DDR2术语解释

OCD（Off-Chip Driver，离线驱动调整）

DDR2通过OCD技术（通过加入一些I/O驱动电阻来实现）可以提高信号的完整性。DDR2通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull- down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。如图3-5所示为无OCD和 有OCD情况下的输出信号对比。

ODT（On-DieTermination，内建终结电阻）

使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻（如图3-6所示），不仅大大增加了主板的制造成本，而且还使整个内存板面不美观。实 际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射率低但是信噪比也较低；终结 电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射率也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好地匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。这样可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了主板设计，降低设计制造成本，还可保证最佳的信号波形。

Post CAS（前置列地址选通脉冲）

Post CAS是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency，AL）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS延迟）被AL所取代，因为AL可以在0、1、2、3、4中进行设置。由于CAS信号 放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。