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2006-09-07 16:18:02

一)半导体二极管

1.PN结的伏安特性

PN结的伏安特性描述了PN结两端电压u和流过PN结电流i之间的关系。图2.1 是PN结的伏-安特性曲线。可以看出:        

 

                  

                                                 2.1

1)当外加正向电压较小(uI<UON)时,外电场不足以克服PN结内电场对多子扩散所造成的阻力,电流i几乎为0,PN结处于截止状态;

2)当外加正向电压uI大于UON时,正向电流i随u的增加按指数规律上升且i曲线很陡 。

     (3)当外加反向电压(u<0)时,反向电流很小, 几乎为0,用IR表示;

     (4)当u U(BR) 时,二极管发生电击穿,|u| 稍有增加,|i|急剧增大, u ? UBR

   把PN结外加正向电压导通、外加反向电压截止的性能称作单向导电特性.UON称作导通电压,也叫开启电压, U(BR) 称作反向击穿电压,IR称作反向电流

   2.半导体二极管应用举例

半导体二极管是将PN结用外壳封装、加上电极引线构成。可以用作限幅电路、开关电路等。

1)用作限幅电路

2.2(a)是二极管电路。假设输入电压u I是一周期性矩形脉冲,输入高电平UIH=+5V、低电平UIL=-5V,见图(b)。可以知道,当输入信号的正半周时,二极管导通,uO =u I=+5V,负半周时,二极管截止,iD?0,uO ?0,对应波形见图中(c)所示。通过二极管电路,使输出电压负半周的幅度受到了限制。  

      

                      图2.2                                (C)

 (2)用作开关电路  

        在图2.2(a)所示的二极管电路中,假设二极管为理想二极管。可以知道,当输入信号的正半周时,二极管导通,二极管可以看作只有很小(?0)压降的闭合开关,负半周时,二极管截止,iD?0,二极管可以看作断开的开关。 在数字电路中,二极管常被当做开关使用。

(二)双极型三极管                            

   1. 双极型三极管及其三种工作状态         

NPN硅三极管的共射输出特性如图2.3所示。

IB=0这条曲线以下部分称为截止区,此时,三极管各极电流iB?iC?0,对应三极管截止的条件是uBE<0.5V;在特性的中间部分,曲线是一族近似水平的直线,这个区域称为放大区,此时,Ic=bIB, 对应三极管放大的条件是uBE30.5V. uBC<0V;把输出特性靠近纵轴的上升部分,对应不同的IB值的各条曲线几乎重叠在一起的区域称为饱和区,此时,UC E UC ES,对应三极管饱和的条件是uBE30.7V. uBC>0V。

                      

            图2.3

2.三极管的主要参数

1)共发射极电流放大系数b

共发射极电流放大系数b表示管子做成后,其收集电流和基区复合电流之比,是一个常数。

2)集电极-发射极饱和电压UCES

集电极-发射极饱和电压UCES指管子饱和时,集电极-发射极间的管压降,小功率管0.3V。

3)集电极最大电流ICM

集电极最大电流ICM指集电极允许流过的最大电流。

4)集电极最大功率损耗PCM

集电极最大功率损耗PCM指集电极允许的最大功率。

5)集电极-发射极击穿电压UCEO

ICMPCMUCEO是极限值,使用管子时,不要超过极限值。

 

(三)MOS场效应管

1.MOS场效应管的分类

MOS场效应管按其沟道和工作类型可分为四种:N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型。表2.1列出了四种场效应管的特点。

2.1

 

基片材料

漏源材料

导通沟道类型

阈值

电压

栅极工

作电压

漏源工作电压

  其它特点

N沟道增强型

P

N

电子

UTN

电子迁移率高,故速度快

P沟道增强型

N

P

空穴

UTP

易做,速度慢

N沟道耗尽型

P

N

电子

UI

零、正、负均可

速度较快,可在零栅压下工作

P沟道耗尽型

N

P

空穴

UI

 

 

难制作

 2.特性曲线

2.4示出了增强型NMOS管共源电路的转移特性和输出特性曲线。 

     

                 图2.4

图(a)的转移特性曲线描述MOS管栅源电压uGS和漏极电流iD之间的关系。因为uGS是输入回路的电压,而iD是输出回路的电流,故称转移特性。可以看出:

