Dm642启动制作与映像

Dm642启动制作与映像

一、原理与概述

二、复位启动与引导说明

       Cpu 引导1K

三、引导代码与说明

       1K引导4K

四、内存初始化以及简单文件启动

       4K

五、启动结构与配置说明

六、启动1K代码说明

七、启动4K代码说明

八、sram运行说明

九、SDram运行说明

十、制作向导与应用

 

      

  

一、原理与概述

       配置Dm642为EMIF启动，即设置 A22，A21 为有效，即1K拉高 。Cpu 上电复位后，默认配置Emif Ce0 Ce1 Ce2 Ce3 均为 8位同步存储，内部sram为地址模式0X00000000~0X3FFFF， 然后开始自动读取 0X90000000 处 1Kbyte 的代码到 内部Sram 0X00000000 ，然后跳转到 内部Sram 0X00000000处开始执行代码。

       0x00000000的1K代码 （简称Boot_1K）主要任务是继续读取0X90000000，的引导代码，并且跳转执行。本设计中我们引导了0X90000000处 4K代码到 0X0003F000，并且调转到0X0003F100处。

       0X0003F000的4K代码 （简称Boot_4K），则负责将 SDRAM初始化，IO初始化，并且再次引导启动代码到指定地址。其中我们使用了BootConfig结构体存放了启动初始化配置参数以及启动引导的代码与目标地址。

       至此引导过程全部完成。

Boot4K为 Boot1K+Boot4K源代码。

BootLoadVersionMgr为VC项目， 产生Boot4K的映像（8,bin格式）

FlashTool为执行烧写的PC程序

注意问题：

1、  读写速率

a)         启动时外部存储使用 EMIF的时钟（设计中采用150M有效时钟， A20 ,A19），读取操作速度为外部时钟 频率/  (RDSETUP * RDSTRB) ，

               本设计中EMIF采用150M， 所以Flash操作速率150M / (1111 11 1111 ) ~= 150K ，Flash读写速度一般都大于1M,因此CPU的启动基本不会有问题。

CE2  (0X100 ) ,对应地址0X90000000~  ， 8 bit
WRSETUP	WRSTRB	WRHLD	RDSETUP	TA	RDSTRB	MTYE	WRHLDMSB	RDHLD
1111	11 1111	11	1111	11	11 1111	0000	0	011

2、  上电复位

由于CPU启动需要约200CLOCK时钟周期， 因此在时钟同步完成 时候持续200*mms  即可复位处理器（Reset置高）约为1ms。实际中考虑按键等因素，复位匹配 为 4.7K上拉， 1K下拉， 1uf 复位电容即可。

       3、启动默认配置 为 Ce2 0X90000000 为8 bit 同步存储，内部Cache 禁用 ,地址0X0000000 ~0X3FFFF 为可写可读 高速Sram.本设计为 300M

       CPU引导完成后交付程序执行

      

3、  引导失败可能由于 Flash的地址、数据线连接失败，可以采用示波器查看以下信号

1、  CE2 是否有一个有效（---___---）

2、  ADDR[10..0]是否出现波形 —--

3、  DATA[7..0]是否出现波形

4、  FLASH_R是否有一个有效（---___---）,要同步CE2

5、  通过仿真器察看 0X90000000地址的数据是否正确（确保数据线正确）

6、  通过仿真器察看 0X90000000~0X90000400数据是否正确（确保地址线正确）

     

二、复位启动与引导说明

              Boot_1K 主要功能 将Boot_4K调入到Sram

以下参看代码（main.c）：

void Init() ;

#pragma CODE_SECTION( c_int00,".BOOT_ENTRY_00000") 

//将代码c_int00定位在初始位置

// BOOT_ENTRY_00000   : origin = 0x03F000,         len = 0x000040

//.BOOT_ENTRY_00000      : {} > BOOT_ENTRY_00000

void c_int00()

{

  &n