发现擦除 ，读写 流程 均 没问题。

nand flash 写操作前 需先进行擦除操作，否则读出的数据不准确

 

5.  关于读写时序：

经不断测试发现 是NAND FLASH 读时序出现问题

给flash 发完读 命令后 应有 20us 延时，再去读 数据 。否则读出的数据是不对的

它会读出你写的那个命令 0x30     详见数据手册  P40

根据芯片手册时序 又修改了一处 也在nand_command_lp中 对于写操作  在编程确认命令 

和读状态 寄存器操作 之间加了  200us 延时

详见数据手册 P24 P31

系统启动检测FLASH 时不会在将所有的 块 识别为 坏块了

 

6.如果直接挂载 mount -t jffs2 /dev/mtdblock4 /mnt/nand

但是系统挂载后  显示FLASH已用100%，还是无法正常使用

    文件系统格式不对

挂载失败 ，

[root@Intel /]#mount -t ext3 /dev/mtdblock5 /mnt/nand/
mount: Mounting /dev/mtdblock5 on /mnt/nand/ failed: Invalid argument

 

应先对其 格式化 ：mkfs.ext3 /dev/mtdblock5

挂载 mount -t ext3 /dev/mtdblock5 /mnt/yaffs/

 

 

什么是oob

其中，512B（或2048B）用于存放数据，16B（64B）用于存放其他信息（包括：块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等）。NAND设备的随机读取得效率很低，一般以页为单位进行读操作。系统在每次读一页后会计算其校验和，并和存储在页内的冗余的16B（64 B）内的校验和做比较，以此来判断读出的数据是否正确。

大块和小块NAND FLASH都有与页大小相同的页寄存器，用于数据缓存。当读数据时，先从NAND FLASH内存单元把数据读到页寄存器，外部通过访问NAND FLASH I/O端口获得页寄存器中数据（地址自动累加）；当写数据时，外部通过NAND FLASH I/O端口输入的数据首先缓存在页寄存器，写命令发出后才写入到内存单元中。