    当uGS很小时:iD基本上为0,管子截止;当uGS大于UTNUTN称作开启电压)时:iD 随uGS的增加而增加。

图(b)的输出特性曲线描述漏源电压uDS和漏极电流iD之间的关系。可以看出,它分作三个区域:

夹断区: uGS <UTN的区域 。在夹断区,管子处于截止状态,漏源间的等效电阻极高。漏极电流几乎为0,输出回路近似开路;

可变电阻区uGS >UTNuDS较小的区域 。在可变电阻区,iDuDS之间呈线性关系,uGS值越大,曲线越陡,漏源间的等效电阻就越小;

恒流区uGS >UTNuDS较大的区域 。在恒流区,iD只取决于uGS,而与uDS无关。

2. 2列出了MOS管工作在截止和导通状态时的条件及特点。

     表2.2

 

  NMOS管

  PMOS管

              

截止

uGS TN

uGS >UTP

RDS非常大,相当于开关断开

导通

uGS 3 UTN

uGS UTP

rON非常小,相当于开关闭合

 

 二、教学要求

· 掌握PN结的单向导电特性、二极管导通电压UON的概念;

· 熟悉二极管的特性曲线;

· 了解开关二极管、整流二极管、稳压二极管的基本用途;

· 掌握双极型晶体三极管三个工作区的特点及参数;

· 熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法;

· 熟悉场效应管的分类和符号;

· 熟悉增强型NMOS管的特性曲线;

     · 了解MOS场效应管的主要参数。

三、例题解析(答案供参考) 

     2.1  在图P2.1(a)(b)(c)所示的电路中,设二极管为理想二极管,输入电压 ,    输入波形如图(d),试分别画出各电路输出uo的波形。

              

         

 

         解:分析二极管电路,要抓住二极管导通和截止的条件和特点。设理想二极管的导通电压为0V,导通时,管压降为0V(非理想状态一般为0.7V);二极管两端的正向电压小于0.5V时,管子截止,iD?0。抓住这些要点,可以知道在输入图(d)所示波形的情况下,

图(a)电路中,在输入信号的正半周,二极管导通,输出电压等于管压降,约为0V,在输入信号的负半周,二极管截止,iD?0,电阻上的压降?0,输出电压等于输入电压,uO?uI

图(b)电路中,在输入信号的正半周,二极管导通,管压降约为0V,输出电压约等于输入电压,uO?uI;在输入信号的负半周,二极管截止,iD?0,电阻上的压降?0,输出电压等于0;

图(c)电路中,在输入信号的正半周,二极管因反向偏置而截止,iD?0,电阻上的压降?0,输出电压等于0;在输入信号的负半周,二极管导通,管压降约为0V,输出电压约等于输入电压。相应波形见答图P2.1。

答图P2.1

2.2  在图P2.2中,若已知管子的导通电压UON=0.6Vb=80,管子导通后UBE =0.7VUCES =0.3V,若输入电压uI幅值为5V、频率为1kHz的脉冲电压源,试分析:

(1)uI= UIL=0VuI= UIH=5V时三极管的工作状态(放大、饱和、截止);

(2)Rb值不变,求电路工作在临界饱和区时RC的最小值;

(3)RC值不变,求电路工作在临界饱和区时Rb的最大值。 

           

 

 

 

 

 

P2.2  

:分析三极管电路。同样要抓住三极管三种工作状态的条件和特点。

1)当u I =UIL=0时:

    由于u I < U ON =0.6V时,管子工作在截止状态;

       u I =UIH=5V时:三极管导通

      i B =5-0.7/40=0.1075mA  i c =800.1075=8.6 mA

      u CE = U CC- i c R c =12-8.62= -5.2V,故可判断出管子工作在饱和状态

       [ i cS =U CC- U CES/R c]=12-0.3/2=5.85mAI BS = I CS /b = 0.073mAi B > I BS]

    2)固定Rb值不变,求临界饱和时的R cmin

   临界饱和时,i B 3 I BS= I CS /b= Rc3 ,可解得Rcmin=1.4KW

   3)固定RC值不变,求临界饱和时的R bmax

临界饱和时,i B =  3 I BS       R b5-0.7/ 0.07,可解得R bmax=61 KW

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