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2006-11-02 17:46:34
摘要:介绍了Atmel公司的新一代大容量快闪存储器AT29C040的使用方法,并以笔者开发的某测试仪器为例,给出了实际应用的硬件电路及软件设计。
关键词:快闪存储器;数据轮询;数据保护;单片机接口 中图分类号:TP334.7 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2003)05-0075-04 |
1 引言
自1984年第一块闪速存储器问世以来,闪速存储器就以其EPROM的可编程能力和EEPROM的电可擦除性能,以及在线电可改写特性而得到了广泛的应用和发展。随着制造工艺和材料的改进,闪速存储器比EPROM和EEPROM、SRAM及DRAM等存储器的优势越来越明显。 Atmel公司于1998年推出了新一代大容量快闪存储器AT29C040,由于它采用了Fowler-Nordheim隧道效应技术,使编程电流比第一代闪存降低了一个数量级。该芯片只需要+5V电源并支持分页编程,此外,还具有硬件数据保护、软件数据保护、数据查询和自举模块等其他功能。根据笔者的使用情况,本文对AT29C040闪速存储器的结构特点、使用方法等作了简要介绍,并以笔者开发的某测试仪器为例说明AT29C040与单片机的接口及使用方法。 2 芯片简介 2.1 芯片的结构与特点 AT29C040的结构类似于SRAM,它有8条数据线(D0~D7)、19条地址线(A0~A18)、3条控制线(/OE、/CE、/WE)以及电源、地线共32个引脚,具体引脚分布如图所示。AT29C040闪速存储器有如下几个特点: (1)用5V单一电源供电,读、写操作使用同一电源,省去了一个12V的编程电源VPP ; (2)编程前不需要附加的擦除操作,在编程期间,擦除操作会在芯片内部自动进行; (4)扇区容量小,减少了写数据时对系统内存资源的要求; (5)软件数据保护SDP(Software Data Protect)功能。为了避免人为疏忽或者系统上电、掉电等因素引起对闪速存储器的误写操作, AT29C040设置了软件数据保护功能。其原理是对闪速存储器写操作前,必须按一定顺序送入三个字节的命令码,然后才能写入数据,否则数据不能被写入。 2.2 芯片操作 对AT29C040的读操作非常简单,类似于SRAM,不再赘述。这里主要讨论一下对它进行写操作的方法。首先在系统RAM区为AT29C040产生一个扇区的数据映像,即先将待写入的数据放入 RAM中,接着送三字节的命令码到AT29C040中;然后将事先放在RAM中的数据传送到AT29C040指定的扇区中;最后还要等待闪速存储器的写周期时间(10ms),以便将数据写入存储器中。其“写” 操作时序如图所示。 在编程周期期间,如果读取最后装入的字节将使I/O7上出现所装入数据的补码,一旦编程周期结束,所有输出线上的真数据有效,可以开始下一个编程周期。数据轮询可以在编程周期的任何时刻开始,数据轮询时序如图3所示。图中,各时间参数的含义分别是:tDH是数据保持时间; tOEH是OE信号保持时间;tWR 是写信号恢复时间。 软件数据保护是通过一连串地向2个特殊地址写入3个特殊数据来完成的。关闭软件数据保护也是通过一连串地向2个特殊地址写入6个特殊数据来完成。如果不执行这样的操作,对29C040的访问将不能正常进行。该软件保护算法可由用户开启或关闭。图4和图5分别是是软件保护和关闭软件保护的流程图。 有关29C040芯片其他特性以及一些相关参数在其芯片手册里有很详细的说明,这里不再描述,下面就其应用作一介绍。 3 与单片机的接口 3.1 硬件设计 3.2 软件设计 #include #include void protect(); void select_segment(unsigned char seg); unsigned char data cdat; void write_data(unsigned int m_addr,unsigned int s_sector,unsigned int acount); { unsigned int data addraa,addrbb; /* addraa 为内存地址,addrbb 为29C020地址 */ unsigned int data i,j; bit data flaga; flaga=EA; EA=0; addraa=m_addr; addrbb=s_sector*256; for(j=acount;j>0;j--) { protect(); for(i=0;i<256;i++) { P14=0;P13=1; cdat=XBYTE[addraa]; select_segment(s_sector/256); /*s_sector 是256的整数倍*/ XBYTE[addrbb]=cdat; P14=0;P13=1; addraa++; addrbb++;
s_sector++; delay(1000); }
EA=flaga; } /* 选择 29C040 段地址(高位地址), seg 为段地址*/ void select_segment(unsigned char seg) { { case 0: P1=0x00;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 000 00000-0ffff */ case 1: P1=0x01;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 001 10000-1ffff */ case 2: P1=0x02;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 010 20000-2ffff */ case 3: P1=0x03;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 011 30000-3ffff */ case 4: P1=0x04;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 100 40000-4ffff */ case 5: P1=0x05;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 101 50000-5ffff */ case 6: P1=0x06;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 110 60000-6ffff */ case 7: P1=0x07;_nop_(); break; /* 29c040 a18a17a16= 111 70000-7ffff */ } } void protect() { select_segment(0);/*必须写到第0段*/ XBYTE[0x5555]=0xaa; XBYTE[0x2aaa]=0x55; XBYTE[0x5555]=0xa0; P14=0;P13=1; } void delay(unsigned int l_time)/*写完一个扇区后延时*/ { unsigned int data lp;/* 4ms */ for(lp=0;lp } main() { unsigned int data i; P14=0;P13=1; for(i=0;i<256;i++) {XBYTE[0x0200+i]=0x45;} write_data(0x0200,0,1); delay(1000); while(1); } 4 结束语 AT29C040在单片机中的应用不仅能使用户快速地实现所需功能,而且电擦除的方式为程序和数据的存储和更新提供了方便,随着闪速存储器器件朝着容量越来越大、工作电压越来越低、支持共同的接口标准的方向发展,闪速存储器硬件接口和软件设计将越来越容易。 |