MLC SLC NAND

MLC型NAND闪存颗粒

    采用多层单元技术，以日系厂商东芝、瑞萨为代表，主要采用0.13微米的制造工艺。

    MLC闪存芯片价格更有竞争力，但读写速度较慢、能耗也比较高、使用寿命较短，比SLC要多15%左右的电流消耗。

    SLC型单层单元颗粒

    由韩系厂商三星、现代推出，主要采用0.9微米制造工艺，在性能和稳定性上更胜一筹，在能耗上要低于MLC，更可以保证10倍左右的使用寿命。

    但也有价格较高、难以提升容量等缺点。