DDR2、DDR3的区别

    因为最近看了一些DDR3的文档，准备用到Xilinx V6板子上的DDR3 SDRAM，又联想到以前好像也分析过DDR2一段时间，故想看看两者的区别。可能当时并没有完全分析透彻DDR2的特性，又有段时间，因此特地上网找了些资料，再加以好好阅览下文档，希望这次能够有很好的收获。

   DDR3相对于DDR2的主要区别：

·功耗进一步减少

　　DDR2内存的默认电压为1.8V，而DDR3内存的默认电压只有1.5V，因此内存的功耗更小，发热量也相应地会减少。值得一提的是，DDR3内存还新增了温度监控，采用了ASR(Automatic self-refresh)设计，通过监控内存颗粒的温度，尽量减少刷新新频率降低温度与功耗。DDR3 800、DDR3 1066与DDR3 1333相比起DDR2 800规格的模组，平均功耗可分别下降25％、29％以及40％左右。

·逻辑Bank数量增加

　　为了进一步加快系统速度，DDR3采用了8个内部Banks，而DDR2采用的为4或8个内部Banks，使得大容量高速度的模组能够得到更快的普及。

·点对点的传输模式

　　在更高的运行频率下，DDR3内存在模组的信号完整性上要求更加严格。在极端频率下，信号的路径不能保证一直平稳，但又不得不调整以配合每一个DRAM。fly-by拓扑结构采用点对点的传输模式，地址线与控制线单一的路径取代DDR2的T型Conventional T分支拓扑结构，从内存控制器直接连接到每个DRAM上。

·ZQ校准功能

　　此外，在DDR3的内存在还新增一个定义为ZQ的引脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过芯片上的ODCE校准引擎来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

·重置Reset功能

　　重置Reset功能也是DDR3中的一个新增重要元素，在内存中同样具备一个独立的引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。而在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL延迟锁相环路与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

还有就是一些比较抽象的区别：

一、DDR2与DDR3内存的特性区别：

　　1、逻辑Bank数量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　2、封装（Packages）

　　由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

　　3、突发长度（BL，Burst Length）
    
    由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

　　4、寻址时序（Timing）

　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

二、与DDR2相比DDR3具有的优点（桌上型unbuffered DIMM）：

　　1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。

　　2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），达到省电目的。

　　3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量（亦即单条模块可到8GB），但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题（注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限）。

    当然对于消费者来说，最大的区别还是价格方面的问题，DDR2内存已经非常普及了，而且价格很便宜，但DDR3内存就不同了。从2007年进入市场后，并没有众望所归扫落叶般的清理DDR2内存，相反较高的价格和主板支持少的问题始终困扰其无法大展伸手，因此大部分厂商预测DDR3内存真正成为主流要等到2010年。

    另外，外观方面最直接的区别就是针脚金手指位置又偏左了几个位置。

    期待后续的心得笔记。