flash寻址

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

 

s3c2440A地址空间每个bank有128M的字节(总共1G字节/8个bank)，是不是意味着它最大只能外扩1G的flash？我看友善的板子外扩了1GB NAND flash，那SDRAM，NOR flash这些在哪个地址空间呢？

这些地址空间只对SDRAM和NOR Flash这样依靠CPU地址线寻址的存储设备有意义，和NAND Flash没有关系。NAND Flash不是依靠CPU的地址线寻址的。

 

   今天在S3C2440的原理图上看到NCON引脚，SUNSING的资料上注为NAND Flash配置引脚，用于NAND Flash地址的步阶选择，何为步阶选择？

    看了下资料，如果系统的NAND Flash 为32MB及以下，则选择3步寻址，如果是32MB以上的，则4步寻址，所谓几步，其实就是NAND Flash的寻址周期数，32MB需要25位地址线（2^25：2的25次方），而NAND Flash 只能通过8位I/O端口传送地址（即总线宽度为8位），所以需要3个周期进行地址传送。（3*8=24，这里是25啊！？，这个下面解释），而32MB以上的，如64MB，则需要26条地址线，所以在8位I/O中传送需要4个周期。

周期如下：

时钟周期       I/O0    I/O1    I/O2    I/O3    I/O4    I/O5    I/O6    I/O7

第一周期        A0        A1      A2       A3       A4      A5       A6      A7

第二周期        A9       A10    A11     A12     A13     A14     A15     A16

第三周期        A17     A18    A19     A20     A21     A22     A23     A24

第四周期        A25       0        0         0         0         0         0         0

    这里可以解释为什么25位地址线只要3个周期了，在上面的周期中没有A8，这是因为A8是在命令中确定的。NAND Flash 将页内的512字节分成第一个半页和第二个半页，半页（256字节）由A0~A7寻址，再通过命令分别设置A8的值以确定寻址的是哪个半页。