STM32 外部 SRAM
STM32F103ZET6 自带了 64K 字节的 SRAM,对一般应用来说,已经足够了,不过在一些对内存要求高的场合,STM32 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等,就可能不太够用
IS62WV51216 简介
IS62WV51216 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc)公司生产的一颗 16 位宽 512K(512*16,即 1M 字节)容量的 CMOS 静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点:
l 高速。具有 45ns/55ns 访问速度。
l 低功耗。
l TTL 电平兼容。
l 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
l 三态输出。
l 字节控制功能。支持高/低字节控制。
看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置。 这里就做一个概括性的讲解。步骤如下:
1)使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能。
要使用 FSMC,当然首先得开启其时钟。然后需要把 FSMC_D0~15,FSMCA0~18 等相关IO 口,全部配置为复用输出,并使能各 IO 组的时钟。
使能 FSMC 时钟的方法:
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
对于其他 IO 口设置的方法前面讲解很详细,这里不做过多的讲解。
2)设置 FSMC BANK1 区域 3。
此部分包括设置区域 3 的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式 A、16 位宽,读写共用一个时序寄存器。使用的函数是:
void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
3)使能 BANK1 区域 3。
使能 BANK 的方法跟前面 LCD 实验也是一样的,这里也不做详细讲解,函数是:
void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
通过以上几个步骤,我们就完成了 FSMC 的配置,可以访问 IS62WV51216 了,这里还需要注意,因为我们使用的是 BANK1 的区域 3,所以 HADDR[27:26]=10,故外部内存的首地址为 0X68000000。
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//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
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//对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
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//对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
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#define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))
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//初始化外部SRAM
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void FSMC_SRAM_Init(void)
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{
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FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
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FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
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GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
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RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
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RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
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GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD复用推挽输出
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GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出
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GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
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GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
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GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE复用推挽输出
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GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
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GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD复用推挽输出
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GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);
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GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD复用推挽输出
-
GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
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readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK 1/36M=27ns
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readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到
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readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间(DATAST)为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)
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readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
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readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
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readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
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readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这里我们使用NE3 ,也就对应BTCR[4],[5]。
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //存储器写使能
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
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FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;
-
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序
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FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置
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FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK3
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-
}
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//在指定地址开始,连续写入n个字节.
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//pBuffer:字节指针
-
//WriteAddr:要写入的地址
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//n:要写入的字节数
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void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
-
{
-
for(;n!=0;n--)
-
{
-
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
-
WriteAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
-
pBuffer++;
-
}
-
}
-
//在指定地址开始,连续读出n个字节.
-
//pBuffer:字节指针
-
//ReadAddr:要读出的起始地址
-
//n:要写入的字节数
-
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
-
{
-
for(;n!=0;n--)
-
{
-
*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
-
ReadAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
-
}
-
}
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-
//测试函数
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//在指定地址写入1个字节
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//addr:地址
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//data:要写入的数据
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void fsmc_sram_test_write(u8 data,u32 addr)
-
{
-
FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节
-
}
-
//读取1个字节
-
//addr:要读取的地址
-
//返回值:读取到的数据
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u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
-
{
-
u8 data;
-
FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
-
return data;
-
}
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