Chinaunix首页 | 论坛 | 博客
  • 博客访问: 135319
  • 博文数量: 110
  • 博客积分: 881
  • 博客等级: 准尉
  • 技术积分: 1249
  • 用 户 组: 普通用户
  • 注册时间: 2012-10-11 13:46
文章分类

全部博文(110)

文章存档

2014年(1)

2013年(89)

2012年(20)

我的朋友

分类: 信息化

2013-12-10 20:02:27

    固体钽电容器是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的,它的性能优异,是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。钽电容器外形多种多样,并制成适于表面贴装的小型和片型元件。钽电容器不仅在军事通讯,航天等领域应用,而且钽电容的应用范围还在向工业控制,影视设备、通讯仪表等产品中大量使用。   

    单一阳极技术成为标准通用型选择是由于其出色的性价比。多阳极设计可提供更低的ESR值,但其缺点是生产成本要高于单阳极解决方案。

    使用标准的芯片集成工艺的槽式阳极设计是低ESR与低成本折中的一种结果。因此,槽式设计通常用于价格敏感同时要求低ESR的设计,而多阳极技术适合用于既要求低ESR更要求高可靠性的应用中,如电信基础设施、网络、服务器和军事/航空航天等应用。 

除了上述差异,多阳极的概念有另两处优势。 

(1)多阳极设计具有更好的散热性能,这意味着多阳极电容可以承载更高的持续电流;同理,多阳极电容对抗电流浪涌危害的能力也更强。

(2)相较于单一的阳极,多阳极电容的单位容积效率较低,这导致了一种假设,认为多阳极不能达到与单一阳极一样的CV(定电压因素)。事实上,薄的阳极实现起来更容易,并且更易被第二个二氧化锰电极系统穿透,使更高的CV得以利用,因此,多阳极电容器能达到同样甚至更高的CV水平。

转载此文章,请注明出处: 

阅读(308) | 评论(0) | 转发(0) |
给主人留下些什么吧!~~