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分类: 嵌入式

2014-02-14 11:40:12

STM32 外部 SRAM

STM32F103ZET6 自带了 64K 字节的 SRAM,对一般应用来说,已经足够了,不过在一些对内存要求高的场合,STM32 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等,就可能不太够用

IS62WV51216 简介

IS62WV51216 是 ISSIIntegrated  Silicon  Solution,  Inc)公司生产的一颗 16 位宽 512K512*16,即 1M 字节)容量的 CMOS 静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点:

高速。具有 45ns/55ns 访问速度。

低功耗。

TTL 电平兼容。

全静态操作。不需要刷新和时钟电路。

三态输出。

字节控制功能。支持高/低字节控制。

看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置。 这里就做一个概括性的讲解。步骤如下: 

1使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能

要使用 FSMC,当然首先得开启其时钟。然后需要把 FSMC_D0~15FSMCA0~18 等相关IO 口,全部配置为复用输出,并使能各 IO 组的时钟。 

使能 FSMC 时钟的方法:

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE); 

对于其他 IO 口设置的方法前面讲解很详细,这里不做过多的讲解。

2设置 FSMC BANK1 区域 3

此部分包括设置区域 的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式 A16 位宽,读写共用一个时序寄存器。使用的函数是:

void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)

3使能 BANK1 区域 3

使能 BANK 的方法跟前面 LCD 实验也是一样的,这里也不做详细讲解,函数是:

void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)

通过以上几个步骤,我们就完成了 FSMC 的配置,可以访问 IS62WV51216 了,这里还需要注意,因为我们使用的是 BANK1 的区域 3,所以 HADDR[27:26]=10,故外部内存的首地址为 0X68000000。 

点击(此处)折叠或打开

  1. //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
  2. //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
  3. //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
  4. #define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))        
  5.                           
  6. //初始化外部SRAM
  7. void FSMC_SRAM_Init(void)
  8. {    
  9.     FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
  10.     FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
  11.     GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
  12.  
  13.      RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
  14.       RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
  15.   
  16.     GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;                  //PORTD复用推挽输出
  17.      GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;          //复用推挽输出
  18.      GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
  19.      GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

  20.  
  21.     GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;                  //PORTE复用推挽输出
  22.      GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

  23.      GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;                  //PORTD复用推挽输出
  24.      GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

  25.     GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;                  //PORTD复用推挽输出
  26.      GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
  27.  
  28.                       
  29.      readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;     //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK 1/36M=27ns
  30.     readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;     //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到    
  31.     readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;         //数据保持时间(DATAST)为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)    
  32.     readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
  33.     readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
  34.     readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
  35.     readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;     //模式A
  36.     

  37.  
  38.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这里我们使用NE3 ,也就对应BTCR[4],[5]。
  39.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
  40.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
  41.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
  42.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
  43.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  44.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
  45.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
  46.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  47.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;    //存储器写使能
  48.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
  49.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序
  50.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
  51.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;
  52.     FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序

  53.     FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置

  54.        FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK3                                        
  55.                                             
  56. }
  57.                                                              
  58. //在指定地址开始,连续写入n个字节.
  59. //pBuffer:字节指针
  60. //WriteAddr:要写入的地址
  61. //n:要写入的字节数
  62. void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
  63. {
  64.     for(;n!=0;n--)
  65.     {                                        
  66.         *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;    
  67.         WriteAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
  68.         pBuffer++;
  69.     }
  70. }                                                                            
  71. //在指定地址开始,连续读出n个字节.
  72. //pBuffer:字节指针
  73. //ReadAddr:要读出的起始地址
  74. //n:要写入的字节数
  75. void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
  76. {
  77.     for(;n!=0;n--)
  78.     {                                            
  79.         *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
  80.         ReadAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
  81.     }
  82. }
  83. ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
  84. //测试函数
  85. //在指定地址写入1个字节
  86. //addr:地址
  87. //data:要写入的数据
  88. void fsmc_sram_test_write(u8 data,u32 addr)
  89. {            
  90.     FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节
  91. }
  92. //读取1个字节
  93. //addr:要读取的地址
  94. //返回值:读取到的数据
  95. u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
  96. {
  97.     u8 data;
  98.     FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
  99.     return data;
  100. }

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