2440 Memory Controller

我不懂的地方

BWSCON using UB/LB

BANKCON Page mode

ARM core burst operation

SDRAM power down mode

地址空间 128Mbytes/bank 8个bank 一共1G

对于nand nor启动存储器的分布是不一样的

对于bank6/7大小是可以选择的。似乎这个功能不实用。

对于mini2440这两个bank应该为64M

bank0作为启动ROM，比较特别。在上电之前他的状态就已经确定了。

OM1   OM0    booting ROM data width

0 0 nand flash mode

0 1 16bit

1 0 32bit

1 1 test mode

对于mini2440通过OM0来选择nand启动还是nor启动。

因为板载的NOR芯片是16bit的。

要注意的是对于不同的位宽，相应的地址线接法也不一样。当然这是硬件设计的问题。

mini2440的RAM使用的是三星的SDRAM，地址从0x30000000到0x34000000一共是64M。

对应的SDRAM配置是第三行，位宽为32位，使用了两片(4M*16*4B)芯片，该芯片位宽是16，有4个Bank，每个Bank的4Mbits。 

使用存储控制器要设置寄存器(special function register)

BWSCON 0x48000000 Bus width & wait status control register

STn Determines SRAM for using UB/LB for bank n

这个是什么意思 我没有看懂，谁知道的告诉一下啊。

WSn Determines WAIT status for bank n

是否启用WAIT状态，启用的话访问外设会等待？

DWn Determines data bus width for bank n

决定位宽，可以设为8位，16位或者32位

但是没有DW0，因为bank0的位宽是由外部引脚OM0和OM1决定的。

BANKCONn Bank control register

对于bank0到bank5这些是设置时序的，一般使用复位值就可以了，不需要修改。

Tacs Address set-up time before nGCSn

Tcos Chip selection set-up time before nOE

Tacc  Access cycle

Tcoh Chip selection hold time after nOE

Tcah  Address hold time after nGCSn

Tacp Page mode access cycle @ Page mode

PMC Page mode configuation

BANKCON6/BANKCON7和其它的bank不一样，因为这两个bank是唯一可以使用SDRAM的bank

MT Determine the memory type 设置为11 SDRAM

Trcd RAS to CAS delay

SCAN Column address number

REFRESH SDRAM refresh control register

REFEN SDRAM refresh enable

TREFMD SDRAM refresh mode

Trp SDRAM RAS pre-charge time

Tsrc SDRAM semi row cycle time

Refresh Counter

这个值很重要，没有设置对则不能使用外部SDRAM

Refresh period = (2^11-refresh_count+1)/HCLK

例如当刷新周期为7.8us，HCLK为100MHz

Refresh count=2^11+1-7.8*100=1269

BANKSIZE flexible bank size register

这里有很多其它的设置

BURST_EN ARM core burst operation enable

SCKE_EN SDRAM power down mode enable control by SCKE

SCLK_EN

BK76MAP 这个可以设置为001 64MB/64MB

MRSRB6/MRSRB7  mode register set register bank n