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2008年(35)

我的朋友

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2008-05-22 11:40:33

      在闪存中,将晶体管导通(不管是因为浮栅极有电荷还是因为加了偏置电压)视为“1”,晶体管截止视为“0”。按照这样的规定,当输入为“1,1,1,1,1,1,1,1”时,输出数据“0”;输入为“1,1,0,1,1,1,1,1”时,输出数据“1”。对于NAND型闪存来说,只要字线输入的数据中有一个为“0”,位线上就输出“1”,其输入输出关系正好符合“与非”逻辑关系。

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两种闪存在组织结构上的差异

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两种闪存对应的逻辑符号和真值表

       而对于NOR型闪存来说,字线上相互并联的若干个晶体管中,只要有一个晶体管导通,则位线上就将获得高电平(数据为“0”),只有全部晶体管均截止时,位线上的电平才为低(数据为“1”),输入输出信号之间为“或非”逻辑关系。

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